Устройство для измерения характеристик оптических покрытий

Устройство для измерения характеристик оптических покрытий

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

E!!E 539216

Союз Советскии

Социалистических

PeC!I!16!I!!II (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 03.09.74 (21) 2058192/21 (51) М. Кл."- G 01В 9/00 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 15.12.76. Бюллетень М 46

Дата опубликования описания 13.12.76 (53) УД1(535.243.25 (088.8) (72) Лвторы и зоб р ете н111! (7l) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО

ОП

Изобретение относится к слойных иитерфереицпониых крытий.

Известно устройство для изготовления оптических покрытий, содержащее вакуумную установку, фотометр для контроля оптических толщин, систему управления процессом нанесения покрытия, включающую в себя блок отыcêàíïÿ Iокальных минимумов (или локальных максимумов) показателя качества, блок памяти и исполнительное устройство.

Недостаток такого устройства заключается в том, что не всегда изготовленное покрытие имеет спектральную характеристику, достаточно близкую к требуемой (т. е. це всегда коэффициент качества достаточно мал) .

Цель изобретен!!я — повышение точности.

Достигается это тем, что устройство для измерения характеристик оптических покрытий, содержащее последовательно соединенные блок отыскания локального минимума, 6JIOI< памяти, HCIIO IHHTC IbYbIH 6;IOK, BBIi уbiную установку и фотометр, первый вход которого соединен со вторым входом исполнительного устроиства, а также блок отыскания локального максимума, снабжено блоками вывода системы из состояний, соответствуюIlinx локальному минимуму и локальному максимуму показателя качества, а такжеблоком преобразования, вход которого сосд1шен со вторым выходом фотометра, а его выход— с входом блока отыскания локального м1шимума, второй выход последнего связан с вхо5 дом блока вывода системы из состояния, соответствующего локальному минимуму, выход которого через блок отыскания локального максимума подключен к входу блока вывода из состояния, соответствующего локалы1ому

10 максимуму, выход последнего соедш!еи со вторым входом блока отыскания минимума.

На чертеже показана блок-схема предлагаемого устройства.

15 1 сТроНсТВо содержит Олок 1 отыскания .!0кального минимума, блок 2 вывода системы из состояния, соответствующего локальному минимуъlу, Олок 3 Отысlсания локалы!ОГО максимума, олок 4 вывода системы из состояния, 20 соответствующего локальному максимуму, блок памяти 5, исполнительное устройство 6, вакуузшую установку 7, фотометр 8, блок преобразоваш1я 9.

На вход блока 1 подаются исходные значе25 ния параметров покрытия, спектральная характеристика которого не сильно отличается от требуемой. В блоке 1 значения параметров покрытия оптимизируются до достижения ближайшего локального минимума показате30 ля качества, найденные значения параметров

539216

I о

Составите!>ь О. Богомолов

Те»род М. Семенов

Корректор Л. Денискина

Редактор Н, Каменская

Заказ 2756/7

Тираж 864

Подписное

Изд. № 1848

Типо-рафпя., пр. Сапунова, 2 покрытия, соответств lощис .!oiia.>i ьио 3!3 м ииимуму показателя качества, подаются 13 блок

2 и в блок памяти 5, в блоке 2 зиачеи:iяа! Iii!раметров покрытия, соответствую!Цих ближайшему локальному минимуму показателя качества, придаются небольшие прирагцсиия, такие, что показатель качества перестает быть минимальным, после этого измсисииыс зиачеиия параметров поступают в блок 3.

В блоке 3 находятся зиачеиия параметров, соотвстствующие ближайшему локальному максимуму. Эти значения поступают в блок

4, где им придаются небольшие прира)цсиия, такие что показатель качества перестает быть максимальным. Измененные значения параметров поступают в блок 1 и цикл повторяется снова. При этом в блоке памяти удср)киваются значения параметров, соответствующие иаиболсе «глубокому» мшшмуму показателя качества, т. е. наилучшей из проаиализироваииых конструкций покрытия. Работа устройства в этом режиме продолжается до тех пор, пока ие будут пайдеиы параметры покрытия со спектральной характеристикой, 10статочио близкой к требуемой.

После этого зиачсиия параметров из блока памяти 5 поступают иа исполиитсльиое устройство б, в котором определяется рсжii» фотометрирования при нанесении первого слоя покрытия и затем подается команда иа вакуумную установку, После окоичаиия иаиссеиия первого слоя данные с фотометра 8 подаются в блок иреобразовашгя 9, в котором определяются ошибки в показателс преломления и оптической толщине первого слоя. Параметры первого слоя с учетом ошибок поступают в блок 1 и далее происходит корректировка зиачепий оптических толщии остальиы.< слоев с ц с. !ВО ii o 3 ! с l > с и ц и и 0 ш и 0 О и В l i e p B o ii i с л 0 с .

После коррскт.ipîâ и найденные вновь значения параметров подаются иа исполнительное устройство 6. 1(орректировка проводится пос5 ле иаисссиия ка)кдого слоя за исключс!Ц)см послед! сго.

Формул :. изобретения

10 «1 poli«1 Ho;I,.Iß изаlсрсиия х !р<1ктери«тик

Ои гичсских пОкрыт:!и, содержащес iioc. !сдовательио соедииеи) ые блок отыскания локал«IIOГО мии!Iм3 мil, 0 лок пам51т11, испол II 11тельный блок. вакуумиую установку и фото15 метр, первый вход которого сосдииси со вторым входом исполи1гтсл)яюго устройства>, а также блок отыскаи,!я локального мак«i!3!у—

Ма, О ГЛ!! с!аЮUI,СCСЯ ТСМ, ЧIО, С ЦСЛlзlо ио)зышспия точности, 0110 сиабжсш> блоками

20 Вывода системы из состояний, соответствующих лока I«11031ó мин! Iìóaló и локальному

31акс>!м3 му г)оказатс,151 качества. а также б,ioком преоора зов аи1!я, Вход KQTOpol О coeaII ucil 0 вторым выходом фотометра, и его выход с

25 входом блока отыскаиия локальиогс> минимума, второй ьыход послсдисго связа!1; «. Одом блока вывода системы из состояния, соответствующего локальному минимуму, «ыход которого через блок отыскания локаль!Цмо мак30 симума подключен к входу блока вывода из состоя!шя, соотвст«т«ующего локал!я!Ому максимуму, выход ио«лсдиего cu!;1;i;ie:i «!> вторым входом О,ц>ка Отыскания л )кал!и!Ого м II llil мум а.

35 Источник» информации, ирииятыс «о ги!. мание ппи экспертизе

1. I=. Рар!п1, М. Вагап, Revue D 0ptiq>!c, 46, 132, 1967.