Электрофотографический способ формирования изображения

Электрофотографический способ формирования изображения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е (ii) 539292

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик, Соииалнстическик

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.01.74 (21) 1993991 12 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 15.12,76. Бюллетень № 46

Дата опубликования описания 28.12.76 (51) М. Кл.- аG 03G 15 00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 655.1j3:772.93 (088.8) (72) Авторы изобретения

Л. Г. Винокуров, Н. М. Михайлов и П, М. Подвигалкин (71) Заявитель (54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ СПОСОБ

ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ

Изобретение относится к области электрофотографии, а именно к способу формирования изображения на диэлектрике, и может быть использовано в электрофотографических устройствах плоскостного или ротационного типа.

Известны различные электрофотографические способы формирования изображения на диэлектрике, основанные на использовании явления фотопроводимости высокоомных полупроводников.

Наиболее близким к описываемому изобретению по технической сущности является способ формировашгя изображения, заключающийся в том, что на фотополупроводниковый слой, обладающий свойством световой памяти, проецируют оптическое изображение, приводят этот слой в контакт с диэлектрическим слоем, прикладывают постоянное напряжение к проводящим основам фотополупроводника и диэлектрика, отделяют диэлектрик от фотополупроводника и визуализируют скрытое изображение, сформированное на диэлектрике.

При осуществлении данного способа используются высокоомные фотополупроводниковые материалы, такие как селен, окись цинка, селенид мышьяка, сульфид и селенид кадмия и другие. Недостатком способа является невозможность регистрации излучения с длиной волны, превышающей 0,6 — 0,9 мкм.

Для расширения области спектрального диапазона светочувствительностп в сторону длинных волн (ближнюю инфракрасную область спектра) по предложенному способу

5 формирование скрытого изображения на фотополупроводниковом слое осуществляют в два этапа: первоначально производят равномерную засветку фотополупроводннка для возникновения эффекта световой памяти, а затем

1О проецирование оптического изображения излучением, вызывающим гашение световой памяти.

Предлагаемьш способ осуществляют последовательным выполнением следу ощих опера1в ции.

Фотополупроводннковый слой равномерно облучают светом из области собственной полосы поглощения.

20 На фотовозбужденный полупроводниковый слой проецируют оптическое изображение.

Проецп осуществляют излучением, вызывающим гашения состояния фотовозбужденпя (i . — 0,7 — 2 мкм). При этом в фотополу25 проводнике происходит уменьшение электропроводимости в соответствии с количес вом освещения, падающего на слой: в более освещенных участках электропроводпмость уменьшается сильнее, в менее освещенных — слабее.

30 В результате в слое возникает скрытое пзоб539292

С ос1 а в и тель В. К» риенко

"орр - - ор H Aук

1 с;актор H. Коган

Текред M. Семенов

Заказ 2 71,!!о Изд. М 1554 Тирана 575

ЦИИИПИ Государственного 1,омитста Совета Мши1с!Ров СI.СР ио,!елам изобре!ений и огкрыт:ш!!303о, 1Чоскви, 1<-зо, Ратшская иаб.,;!. 4 о

Подписное

ТииогРа((и!и, иР. CB!11 20E33, 2

Ражеlнlе B !3II22 ре ефа няющесся и после прекращения экспо1Г!(зов!!пня. с(зотополуп(зоводн!!конь!Й слоЙ н(знво я р

КО! 1 Ò 2 KT С Д1! Э. С и Т P 1 1 Е С К I! XI С Л О (. 1И И Н Р О Ы ОД гl -, 1 щие основы слоев сосдиия:от с источником !!остояннОГО ианряжсни я. Bc;, и 1! I!! иь1:1ря жсн и!1 устанавлива10: в Iipcgcлах 500--2000 В. Прн

Jосгиженнн иробивиоЙ;12н(зя>кенносгl!

P I I I PC KO I 0 ПОЛЯ Н 2 Г (3 2 Н 1! Il P 1 В 0 3 ДУ И! Н О М 3 2 3 О - j P

PC) Ъ1СЛ<ДУ фОТОГ10ЛУП()ОВОДНИKO! I и ДИЭЗIСКТPНKo11 cKpbIvoe изоор2женнс П2 фотопо!yOponoz1! П 1<в иреобразусTс11 В элс1<тpоста1тllчссl.ос !130бражение на диэлектрике. Далее диэлектричсскиЙ носитель o деляют От фотополупроводни- 15 ка и электростатическое изображение визуализируют.

Данный способ позволяет получать несколько копиЙ Iipi! Однок(эаз ном экспо!!Провании фотополупроводника. Кроме того, он даст воз- 2,1

ыожность ()аснlирнтl Ооласть спект(зальнОГО распределения светочувствитс!!.I!ocTI; в сгороНМ ДЛННН1,1-; ВО„-!Н

Ф О p !! у,! и !!:1 0 б р с т с н 1! тl

Зг!ектрофотогра<1иичсски!! способ формироваги я изображения, заключающийся в стадиях проецирования оптического изображения на фотополунроводниковый слой, приведения фотополупроводникового слоя в контакт с диэлектриком, создания электрического поля на грагищс фo fополупровод!! I !<а с диэлектриком, отделения диэлектрического носителя и визуализации изображения, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона свсточувств1!тсльност1! в стopol!l длинных Волн, фотопо l) I!роводников!>1Й c, IOÉ подвергают предварительно.! засветке излучением, вызь;ва1ощим эффект световой памяти, а проецирование онтичсско10 !зоб важен;1я осу!цествляют излучением, I:ü|çû2;:.кипим гащенис световой памяти.