Способ измерения относительной магнитной проницаемости

Способ измерения относительной магнитной проницаемости

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(и1 540228

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз (osetc xx.

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 24.12.75 (21) 2302820/21 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 25.12.76. Бюллетень № 47

Дата опубликования описания 08.02.77 (51) М. Кл. G 01 33/12

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий (53) УДК 621.317.44 (088.8) (72) Авторы изобретения М. М. Ключников, В. Л. Федоров, В. В. Филиппов и А. С. Петров (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ОТНОСИТЕЛЬНОЙ МАГНИТНОЙ

ПРОНИЦАЕМОСТИ

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к измерению относительной магнитной проницаемости.

Известен способ определения относительной магнитной проницаемости дифференциальным баллистическим методом, основанный на компенсации количеств электричества, индуцированных потоками двух намагничивающих катушек (lg

Однако использование указанного метода в диапазоне высоких частот связано с определенными трудностями: с возникновением паразитных ЭДС и необходимостью учитывать емкости и индуктивности соединительных проводов.

Известен также способ измерения относительной магнитной проницаемости, основанный на измерении датчиком собственного магнитного поля образца, помещенного в переменное магнитное поле (2), Однако указанный способ не обладает достаточной точностью измерений в диапазоне высоких частот.

Цель изобретения — повышение точности измерения на высоких частотах.

Это достигается тем, что в зону действия магнитного поля образца помещают монокристаллическую магнитную пленку, имеющую доменную структуру, пропускают через магнитную пленку поляризованный свет, регистрируют амплитуду переменной составляющей светового потока, вызванную колебаниями доменной структуры с частотой магнитного поля образца, по которой судят о магнитной

5 проницаемости образца.

Способ основан на том, что при действии на датчик переменного магнитного поля, перпендикулярного к плоскости датчика, наблюдается колебание доменной структуры с часто10 той, равной частоте действующего поля, причем граница области датчика, гре прекращается колебание доменной структуры, определяется из соотношения:

/ 1= С, 15 где Н, — коэрцитивность пленки, т. е. площадь этой области пропорциональна значению Нь

20 Пропустив через датчик поляризованное излучение (например, если датчик прозрачен в видимой области) и поместив после анализатора преобразователь светового сигнала в электрический (фотодиод, ФЭУ), частота

25 электрического сигнала, соответствующего переменной составляющей переменного светового потока, будет частотой собственного магнитного поля образца, а амплитуда сигнала будет пропорциональна амплитуде этого по30 ля, т. е. магнитной проницаемости образца, 540228

Формула изобретения

Составитель В. Лякишев

Техред Е Петрова

Корректор Е. Хмелева

Редактор Т. Фадеева

Заказ 2950/9 Изд. № 364 Тираж 1029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ измерения относительной магнитной проницаемости, основанный на измерении датчиком собственного магнитного поля образца, помещенного в переменное магнитное поле, отличающийся тем, что, с целью повышения точности на высоких частотах, в зону действия магнитного поля образца помещают монокристаллическую магнитную пленку, имеющую доменную структуру, пропускают через магнитную пленку поляризованный свет, регистрируют амплитуду переменной составляющей светового потока, вызванную колеба,ниями доменной структуры с частотой магнит,ного поля образца, по которой судят о маг5 нитной проницаемости образца.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Чернышев Е. Т., Чугернна Е. H. Магнит ные измерения, Изд-во Комитета стандартов, 10 1969, стр. 153.

2. Авторское свидетельство СССР № 270875, М. Кл. G 01R 33/16, 01.07.68 (прототип).