Раствор для удаления защитных полимерных масок

Раствор для удаления защитных полимерных масок

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОЛИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

0246

Соиа Советских

Социалистических

Г 1 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 07.05.74 (21) 2021988/04 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 25.12.76. Бюллетень ¹ 47

Дата опубликования описания 11.02.77

2 G ОЗС 1/68

Государственный комктет

Совета Министров СССР по делам кзабретений и открытий

771.531(088.8) (72) Авторы изобретения

В. В. Новиков, А. И. Носков и С. В. Петров (71) Заявитель (54) РАСТВОР ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ЗАШИТНЫХ

ПОЛИМЕРНЫХ МАСОК

Изобретение предназначено для удаления защитных полимерных масок с поверхности кремниевых пластин и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов с применением фоторезистов на основе нафтохинондиазидов и фенол.формальдегидных смол.

Известен раствор, в котором эффективно разрушается пленка фоторезистов, следующего состава (1), вес. %:

Едкое кали 6 — 4

Изопропиловый спирт 32 — 34

Вода 60 — 64

Однако при удалении защитной полимерной маски данный раствор частично стравливает поверхность кремния.

Целью изобретения является раствор, обеспечивающий высокую чистоту поверхности при неизменном ее рельефе.

Эта цель достигается тем, что в водно-щелочной раствор введена перекись водорода при следующем соотношении компонентов, вес. %:

Щелочь (например, едкое кали) 0,4 — 4,0

Перекись водорода 2,0 — 10,0

Вода Остальное

В предлагаемый раствор перекись водорода введена для предотвращения травления щелочью кремния. При этом удается получить более чистую поверхность пластин после снятия фоторезиста.

Пример 1. Процесс фотолитографии проводят на термически окисленных пластинах

5 кремния марки КДБ-10 диаметром 40 мм.

Толщина окисла составляет 0,4 — 0,5 мкм. Для получения защитных полимерных масок используют позитивный фоторезист марки

ФП-383, толщина пленки фоторезиста состав10 ляет 0,8 — 1,2 мкм.

Удаляют защитную полимерную маску путем двукратной в течение 10 — 15 мин обработки пластин в нагретом до 50 — 60 С растворе следующего состава, вес. :

15 Едкое кали 0,4

Перекись водорода 3,8

Вода 95,8

Пластины промывают проточной деионизированной водой (удельное сопротивление во21 ды 12 мОм см) в течение 10 мин и сушат на центрифуге. Плотность кристаллитов $10 на этих пластинах после проведения процесса диффузии сурьмы составляет 1 ° 10 — 2. .10 см — .

Формула изобретения

Раствор для удаления защитных полимер. ных масок с поверхности кремниевых пластин, содержащий воду и щелочь, отлич аю30 шийся тем, что, с целью повышения чисто540246

Составитель А, Мартыненко

Редактор О. Кузнецова Техред Е, Петрова Корректор Л. Орлова

Заказ 3024/16 Изд. № 350 Тираж 575 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ты поверхности при неизменном ее рельефе, он содержит перекись водорода при следующем соотношении компонентов, вес. :

Щелочь 0,4 — 4,0

Перекись водорода 2,0 — 10,0

Вода остальное

Источник информации, принятый во внимание при экспертизе:

1. Лвторское свидетельство СССР № 448253, 5 М. Кл. С 23f 1/00, 08.01.73.