Ргистрирующий материал для записи голограмм
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союз Советских
Социалистических
Республик
О П И С А Н И Е 5405i2
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (б1) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 2010.75 (21) 2185835/25 с присоединением заявки— (23) Приоритет— (43) Опубликовано 25.06.77. Бюллетень ¹ 23 (45) Дата опубликования описания 01.08.77 (51) М.Кл. С 03 Н 1/18
G 03 С 1/72
Государственный комитет
Совета Министров СССР (53) УДЫ, 772;99 (088.8) ло делам изобретений и открытий (72) Авторы изо,б ретен,ия
И. Б. Баркан и Е. В. Пестряков
Институт физики полупроводников
Сибирского отделения AH СССР и Новосибирский государственный университет (71) Заявители (54) РЕГИСТРИРУЮЩИЙ МАТЕРИАЛ
ДЛЯ ЗАПИСИ ГОЛОГРАММ
Изобретение относится к голографии, в частности к средам для записи голограмм, и благодаря своему быстродействию реверсип может быть использовано в оперативных запоминающих устройствах, устройствах ввода —вывода отображения, преобразования, анализа, распознавания и передачи информации, устройствах пространственно-частотной фильтрации, оптоэлектронных корреляторах и других специализированных устройствах.
Известно, что толстые фазовые голограммы могут быть записаны в монокристаллах электрооптических материалов (например, ниобат лития), благодаря дрейфу или диффузии свободных носителей, фотовозбужденных с глубоких ловушек. В течение времени экспозиции в поле с модулированной световой интенсивностью, вызванном, например, интерференцией двух когерентных лучей, свободные носители уходят из областей с большой световой интенсивностью и затем захватываются на ловушки. В результате возникает пространственно распределенный объемный заряд, создающий внутри кристалла неоднородное электрическое поле, модулирующее показатель преломления кристалла, т. е. возникает фазовая голограмма в кристалле.
Записанную голограмму можно стереть нагреванием кристалла до температуры —.150—
j 70 С.
Известен регистрирующий материал для записи голограмм из нпоба;а лития с примесью 0,03 вес. % железа.
Однако сложный процесс стирания голо5 граммы — нагрев монокристалла LiNb03. Fe до T= 150 — 170 С вЂ” в условиях голографических применений нежелателен, а иногда вообще недопустим. Процесс теплового стирания голограммы длится значительное вре10 мя (порядка минут), кроме того, время стирания голограммы увеличивается за счет тепловой инерционности узла нагрева (нагрев до T — 150 С и последующее охлаждение до комнатной температуры) . Следует также !
5 учесть, что монокристаллу ниобата лития опасны большие перепады температуры. Не допускается записи новой голограммы в других областях кристалла в течение времени, необходимого для теплового стирания предыдущей голограммы, поскольку чувствитель ность к голографической записи резко уменьшается с ростом температуры кристалла.
Целью изобретения является получение самостирания при комнатной температуре и расширение записываемого объема среды, чт» позволяет создать скоростное голографическое запоминающее устройство, обеспечивающее возможность одновременной независимой записи и стирания большого числа голограмм
540512
Формула изобретения
„5 ур Жт
Составитель Е. Халатова
Текред В. Рыбакова
Корректор В. Гутман
Редактор Т. Фадеева
Заказ 513/1163 Изд. № 51 Тираж 585 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5
Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» в разных областях одного и того же кристалла р егистр ир ую щей ср еды.
Это достигается тем, что примесь железа составляет 0,3 — 1,0%.
Среда, содержащая монокристалл ниобата лития с концентрацией железа от 0,3 до
1,0 вес. %, обладает свойством самостирания голограммы. Процесс самостирания голограммы подчиняется экспоненциальному закону от времени, т. е. дифракционная эффективность записанной голограммы экспоненциально убывает со временем. Характерное время экспоненты т резко убывает с ростом концентрации железа. Повторная запись голограммы в том же объеме кристалла полностью повторяет амплитудные, временные и пространственные характеристики предыдущей записи.
Например, пятидесятая голограмма, записанная в кристалле, воспроизводит свойства перф
1
Ь, 1
1
b g
Я з вой голограммы. Способность среды к самостиранию, происходящему при комнатной температуре, позволяет независимо производить запись и обработку голографической информации в разных местах кристалла.
На чертеже даны кривые временной зависимости дифракционной эффективности голограмм (в относительных единицах), записываемой в монокристалле нио бата лития примесью 0,3I вес. о железа.
Регистрирующий материал для записи ro15 лограмм из ниобата лития с примесью железа, отличающийся тем, что, с целью получения самостирания при комнатной температуре и расширения записываемого объема, примесь железа составляет 0,3 — 1,0о о.