Невзаимное устройство

Невзаимное устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е (u) 543Q53

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советекиа

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву 362378 (22) Заявлено 01.07.74 (21) 2039218/09 с присоединением заявки Ме (23) Приоритет

Опубликовано 15.01.77. Бюллетень Ме 2

Дата опубликования описания 09.02.77 (51) М. Кл.з Н01 Р 1/32

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 621.372(088.8) па делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Д. А. Усанов и Л. Н. Кабанов

Научно-исследовательский институт механиики и физики при Саратовском ордена Трудового Красного Знамени государственном университете им, H. Г. Чернышевского (54) НЕВЗАИМНОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться в качестве СВЧ-развязки.

По основному авт. св. 362378 известно невзаимное устройство, содержащее отрезок прямоугольного волновода, источник магнитного поля и полупроводниковый образец, поперечное сечение которого выполнено уменьшающимся по линейному закону от основания (1).

Однако известное устройство требует большую,величину индукции магнитного поля, необходимую для получения больших развязок и малых потерь.

С целью уменьшения величины индукции магнитного поля, необходимой для получения больших развязок и малых потерь, в предлагаемом невзаимном устройстве, по крайней мере, па одной из боковых сторон полупроводникового образца у его основания нанесен слой диэлектрика, диэлектрическая проницаемость которого выше диэлектрической проницаемости полупроводникового образца.

На фиг. 1 приведена конструкция невзаимного устройства; на фиг. 2 — сечение по А — А на фиг. 1.

Невзаимное устройство содержит отрезок прямоугольного волновода 1, внутри которого установлен полупроводниковый образец 2, поперечное сечение которого выполнено уменьшающимся по линейному закону от основания, на одной из боковых сторон образца у его основания нанесен слой диэлектрика 3, диэлектрическая проницаемость которого выше диэлектрической проницаемости полупроводникового образца 2, а также источники 4 поперечного магнитного поля.

Невзаимное устройство работает следующим образом.

Полупроводниковый образец 2 изготовлен из материалов, обладающих при комнатной температуре высокой подвижностью и низкой концентрацией носителей заряда, например антимонида индия. Полупроводниковый образец 2 расположен в центре отрезка волновода

1 или несколько смещен в сторону узкой стенки. Магнитное поле направлено перпендикулярно узким стенкам образца волновода 1.

2О При смещении поля обратной волны к основанию полупроводникового образца 2, на прилегающую к основанию часть одной или каждой боковой стороны которого нанесен слой диэлектрика 3 с проницаемостью, выше

25 диэлектрической проницаемости полупроводникового образца 2, энергия волны сильно полощается при относительно малых значениях индукции магнитного поля и прямых потерь.

Сильное поглощение обратной волны объяснязо ется тем, что наличие слоя диэлектрика 3 с

543053

Составитель А. Кузнецов

Техред Е. Петрова

Корректор Л. Денискина

Редактор Т. Янова

Изд. № 114 Тираж 1019 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )l(-35, Раушская наб., д. 4 5

Типография, пр. Сапунова, 2

3 проницаемостью, выше диэлектрической проницаемости полупроводникового образца 2, приводит к увеличению концентрации СВЧполя обратной волны в области полупроводникового образца 2, граничащей с диэлектриком

3 и, следовательно, к увеличению поглощения.

Поле прямой волны смещается к основанию полупроводникового образца 2, свободному от диэлектрика 3, поэтому концентрация СВЧполя прямой волны в полупроводниковом образце 2 меньше, а следовательно, меньше поглощение прямой волны. Дополнительное уменьшение индукции магнитного поля при одновременном увеличении СВЧ-развязки достигается использованием полупроводникового образца 2, поперечное сечение которого уменьшается по линейному закону от основания, и заменой части широкой стенки отрезка волновода 1, к которой прилегает сторона с большей площадью, поглощающим материалом.

Формула изобретения

Невзаимное устройство по авт. св. 362378, отличающееся тем, что, с целью уменьшения величины индукции магнитного поля, необходимой для получения больших развя10 зок и малых потерь, по крайней мере, на одной из боковых сторон полупроводникового образца у его основания нанесен слой диэлектрика, диэлектрическая проницаемость которого выше диэлектрической проницаемо15 сти полупроводникового ооразца.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе изобретения:

1. Авторское свидетельство СССР № 362378, М. Кл. Н 01Р 1/32, 1970 r. (прототип).