Стекло
Иллюстрации
Реферат
I 111 544624
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 30.05.75 (21) 2139463/33 с присоединением заявки № (23) Приоритет
Опубликовано 30.01.77. Бюллетень № 4
Дата опубликования описания 29.03.77 (51) М. Кл.з С ОЗС 3/10
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 666.112.4 (088.8) (72) Авторы изобретения
Б. В. Тарасов, Э. Н. Каплина, Г. И. Артамонова и Т. С. )Кукова
Государственный научно-исследовательский институт стекла (71) Заявитель (54) СТЕКЛО
Изобретение относится к составам легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в качестве изолирующих покрытий в полупроводниковой и радиоэлектронной промышленности.
Известно легкоплавкое стекло на основе
PbO, В Оз, А120з, CdO (1).
Это стекло имеет повышенную склонность к восстановлению свинца до металлического при тепловой обработке, невысокую химическую стойкость и адгезию к электровакуумным стеклам.
Наиболее близким к описываемому изобретению по технической сущности и достигаемому результату является стекло, включающее
PbO, В20з, А1зОз, $10е, ZnO, LlgO, $ПОз (2).
Такое стекло имеет температуру плавления
700 — 800 С, повышенную склонность к кристаллизации и восстановлению свинца при тепловой обработке, не смешивается с фоторезистом, что затрудняет фотолитографию, имеет неудовлетворительную адгезию к электровакуумным стеклам с токопроводящими пленками окиси олова и окиси индия.
Цель изобретения — снизить температуру плавления до 500 С и кристаллизационную способность, а также способность восстановления свинца при тепловой обработке стеклопорошка в процессе формования стеклянной пленки.
Это достигается тем, что в стекло, включающее PbO, В Оз, А1 0з, ZnO, дополнительно введен один компонент из группы CuO, CdO, МНОЙ, К О при следующем соотношении указанных компонентов в вес. % .
PbO б0 — 70
ВзОз 20 — 26
А1 0з 4 — 10
ZnO 2 — 7 по крайней мере, один окисел из группы СИО, CdO, МПО, К О 0,1 — 1.
Стеклопорошок такого состава обеспечивает диэлектрическое покрытие толщиной 30—
15 50 мк при общем светопропускании 40 — 80%.
Покрытие легко травится веществами, не разрушающими токопроводящий слон из окиси индия илп Окиси Олова и подложку 113 электровакуумного стекла. Диэлектрическое покры20 тие обеспечивает получение дискретных элементов заданной формы и глубины. В качестве сырьевых материалов для варки стекла могут использоваться: окись свинца, борная кислота1 фтористый алюминий, OKllcb IIIIHI 2, Окись
25 кадмия, перманганат калия. Сырьевые матсриалы должны быть марки «ч» илп «хч».
Конкретные примеры стекол приведены в табл. 1.
В табл. 2 представлены свойства описывае30 мого состава стекла.
544624
Т аблица 1
Состав стекла
Компоненты сырьевых материалов
69,8
Формула изобретения
25
23
4,5
10 4
5 6
0,5
0,1
0,1
0,5
0,5
60 — 70
20 — 26
4 — 10
2 — 7
PbO
ВгОз
А1гОз
Zn0
Таблица 2
Свойства
Характеристики
900 — 1050 С
90 — 95
480 — 500 С
Температура варки
KTP (20 — 300 С)
Температура плавления
Кристаллизационная способность
Не кристаллизуется в интервале температур
400 — 500 С
Составитель Г. Буровцева
Техрсд E. Петрова
Корректор I. Брахнина
Редактор Г. Кузьмина
Типография, пр. Сапунова, 2
РЬО
ВгОз
А!гОз
ZnO
CdO
СпО
МпОг
К,О
Такое стекло обладает невысокой кристаллизационной способностью и отсутствием почернения пленки (свинец не восстанавливается) в интервале температур 400 †5 С.
Стекло, включающее PbO, В Оз, А1гОз, ZnO, 10 отличающееся тем, что, с целью снижения температуры плавления и кристаллизационной способности, оно дополнительно содержит, по крайней мере, один окисел из группы
КгО, МпОг, CdO, CuO при следующем соот15 ношении ингредиентов (вес. %): по крайней мере, один окисел из группы К>О, МпОг, CdO, СиО 0,1 — 1.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе изобретения:
1. Патент Японии № 49-2168, кл. 2!А29, 1974.
30 2. Авт. св. № 374243, кл. С ОЗС 3/10, 1971 (прототип).
Заказ 775, 5 Изд. № 143 Тира>к 589 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5