Фоторезисторный модулятор

Фоторезисторный модулятор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИCaНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

0» 545064

Союз Советских

Социалисгических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 15.06.73 (21) 1931989/09 (51) М. Кл. Н ОЗС 1/34 с присоединением заявки ¹

Совета Министров СССР ао делам изобретений и открытий

Опубликовано 30.01.77. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания 01.03.77 (53) УДК 621.317 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. Н. Авдеев, Э. Г. Вартазаров, В. А. Долидзе, P. К. Калитчев, В. Д. Мартиросов, И. Л. Филатов и Л. И. Розенштейн (71) Заявитель (54) ФОТОРЕЗИСТОРНЫЙ МОДУЛЯТОР

УдаРстве"ный комитeT (23) Пр ори ст

Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться в приборостроении, например, в измерительных усилителях постоянного тока с высоким входным сопротивлением (10в Ом и более).

Известны фоторезисторные модуляторы, содержащие фоторезистор, узел оптической связи, источник света (1). Однако в известных фоторезисторных модуляторах имеются на выходе паразитные фото-э.д.с., возникающие на границах переходов металл — полупроводник фоторезистора во время его освещения модулирующими импульсами света.

Наиболее близким по техническому решеншо из известных фоторезисторных модуляторов является фоторезисторный модулятор, содержащий источник света, например светодиод, узел оптической связи и фоторезистор, в котором паразитные фото-э.д.с. устраняются применением защиты переходов металл — полупроводник от излучения (2). Однако в известном модуляторе при защите переходов частично закрываются от света участки полупроводникового слоя, примыкающего к переходам металл — полупроводник фоторезистора. Это приводит к тому, что часть полупроводникового слоя во время работы модулятора остается не освещенной и, следовательно, снижается коэффициент передачи модулятора, ухудшается отношение сигнал/шум за счет включающегося последовательно эквивалентного дополнительного активного сопротивления.

Целью изобретения является устранение паразитных фото-э.д.с, возникающих на границах переходов металл — полупроводник фоторезистора. Для этого в предлагаемом фоторезисторном модуляторе узел оптической связи выполнен в виде поворотного металлического

10 фиксируемого цилиндра со встроенным в него светопроводом, выходной торец которого расположен эксцентрично относительно оси цилиндра.

На чертеже приведена схема фоторезистор15 ного модулятора.

Предлагаемый фоторезисторный модулятор содержит источник света (светоднод 1), узел оптической связи, выполненный в виде поворотного металлического фиксируемого ци20 линдра 2 со встроенным в него светопроводом

3, и фоторезистор 4.

Фоторезисторный модулятор работает следующим образом.

Светодиод 1, питающийся импульсами тока, 25 излучает световыс импульсы, которые передаются через светопровод 3 на светочувствительный полупроводниковьш слой фоторезнстора 4. При попадании импульсов света на фоторезистор 4 изменяется его проводимость

30 и, таким образом, происходит модуляция сиг545064

Формула изобретения

Составитель И. Карпухина

Техред А Камышникова Корректор А, Галахова

Редактор T. Ларина

Заказ 217/18 Изд. № 153 Тираж 1054 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

11ала в электр и !сской цени> в которую Вкл10чается фоторезистор 4. Во время освещения фоторезистора 4 импульсами света на обеих

cro границах переходов металл — полупроводник возникают фото-э.д.с., направленные встречно и включенные последовательно друг с другом и сопротивлением полупроводникового слоя фоторезистора 4. В результате этого на концах фоторезистора 4 во время IIuступления на него световых импульсов возни- 10 кает результирующая фото-э. д. с., равная алгебраической сумме двух фото-э.д.с, возникающих на границе переходов металл — полупроводник. Устранение этой фото-э,д.с достигается путем поворота цилиндра 2 со светопро- 15 водом 3. При повороте цилиндра происходит перемещение центра светового пятна по поверхности фоторезистора, что приводит кувеличению освещенности одного из его переходов металл — полупроводник и уменьшению 20 освещенности противоположного перехода.

Ввиду того, что значения фото-э.д.с на границах переходов прямо пропорциональны их освещенностям, соответственно изменяются и значения генерируемых фото-э.д.с на перехо- 25 дах. Поворотом цилиндра 2 достигается равенство абсолютных значений фото-э.д.с на переходах и, как следствие, равенство нулю результирующей паразитной фото-э.д.с на концах фоторезистора 4. 30

Б,чагода()Я том1 что c13oro»poIIo i помещс11 в металлическии цилиндр, имс1ощпй гальваническую связь с корпусом модулятора, уменьшается емкостная связь между светодиодом и фоторезистором, тем самым обеспечивается электрическая развязка цепей возбуждения светодиода от цепей, в которые включается фоторсзистор.

Фоторезисторный модулятор, содержащий источник света, например светодиод, узел оптической связи и фоторезистор, о т л и ч а ющийся тем, что, с целью устранения паразитных фото-э.д. с., возникающих на границах переходов металл — полупроводник фоторезистора, узел оптической связи выполнен в виде поворотного металлического фиксируемого цилиндра со встроенным в него светопроводом, выходной торец которого расположен эксцентрично относительно оси цилиндра.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. калинчук Б. A. и др. Модуляторы малы. сигналов. М., «Энергия», 1972, с. 103.

2. Илюкович Л. М. Измерительные усилители постоянного тока с преобразователями на фотосопротивлениях, «Измерительная техника» № 5, 1967 (прототип).