Способ кристаллообразования в жидкой фазе электролита с применением затравки

Способ кристаллообразования в жидкой фазе электролита с применением затравки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

>545366

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН Ия

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.08.74 (21) 2051598/26 с присоединением заявки— (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.02.77. Бюллетень Л" 5 (45) Дата опубликования описания 19.04.77 (51) М.Кл. В О1 D 9/02

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изооретений и открытий (53) УДК 66.065.52 (088.8) (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Г. А. Переяслова, В. М. Малашевич и В. П. Порубаев

Государственный научно-исследовательский и проектный институт по обогащению руд цветных металлов

«Казмеханобр» (54) СПОСОБ КРИСТАЛЛООБРАЗОВАНИЯ

В ЖИДКОЙ ФАЗЕ ЭЛЕКТРОЛИТА

С ПРИМЕНЕНИЕМ ЗАТРАВКИ

Изобретение относится к области вакуумнспа рительного охлаждения цинковых электролитов на цинковых заводах, где треоуется предотвращение образования плотных отложений на внутренних поверхностях аппаратуры.

Известен способ уменьшения зарастания стенок аппаратуры отложениями за счет локализации процесса кристаллообразования в жидкой, фазе путем введения зернистой затравки (11. Недостатком этого апособа является трудность введения зернистой затравки неттооредственно в жидкую .фазу электролита и неизбежность .при этом введения в электролит посторонней твердой фазы.

Цель изобретения — повышение производительности установки и уменьшение зарастания стенок, что достигается введением в жидкую фазу электролита жидкой затравки.

Способ осуществляют следующим образом.

Часть цин кового электролита, охлажденного на 10 — 12 С ниже температуры жидкой фазы электролита в испарителях, подается в качестве затравки в,диспергированном до

100 — 500 лк жидком состоянии через специальныс устройства в жидкую фазу электролита.

П р им е р. Берется 1000 мл электролита с содержанием примесей, г/.г: 50 Zn; 150 Н:SO...

0,5 Мп; 0,05 Сц; 0,1 Cd; 0,6 Са; имеющий температуру 50 — 52 С.

Электролит заливается в цилиндрический стеклянный сосуд 1500 ял, где подвергаетсч вакуумпрованию. Часть электролита (50 мл) указанного состава предварительно охлаждается,до 40 С и подается в распыленном состоянии во внутрь воздушного пузырька. Параллельно в аналогичный сосуд помещается вторая проба, но жидкая затравка в нее не подается. Оба сосуда .подключаются к единой вакуумной системе, в которой обеспечивается остаточное давление 25 ям.

Время вакуумированпя 1 лип. После вакуумирования в контрольную пробу, в которую не подавалась жидкая затравка, добавляется

50 мл электролита с температурой 40 С.

В результате конечная температура электролита в исследуемой пробе оказывалась на

4 — 5 С ниже, чем в контрольной.

Визуально в пробе с жидкой затравкой .наблюдалось зна-штельное количество плавающих мелкодисперсных кристаллов,,в то время как в контрольной пробе кристаллов было значительно меньше.

В результате увеличивается эффект охлаждения электролита иа 4 — 5 С и уменьшается за врастание степок,пспарителей на з0 50 60",0.

545366

Формула изобретения

Со;тавнтель И. пеиашева

Тскрсд В. Рыбакова

Редактор О, Филиппова

Корректор И. Симкииа

Заказ !2!/300 !1зд. М- !33 Тн рп гк 899

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

Москва, iV,-35, Раушскаи наб., д. 4/5

Т n. Хзрьк. фил. преп. «Г!агент»

Под с. ос

Способ кристаллообразования в жидкой фазе электролита с применением затравки в вакуум-испарительной установке, о т л и ч а ющ ий с я тем, что, с целью повышения производительности установки и уменьшения зарастания стенок, часть электролита предварительно охлаждают на 10 — 12 ниже температуры жидкой фазы электролита и,подают в качестве затравки в диспергированном до

100 — 500 мк жидком состоянии.

5 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

l. Г1атент CILIA ¹ 3399975, 23 †3, 03. 10. б8.