Интегральное устройство для управления распространением электромагнитных потоков

Интегральное устройство для управления распространением электромагнитных потоков

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

вежлива нектентно-те;".: ические®®

e4g н©тбко А

Н И

ОПИС Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советскнх

Соцналнстнческнх

Республик >546!22

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 21.03.74 (21) 2007266/09 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.02.77. Бюллетень № 5 (45) Дата опубликования описания 02.03.77 (51)М.Кл. Н 04 N 5/30

Государственный комитет

-Совета Министров СССР (53) УДК 621.397 (088.8) по делам изобретений н открытий (72) Авторы изобретения

E В. Авдеев, Ю. Н. Вашакидзе и В. А. Поветкин (71) Заявитель (54) ИНТЕГРАЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО

ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ РАСПРОСТРАНЕНИЕМ

ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОТОКОВ

Изобретение относится к радиоэлектронике, может использоваться для создания схем сверхбыстродействующей логики или СВЧдиапазона с произвольным изменением формы, величины и расположения элементов волноводных трактов или элементов геометрической оптики, для электронного сканирования излучаемого СВЧ- или светового потока, а также в самоорганизующихся системах или устройствах функциональной микроэлектроники.

Известно интегральное устройство для управления распространением электромагнитных (световых) потоков при прохождении их через полупроводниковую пластину р-типа, на обеих поверхностях которой сформированы р — n-переходы, поглощающие свойства которых зависят от глубины обедненного слоя и управляются источником напряжения (1).

Одна,ко известное интегральное устройство не может обеспечить формирование трактов для канализации СВЧ-энергии. Кроме того, в нем используется только эффект поглощения энергии потока, что чаще всего нежелательно.

Цель изобретения — формирование системы волноводных трактов или элементов геометрической оптики с произвольной и изменяемой конфигурацией внутри слоя электрооптического материала, обеспечивающих необходимое воздействие на электромагнитные потоки. Для этого используется слой электрооптического материала с нанесенной на одну из его,поверхностей пленкой вещества с обратимым изменением проводимости под действием, например, света. Другая сторона слоя выполнена, проводящей, а на пленку нанесены контактные площадки, к каждой из,которых подключен источник управляющего напряжения.

На чертеже представлены поперечный ра-,рез интегрального устройства для управления распространением электромагнитных:потоков и его вид в плане.

Интегральное устройство содержит слой электрооптического материала 1, на одну из сторон которого нанесена пленка 2, а другая сторона 8 выполнена проводящей; контактные площадки 4, источник управляющего напряжения 5, блок формирования изображения б, проецирующий в плоскости устройства фигуры заданной, конфигурации.

Пленка 2, нанесенная на одну из сторон слоя электрооптического материала 1, .представляет собой вещество, обладающее свойством обратимого изменения проводимости.

На пленку нанесены контактные площадки 4, к каждой из которых подключен источник управляющего напряжения 5.

546122

Работает устройство следующим образом.

Металлизированная сторона 8 слоя l1 и контактные площадки 4 на участках АВ и

EF подключаются к минусу источника управляющего напряжения 5, а на;контактные площадки на участке CD подается некоторое постоянное напряжение, достаточное для изменения диэлектрической:проницаемости (коэффициента преломления) того объема слоя электрооптпческого материала,;который расположен между участком CD пленки и мегаллизированной стороной 3.

Так как удельное сопротивление нагретых (освещенных) потоком Ф участков пленки 2 на несколько порядков меньше сопротивления пснагретых участков, то на пряжение U источника у правляющего напряжения делится на распределенном сопротивлении пленки таким образом, что в некоторых точках G u H оно достигает порогового значения, приводящего к изменению диэлектрической проницаемости слоя электрооптического материала. Таким образом, внутри слоя 1 под локалыю сформированным электрическим полем образуется область, диэлектрическая проницаемость, которой отличается от остальной части слоя, причем границы этой области и ее управляющие свойства определяются конфигурацией поля и могут быть любыми.

Изменение формы освещенной области н управляющего напряжения на контактных площадках позволяет получить «качание» канала по азимуту и тем обеспечивает электронное сканирование излучаемого СВЧ-пото,ка.

В зависимости от вещества пленки, обладающей свойством обратимого изменения проводимости, интегральное устройство прпобретает качественные отличия. Так, например, пленка из двуокиси ванадия при нагревании и последующем охлаждении изменяет проводимость по гистерезисной петле. После

5 необходимого управляющего воздействия на пленку интегральное устройство запоминаег заданную на данном ее участке проводимость, чем и обеспечивает поддержание установленной напряженности поля до изменения

10 температуры внешней среды.

В случае применения пленки из вещества типа «фотосолротивление», распространение электромагнитных (в том числе световых) потоков проявляется с малой инерционностью.

Формула изобретения

Интегральное устройство для управления распространением электромагнитных потоков, 20 содержащее слой электрооптического материала с нанесенной на одну из его сторо пленкой вещества, обладающего свойством обратимого изменения проводимости, блок формирования изображения, проецирующий

25 в:плоскости устройства фигуры заданной конфигурации, источник управляющего напряжения, отл и ч а ю щи и с я тем, что, с целью формирования системы волноводных трактов при изменяемой конфигурации их

З0 внутри слоя электрооптического материала, другая его сторона выполнена проводящей, а на,пленку нанесены контактные площадки, к каждой из,которых подключен источник управляющего напряжения.

Источник информации, принятый во внпмание при экспертизе:

1. Патент СШЛ № 3158746, кл. 250-199, 27.12.60.

546122 (&

Составитель Э. Гилииская

Техред Л. Кочемирова

Корректор В. Гутман

Редактор Б. Федотов

Заказ 82/145 Изд. № 419 Тираж 869 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Я-З5, Раушская наб,, д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патента

1(р1(( ((III ( ( (м (! (iII!II