Запоминающее устройство

Запоминающее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

„,лт - \ г

„ т, .„н т ° "

< п 546936

Ооюз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свпд-ву (22) Заявлено 18.03.71 (21) 1634002/24 (51) М Кл > б 11С 11/42 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР (23) Приоритет

Опубликовано 15.02.77. Бюллетень ¹ 6

Дата опубликования описания 17.03.77 (53) УДК 621.377.622. .25 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

Б. С. Борисов, В. В. Поспелов, Э. И. Адирович, Р. Найманбаев, Н. Ф. Трутнев и Ю. М. Юабов (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в устройствах оптоэлектроники.

Известно запоминающее устройство, состоящее из бистабильного полевого транзистора со структурой металл — диэлектрик, в которой может накапливаться заряд (1).

Известно также запоминающее устройство, содержащее полевой транзистор, имеющий трехслойную структуру изолятор — металл— изолятор (2).

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является запоминающее устройство, содержащее МДП транзистор с поляризующимся диэлектриком и источник управляющих импульсов напряжения (3).

Недостатком перечисленных устройств является невозможность записи и стирание информации оптическими сигналами.

С целью расширения функциональных возможностей в предлагаемом устройстве источник управляющих импульсов выполнен в виде двух АФН пленок (пленок с аномально большими фотонапряжениями), одни электроды которых подключены к затвору МДП транзистора, другие соединены с истоком МДП транзистора, сток которого подключен к шине сч и ты в ан ия.

На чертеже показано предлагаемое запоминающее устройство.

Устройство состоит из МДП транзистора 1 с поляризующимся диэлектриком, например

Si N илп SiO — SiqN<, в цепь затвора которого включены две АФН пленки 2 и 3 так, что фотонапряжен,е одной пз них подается па управляющий электрод положительной полярностью, а другой — отрицательной полярностью. Сток МДП транзистора подключен к шине 4 считывания, исток — к шине 5 источ10 ника питающего напряжения.

При освещении одной из пленок происходит запись пнформапип, прп освещении другой— стирание. Так как сопротивление поляризующегося д электрика на несколько порядков

15 выше сопротивления АФН пленок, все генерируемое пленками напряжение прикладывается к поляризующемуся диэлектрику и обеспечивает запись и стирание.

Налпчи в качестве источника управляю20 щпх импульсов АФН пленок позволит исключить источники высокого напряжения, снизить вес п габарпты аппаратуры, обеспечить полную электрическую развязку между цепями управления и считывания и расширить функ25 цпональные возможности запоминающего устройства.

Формула изобретения

Запоминающее устройство, содержащее

30 МДП транзистор с поляризующимся диэлект546936

Составитель р. Яворовская

Текред Е. Жаворонкова

Корректор О. Ч юрина

Редактор Н. Каменская

Заказ 330/16 Изд. Ма 187 Тираж 769 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4 5

Типография, пр. Сапунова, 2 риком и источник управляющих импульсов напряжения, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, источник управляющих импульсов выполнен в виде двух АФН пленок (пленок с аномально большими фотонапряжениями), одни электроды которых подключены к затвору МДП транзистора, другие соединены с ис4 током МДП транзистора, сток которого подключен к шине считывания.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

5 1. Патент США Хо 3549911, кл. 307 — 270, 1970.

2. Патент США № 3500142, кл. 317 — 235, 1970 .

3. Pros IEEE 58 № 8 р 1207 (прототип),