Способ получения халькогенидных стекол

Способ получения халькогенидных стекол

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О Il И С А Н И Е ««» 55035I

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

0сюз Говетских.

СоциалистнческиХ

Реснублик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 26.07.74 (21) 2047095/33 (51) М. Кл. С ОЗС 3/12 с присоединением заявки № 204709i6/33

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и отнрытий (23) Приоритет

Опубликовано 15.03.77. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 28.04.77

{53) УДК 666,113,32 (088.8) (72) Авторы изобретения

H. В. Тимофеева, Е. М. Фекличев, В. Е. Свинтицких, В. Н. Аполлонов, Я. А. Калашников, Г. 3. Виноградова и С. А. Дембовский

Московский ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. М. В. Ломоносова (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ

Изобретение относится к способу получения халькогенидных стекол, которые могут найти применение в электронной технике, голографии.

Известен способ получения халькогенндных стекол путем синтеза в эвакуированных кварцевых ампулах с вибрационным перемешиваннем для лучшей гомогенизацин расплава (1).

Недостатком способа является пропускание кислорода кварцевой ампулой при высоких температурах, продолжительность синтеза.

Наиболее близким решением является способ получения халькогенидных стекол, включающий двухстадийный синтез в кварцевых ампулах при температуре выше 200 С и последующую закалку путем быстрого извлечения ампул из печи на воздух (2).

Недостатком этого способа является продолжительность синтеза.

Цель изобретения — сокращение времени синтеза до 1 — 5 мин. Достигается цель проведением синтеза и закалки стекол при давлениях 30 — 90 кбар.

Сущность изобретения поясняется примерамн получения стекол в системе As — S.

Пример 1. Кристаллический АззБз (с содержанием мышьяка 40 ат.%) в виде порошка запрессовывается в графитовый нагреватель, который затем помещается в камеру высокого давления. После создания в камере давления 40 кбар производится постепенный нагрев до 400 С в течение 1 мнн. Затем быстро снижается температура (за 3 — 4 сек) н сни5 мается давление.

Полученный продукт после извлечения из контейнера исследуют различными методами: дифференциально-термическим, рентгенофазовым и микроскопическим в электронном н оп10 тическом микроскопах.

Стекла, полученные таким способом, обладают свойствами, характерными для стеклообразного состояния (отсутствие линий HB рентгенограммах, изотропность в отраженном

15 свете, гомогенность при электронно-микроскопическом исследовании, эффекты кристаллизации на термограммах).

П р и м ер 2. Смесь, содержащую 60 ат.% мышьяка и 40 ат.% серы в виде порошка, по20 мещают в камеру высокого давления в графитовом нагревателе. В камере создают давление 30 кбар и поднимают температуру до

500 С в течение 1 мин. Затем быстро (в течение 3 сек) снижают температуру до комнат25 ной н снимают давление.

Полученный продукт имеет раковистый излом, стеклянный блеск, изотропен под микроскопом, на термограмме имеЕт экзоэффект кристаллизации, рентгеноаморфен. Все это

550351

Составитель Г. Булгакова

Техред И. Карандашова Корректор А. Степанова

Редактор Э. Шибаева

Заказ 696/5 Изд. № 297 Тираж 589 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 415

Типография, пр. Сапунова, 2 свидетельствует о его стеклообразном состоянии.

Таким способом получают новые стекла в системе As — S с содержанием мышьяка от

45 до 70 ат.%, в системе As — Se от 60 до

70 ат.%.

Формула изобретения

Способ получения халькогенидных стекол путем синтеза из кристаллических исходных соединений или смесей компонентов прп температуре свыше 200"С и последующей закалки, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени синтеза до 1 — 5 мин., синтез и закалку ведут при давлениях 30—

5 90 кбар.

Источники информации, принятые во вни мание экспертизой:

1. Королев Б. И. Основы вакуумной техни ки. М.— Л., Энергия, 1964, с. 194.

10 2. Борисова 3. У. Химия стеклообразных полупроводников, Л., 1972, с. 6.