Матрица памяти
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Соки Советских
Социалистических
Ресоублик (1t) 55169 3
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (г" 1) Дополните.lhHoc к лвт. свнд-ву (22) 3аяпле: 20Я6.75 (211 2147555/24 с присоединен, ч заявки № = (23) Приоритет (43) Опубликовано 2-.()З 77. Бюллетень № 11 (45) Дата опубликования описания15 ОГ 77 (51) М. К,.
G I1 С 5/02
G I 1 С 11/14 да
Государственный комитет (53) УЛК
681.327.66 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) АНТор изобретения
О. В. Кириллов (71) Зал вител ь (54) МАТРИЦА ПАМЯТИ
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной инфор мании.
Оши иэ известных матриц памяти содержит стержни цилипдирческих магнитных пленок (ЦМП) и пакеты числовых обмоток со сквозными каналами для размещения указанных стержней. Недостатко.-. матрицы является низкий уровень выходных
<игналов, Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является матрица памяти, которая содержит, как и предложенная, в каждом разряде по два стержня ЦМП, пакеты числовых обмоток со сквозными каналами для размещения указанных стержней и выходные контактные колодки разрядных цепей матрицы.
Недостатком этой матрицы является значительное расстояние между стержнями пары цилиндрических пленок одного разряда, что приводит к повышенным значениям разрядной индуктив ности и взанмоиндукиии межпу сосечними разрядными цепями, а также служит источником части дифференциальных помех от числовых обмоток и их монтажных цепей.
Миниатюризация подобных матриц встречает больше затруднения в связи с удвоенным количеством каналов в каждом пакете числовых обмоток и сложностью создания разрядных контактных колодок матриц при весьма малом шаге расположения каналов. Смена цилиндрических пленок в процессе изготовления и ремонта матриц связана со значительными технологичесьжмк трудностями.
Целью изобретения является упрощение матри1р цы памяти на ЦМП и снижение индуктивности разрядных цепей.
Поставленная цель достигается тем, что в матрице памяти, содержащей в каждом разряде по два стержня цилиндрических магнитных пленок, паке1б ты числовых обмоток ..о сквозными каналами для размещения указанных стержней и выходные контактные колодки разрядных цепей матрицы, в каждом канале пакета числовых обмоток размещено по два стержня цилиндрических магнитных плере нок с замкнутыми между собой концами на одной стороне и коленчатыми изгибами на другой стороне, лепестки выходных контактных колодок расположены в промежутках между входными отверстиямй указанных каналов, против которых между контактами выполнены сквозные проемы.
На чертеже изображена предлагаемая матрица памяти.
Матрица памяти содержит пакеты! числовых обмоток с каналами 2, которые обхвачены этими числовыми облтотками. В каждый канал помещается по два стержня 3 цилицдрнческих магнигных пленок с обычныч изоляционным покрытие..1. у
КОТОРЫХ КОНЦЫ С ОДНой СТОРОНЫ ЗаМКНУть1 МсжДУ собой пайкой 4, а вторые концы .изогнутъ1 для прилегания к лепесткам 5 контактной колодки 6 или для последовательного соединения пайками 7 с парами противолежащих стержней разных пакетов одной матрицы. Контактные лепестки 5 расположены в промежутках между выходными отверстиями соседних каналов 2. Напротив этих отверстий в контактной колодке 6 имеются сквозные проемы 8 лля установки илн извлечения через них стержней 3.
Замкнутые концы 4 каждой лары стержней находятся в свободном незакрепленном состоянии н имеют возможность беспрснятсгвенно перемещаться при температупном расц1иренин стержней, что исключает обычнсе сужение диапазона рабо 1их температур матрицы из- за магнитострикционности цилиндрических магнитных пленок.
Пары стержнен одноимегпп,lx разрядов соседних матриц соединяются последовательно. лри этом число перехо.шъ1х контактов меньше, чем лля известнъгх матриц.
На серийной матрице памяти с одним пересечением числовых обмоток на бит хранимой информации был испытан предложенный прин1цнп носгроення матрицы. 1lроба показана, что переход
Ila работу с .ц1умн пересечениями на C)HI оказалсн возможным без увеличения габаритов магрн1ы нли снижения ее емкости памяти. Такой переход, включая изменение конструкции контактной колодки. дает увеличение (почти в;все} амцлитугвн выходных сип1алов, сннже1гие нндуктивнасти 11азрялнь1х цепей более чем в два раза, ул1снъ1ценнс помех ol числовых ток ns, возрастание и ро цен та годньl X цр стержней после установки 5 матрицу, нозлн1жность быстрой замены стержней без разборки матрицы и упроше1п1е последней.
Формула изобрстения
Матрица памяти, солержашал в каж1ц1л1 разря. де по два стержня цилиндрических магнитных пленок, пакеты числовых обмоток со сквозными кана. лами для разме1цення указанных стержней и III Ivnnные контактцыс кодо:гкн разряд1п1х цепей матрн. цы, о т л и ч а ю ш а я с я тем. 1то. с целью у прогнения матрицы и снижения индуктивпостн разряпных цепей, в каждолт канале пакета числовых обмоток размсшено по два стержня цилиндрических магнитных пленок с замкнутыми между собой KAIIIIBMH на одной стороне и колен IBIIIMII .изгибами на другон стороне, лепестки выхол1п1х I (IIITBITIII Ix колодок расположены в промежутках л1ежлу входными отдо верстиями указаииь1х каналов. против которых между контактами выполнены скнозные проемы.
Составитель Ю. Розенталь
Техрел О. Луговая
Редактор О. Стеннна
Корректор И. Гоксмч
Заказ 130/28
Филиал HAll "Патент", г. Ужгород. ул. Проектная, 4
Тираж тб2 Подписное
1lHHHAH ocynapcTscworo комитета Совета Министров С(СР по делам изобретений н открытий
113035. Москва, Ж-35. Раушскан наб. ° д. 4/5