Оптрон

Оптрон

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистииеских

Республик

Оп ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и) 551730 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 11.06.73 (21) 1931377/25 с присоединением заявки № — 2172902/25 (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.03.77. Бюллетень № 11 (45) Дата опубликования опнсания12.05.77 (51) М. Кл о H01L31/12

Государственный комитет

Соввта Министров СССР по делам изооретений и открытий (53) УДК 621.382 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. И. Осинский и Н. К. Коспокевнч (71) Заявитель

Институт электроники АН Белорусской ССР (54) ОПТРОН

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в качестве элемента вычислительной техники, автоматики и в интегральных монолитных оптоэлектронных схемах с р-ипереходами. 5

Известны полупроводниковые оптроны, в которых применены дискретные элементы: излучающие диоды, оптические передающие среды и фотоприемники (1).

Однако такие конструкции не позволяют созда- 1ð вать его в виде планарного элемента интегральных схем в едином технологическом цикле.

Известен также оптрон, содержащий светодиод с выходящим на боковую поверхность р g- переходом, через оптически передающую среду, связанный 15 с окружающим его фотоприемником,р-тт. переход которого выходит на ту же поверхность (21.

Однако такая конструкция несовместима с элементами монолитных интегральных схем.

Цель изобретения — увеличение коэффициента 2р передачи и получение конструкции, совместимой с элементами полупроводниковых монолитных интегральных схем.

Эта цель достигается тем, что р-В-переходы светодиода и фотоприемника выполнены одновре- об менно выходящими на поверхность, перпендикулярную к боковой поверхности светодиода.

На фиг.1 схематически изображен общий вид планарной структуры оптрона, разрез; на фиг. 2— разрез А-А на фиг.1; на фиг.3 — вид сптрона сверху.

Оптрон содержит р-й-переход 1 светодиода, передающую среду из двуокиси кремния 2 и р-нпереход 3 фотоприемника. При изготовлении оптрона в пластине кремния 4 т1-типа толщиной

200-300 мк вытравливают сквозные отверстия 5 диаметром 200-300 мк. По известной планарной технологии формируется р и-переход 3 фотоприемника методом диффузии примесей р-типа. Окислением создается слой двуокиси кремния 2 толщиной

0,1-0,2 мк, осуществляющий электрическую развязку светодиода и фотоприемника. Окисленные сквозные отверстия апитаксиально заращиваются полупроводниковым материалом 6 светодиода, например арсенидом галлия п.-типа, по одному из известных способов. Затем создаются р-ц-переход 1 светодиода и омические контакты 7 и 8 фотоприемника и светодиода по известной технологии напылением золота и никеля; р-@-переходы оптрона в плоскости А-А выполнены в виде концентрическвх

55 окружностей (см.фиг. 2). Взаимное разположение планарных омических контактов и электрических выводов изображено на фиг. 3. Все элементы оптрона .расположены в теле полупроводппсовой подложки в тонком приповерхностном слое, в котором могут располагаться другие элементы интегральных схем, например транзисторы, резисторы, диоды. Так как все элементы конструкции расположены с одной стороны подложки и вм электрические контакты расположены в одной плоскости, оптрон изготовляется по планарной те»вологин в едином цикле с другими элементами монолитных интегральных схем.

Формула изобретения

Оптрон, содержащий световод с выходящим на боковую поверхность р-й-переходом через опти1730 чески передающую среду, связанный с окружающим его фотоприемником, р-ппереход которого выходит на ту же поверхность, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента передачи и получения конструкции, совместимой с эле-. ментами монолитных интегральных схем, р и-переходы светодиода и фотоприемника выполнены одновременно выходящими на поверхность, перпендикулярную к боковой поверхности светодиода.

l0

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Дж. Менименс, "Электроника", 1965, т. 38, N 15, с. 3.

1 2. Патент Великобритании Р 1251382, кл.Н 1 К, 1971 (прототип).

551730

Составитель Ю. Мухортов

Техред М. Ликович

Редактор Т. Иванова

Корректор А. Алатырев

Заказ 131/29

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4

Тираж 1002 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5