Стекло

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

« »

„юч;.t-гтис

О П И " ч Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

0 1 5 523 П

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 30.12.74 (21) 2101963/33 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет

Опубликовано 30.03,77. Бюллетень № 12

Дата опубликования описания 03.05.77 (51) М. Кл е С ОЗС 3/12

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 666.117.9:

537 226(088 8) (72) Авторы изобретения А. К, Яхкиид, В. А. Харьюзов, А. М. Тютиков, Н. В. Овчаренко и Г. А. Чебан (71) Заявитель (54) СТЕКЛО

Изобретение относится к области производства стекла, а именно к стеклам, имеющим полупроводниковый характер электропроводности, сочетающийся с наличием вторичной электронной эмиссии, и может быть применено в электронной и радиоаппаратуре, в частности в электронных умножителях с непрерывными эмиттерами, например в микроканальных усилителях яркости изображения.

Известно стекло, включающее Те02, Ч Оз, СиО, СеОз, Nb>O, %0з (1).

Недостатком известного стекла являются: низкие значения вязкости в интервале температур размягчения и высокие значения коэффициента термического расширения, что делает невозможным вытягивание из расплава стекловолокна, состоящего из полупроводникового стекла-оболочки и растворимого стекла-сердцевины, вследствие более высокой вязкости растворимого стекла.

С целью повышения вязкости и снижения коэффициента термического расширения стекла предлагаемое стекло дополнительно содержит SrO и один окисел из группы ВаО, Ge02, В20з, ТазОз при следующем соотношении компонентов, вес. %: Те02 48 — 58; 1 зОз 17 — 28;

СиО 3 — 11; СеО2 б — 8; ХЬзОз 3 — 7; WO3 б — 10;

SrO 1 — 4 и один окисел нз группы: ВаО, Ge02, ВзОз, Та Оз — 1 — 6.

Составы, электрические и эмиссионные свойства предлатаемых стекол приведены в табл. 1.

В табл. 2 приведены значения вязкости стекла в интервале температур размя гчення и ко5 эффициентов термического расширения, обеспечивающие совместимость полупроводникового стекла оболочки с растворимым стекломсердцевиной.

Стекло обладает достаточно высокой хими10 ческой устойчивостью: потери в весе при действии воды с температурой 80 С за 6 час составляют 0,1 мг/см2, а также достаточно низкой кристаллизационной способностью, делающей стекло пригодным для промышленного

15 производства. Варка стекла производится в кварцевых тиглях при температурах 750—

850 С с использованием известного производственного оборудования.

Сочетание указанных свойств позволяет вы20 тягивать стекловолокно, состоящее из полупроводникового стекла-оболочки и растворимого стекла сердцевины, которое после дальнейшего спекания, перетяжки н выщелачивания сердцевины водою может быть получено

25 в виде микроканальных пластин с диаметрами каналов до 20 мкм при малых отклонениях диаметров отдельных капилляров между собой и по толщине пластины, что позволяет повысить разрешающую способность микрока30 нальной пластины.

552311

Таблица 1

Удельное электрическое сопротивление при

20 С

Состав, вес. 0, Номер п/п окисел из группы

ВаО, GeO,, В,О„Т а20.1/205

ЫЬ,.О

ТеО, СнО

SrO

СеО, 5,5 ТааО;

3,1

9,7

3,4 GeO

2,8 ВаО

1,9 GeO, 1,9 В,Оз

Таблица 2

Значения температур, С, прн логарифмах вязкости

Коэффициент термического расширения, град

Стекло

8 7

11 10

13

167 10

374 388

378 393

336 348

361

309 322

405

424

Полупроводниковое

334 349

364

160 10

421

449

305 319

Растворимое

СиО

СеОз

Nb2O5 О3

SrO и один окисел из группы:

Та20з — 1 — 6.

3 — 11

6 — 8

3 — 7

6 — 10

4 — 1

В а О, GeO, ВзОз, Формула изобретения

Стекло, включающее ТеОз, Ъ 20з, СиО, СеОз, КЬзОз, WO3, отличающееся тем, что, с целью повышения вязкости и снижения коэффициента термическото расширения, оно дополнительно содержит SrO и один окисел из группы: ВаО, Ge02, ВзО„ТазОз, при следующем соотношении компонентов, вес. %.

Те02 48 — 58

V2Оа 17 — 28

Источники информации, мание.при экспертизе:

1. Авт. св. Мя 456509, кл. принятые во вниС ОЗС 3/12, 1973.

Составитель Л. Петрова

Корректор Н. Аук

Техред A. Овчинникова

Редактор И. Астафьева

Заказ 768/13 Изд. 1 ч" 342 Тираж 689 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 5К-З5, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

2

4

5 б

8

56,6

54,3

54,3

54,8

48,1

54,0

51,4

54,1

58,0

17,8

19,2

21,0

19,4

27,1

18,7

17,0

19,1

20,5

9,7

3,6

10,2

4,6

4,6

4,7

З,б

3,6

7,4

7,2

6,9

7,6

7,0

7,0

7,1

6,9

6,9

7,4

3,3

3,2

3,5

3,2

3,2

3,3

6,4

6,3

3,4

7,0

7,0

7,1

9,7

6,9

1,2

3,0

3,2

3,1

3,1

3,3

5,0 10

5,0 10>

1,2 10

1,4 10

1,9.10а

4,0.10

5,0.108

6,3 10

2,0.10з

Максимальный коэффициент вто. ричной электронной эмиссии

29

3;0

3,0

3,2

3,1

3,4

3,0

3,1

3,2