Способ контроля процесса выращивания монокристаллов из расплава

Способ контроля процесса выращивания монокристаллов из расплава

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

ОЛ ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

<>552750

Социалистических

Ресиублик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 14;06.74 (21) 2034407/26 с присоединением заявки— (23) Приоритет— (43) Опубликовано 30.03.82. Бюллетень№12 (45) Дата опубликования описания 30.03.82 (51) М. Кл С 30 В 15/24

G 05 D 27/(K!

Государственный комитет

СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 66.01 2-М (088.8) (72) Авторы изобретения

Х. С. Багдасаров и Л. В. Приходько

Ордена Трудового Красного Знамени институт кристаллографии им. А. В, Шубникова (71) Заявитель (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ

МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА

Изобретение относится к области производства монокристаллов и может быть использовано преимущественно при выращивании высокотемпературных монокристаллов из расплава методом направленной кристаллизации.

Известен способ контроля процесса выращивания монокристаллов из расплава методом направленной кристаллизации путем использования зависимости гндродинамического сопротивления колебательному движению твердого тела в расплаве от расстояния между телом и границей раздела кристалл — расплав (1).

Однако способ трудно осуществить при методе направленной кристаллизации.

С целью непрерывного контролирования положения границы раздела кристалл — расплав, твердое тело помещают в расплав, сообщают ему колебательное движение, контролируют положение границы раздела кристалл — расплав путем

oapegеления положения тела и измерения одного из параметров, характеризующего

его колебания, например его .амплитуду, и 25 зависяшего от расстояния между телом и границей.

На фиг. 1 схематически представлено устройство для осуществления предлагаемого контроля; на фиг. 2 — приведены калибровочные зависимости амплитуды колебаний диска от расстояния между диском и .границей в различных жидкостяхи расплавах.

Для определения положения границы 1 раздела фаз в расплав, находящийся в контейнере 2, помещают твердое тело 3 (диск диаметром 12 мм и толщиной 1 мм), ориентированное параллельно поверхности границы.

С помощью жесткого стержня 4 диск соединяется с остальными элементами устройства: индукционным датчиком 5 амплитуды колебаний, датчиком 6 положения диска, магнитоэлектрическим датчиком

7 для возбуждения колебаний, упругим элементом 8.

Диск 3 под действием индукционного датчика 5 совершает вынужденные линейные колебания в направлении, перпендикулярном поверхности контролируемой границы.

Затем определяют положение границы

I раздела фаз путем определения положения диска 3 н измерения величины од. ного из параметров, характеризующих его колебания и зависящих от расстояния между телом и границей раздела фаз (например, измерения амплитуды колебаний датчиком 6). При этом измеряемый пара3 метр колебаний тела, связан с величиной расстояния между телом и границей раздела фаз калибровочной зависимостью, полученной предварительно для данного расплава и данного тела.

На фиг. 2 кривые изображают полученные зависимости амплитуды колебаний диска от расстояния между диском и границей в различных жидкостях и расплавах.

Кривая 9 — инородная граница (металл, стекло, керамика) в воде при 20 С, кривая 10 — та же граница в глицерине при 20 .С, кривая 11 — граница поликристалл — расплав тимола, кривая 12— граница монокристалл — расплав иттрий алюминиевого граната (температура плавления 1970 С).

Формула изобретения

552750 дом направленной кристаллизации путем использования зависимости гидродинамического сопротивления колебательному движению твердого тела в расплаве от рас5 стояния между телом и границей раздела кристалл — расплав, отличающийся тем, что, с целью непрерывного контролирования положения границы раздела кристалл — расплав, твердое тело помещают

10 в расплав, сообщают ему колебательное движение, контролируют положение границы раздела кристалл — расплав путем определения положения тела и измерения одного из параметров, характеризующего

lS его колебания, например его амплитуду,и зависящего от расстояния между телом и границей.

Источкик информации, аринятый во

20 внимание при экспертизе:

1. Способ контроля процесса выращивания монокристаллов из расплава мето1. Авторское свидетельство СССР № 272286, кл. В Ol 3 17/18, 1968.

552750 ф Х

0лсп вянце, мм

47йж 2

Корректор И. Осиновскаа

Техред И. Пенчко

Редактор Е. Месропова

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

Заказ 257/167 Изд, № 120 Тираж 373 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, Щ-35, Раушская наб., д. 4/5