Способ кристаллизации растворов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДИТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (11) 553290 (61) Дополнительное к авт, свид-вуМ 401377 (22) Заявлено 24.03.75 (21) 2117071/13 (51) М. Кл.е
С 13 F 1/02 с присоединением заявки №(23) Приоритет(43) Опубликовано05.04.77.Бюллетень № 13 (4б) Дата опубликования оцисания16.07.77
Государстеенне|й йоннтет
Совета Мнннстров СССР оо делам нэобретеннй и открытей (53) УДК 664,1.054 (088,8) В. О. Штангеев, И, С. Гулый, В. Я, Борисенко, И, Г. Бажал и Л, И, Требии (72) Авторы изобретения
Киевский технологический институт пищевой промышленности и институт коллоидной химии и химии воды АН Украинской ССР
Ф (71) Заявители (54) СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ РАСТВОРОВ
Изобретение относится к сахарной, пищевой и химической промышленности и может быть применено для кристаллизации веществ пои кипении. t . По основному ввт.св. Ме 401 37 7 известен способ кристаллизации растворов, предусматривающий охлаждение. и нагрев раствора при кристаллизации, что способствует более интенсивному прохождению процесса. Это дос-титается тем, что охлаждение и нагрев про 10 водят многократно с определенной частотой и амплитудой постоянной во времени. Приемы охлаждении и нагревания криствллиэующейся утфельной массы проводят многокрарно путем изменения величины теплового по- l5 тока по заданному закону колебаний давления вторичного пара в вакуум-аппарате периодического или непрерывного действия.
Недостатком известного способа являет ся то, что частота и амплитуда не может 20 быть постоянна в процессе варки и кристаллизации утфеля в вакуум-аппарате. Эти величины .должны изменяться таким образом, чтобы интенсивность укрупнения кристаллов за счет рекристаллиэации была бы макси- . 25 мальной..Интенсивность рекристаллизации возрастает с увеличением амплитуды и частоты колебания температуры (давления) и концентрации межкристального раствора с увеличением дисперсности кристаллов, с повышением температуры, с уменьшением содержания твердой фазы, в утфеле, в падает с увеличением количества утфеля в аппарате, так квк увеличивается высота кипяшего слоя, что приводит к уменьшению частоты колебания температуры и концентрации межкристального раствора.
Целью изобретения является интенсификация процесса варки и кристаллизации утф лей для получения максимального аффекта укрупнения кристаллов и оптимизация тепломассообмена.
Поставленная цель достигается тем, что измеряют содержание твердой фазы в растворе и в зависимости от измеренной величины корректируют измерение давления вторичного пара в вакуум-аппарате, при атом частоту колебания давления вторичного пара устанавливают равной 6-7 час для перво.( го продукта и 3-4 час для последнего про553290
4, дукта в момент эаводки кристаллов и 0 час в конце варки, а амплитуду - от 0 вта в момент заводхи кристаллов до 0,05 атвдля первого продукта и 0,075 ата для последнего продукта в хонце варки. 5
Начало процесса варки характеризуется высокой дисперсностью кристаллов, неиысо ким уровнем киияшего утфеля и малым содержанием твердой фазы, то процесс ре««
-кристаллизации проходит довольно интенсивно., 10
Высокая амплитуда колебания в этот момент непригодна, что может привести к полному растворению кристаллов. Следовательно, в этот момент времени частота колебаний должна иметь максимальное значение., д
Ф
По мере прохождения процесса уварива ния в вакуум-аппарате амплитуда колебаний возрастает при ItoAAepKBttHtt на мвхсимально возможном уровне частоты холебаний.
В процессе варки в зависимости от содержания твердой фазы, так как этот фак тор наиболее полно характеризует тепломассообменные процессы, происходяшие в вв куумаппарате, корректируют изменение дав» ленин вторичного пара в вакуум-аппарате, при этом частоту колебания давления вто» ричного лара устанавливают равной от 6-7
«г -1 час для первого продукта и 3-4 час для последнего продукта в момент эаводкн кристаллов и 0 час в хонце варки, а ампли туду - от 0 ата в момент заводки кристал лов до 0,05 ата для первого продукта и
0,075 ата для последнего продукта в кон» це варки, а также позволяет составить прог-55 рамму колебаний, независимую от времени процесса, т.е, не прерывая в любой точ» ке колебательного процесса нэ-эа эксплуатационных .условий работы. 40
Увеличение амплитуды (.А ) и уменьше ние частоты (ч ) колебаний в зависимости от продуктов производится по следую шим зависимостям:
Йля первого продукта А =3Kp
Ь,-бакр
Йля последнего продукта А СКр
Ч., -г р о» е
ttte 4 - максимальная частота колебаний
1 для первого продукта, 55
Я - максимальная частота колебвМ ний для последнего продукта, Кр- содержание твердой фазы.
Коэффициенты:
В-=0,16 - 2,0
С=010-25
Показатели степени:
11 = 02 09
1п» 0,2 - 0,9
Обший вид такой программы колебаний представлен на фиг, 1.
На фиг. 2 изображена схема, поясняю
matt предложенный способ.
Реализации программы колебания производится автоматическим колебательным хонтуром, состоящим иэ датчика 1 вбсолкисного давления в вакуум-аппарате, пропорци онально»интeгрального регулятора 2, воэдействуюшего на регулирую1пий орган 3. Ко лебания давления задаются эадатчиком, состояшим из привода 4 программы, получаю» шаго хоррекцию от датчика 5 содержания твердой фазы, фотосчитываюшего устройства
6 и пневмопреобраэователя 7, преобразукм
mего перемешение фотосчитываюшего устройства в стандартный пневматический сигнал, который поступает в регулятор в качестве задачи (прогрвммы).
При достижении заданного содержания твердой фазы в аппарате происходит прекрашение колебаний и абсолютное давление в аппарате будет средним по отношению к махсимальным точхам при его колебании. Вато время производится спуск аппарата.
Формула изобретения
Способ кристаллизации растворов по ввт.св.
Nt 401377, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью получения максимального аффекта ухрупнения кристаллов и оптимизации тепломассообменного. процесса, измеря» ют содержание твердой фазы в растворе и и. зависимости от измеренной величины корректируют изменение давления вторичного пара в вакуум-аипарате, прн этом частоту коле банни давления вторичного пара устанавли-1 веют равной от 6-7 час для первого продукта и 3-4 час для последнего продукта в момент эаводки кристаллов и О час в конце варки, а амплитуду от О ата в момент заводки кристаллов до 0,05 ата для первого продукта и 0,075 ата для последнего продукта в конце варки.
553290
A, amu
Составитель Г. Богачева
Техред О. Луговая Корректор Н. Золотовская
Редактор В. Смирягина
Филиал ППП "Патент, r, Ужгород, ул. Прдектная, 4
Заказ 209/40 Тираж 459 Подписное
UHHHllH Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий
113035, Москве, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5