Запоминающий блок

Запоминающий блок

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

« 0 556497

ОЛИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 23.09,75 (21) 2174173/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30,04.77. Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 11.05.77 (51) M. К, О 11С 11 22

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 681.327.66 (088.8) ла делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

В. А. Завадский, А, В. Иващенко, В. А. Манжело, Н. P. Швыдкий и К. Г. Самофалов

Киевский ордена Ленина политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩИЙ БЛОК

Изобретение относится к области запоминающих устройств.

Известен запоминающий блок, содержащий пластину из сегнетоэлектрического мате риала, приобретающего пьезоэлектрические свойства в поляризованном состояиии. Такой блок допускает выполнение в виде интепральной микросхемы, обеспечивает высокую плотность размещения и нформацтви и ее многократное вооп|роизведение.

Недостатком этого блока является считывание инфорьмации iB виде параллельного кода, что в ряде случаев требует использования специальных п|реобразователей .параллельного кода в последовательный.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является запоминающий блок, применяющийся для хранения шифера, содержащий сепнетоэлектрическую пластину, в середине одной из сторон которой расположен первый электрод возбуждения, а по краям параллель но электроду возбуждения нанесены электроды записи, на другой стороне пластины против пе рвого электрода возбуждения расположен второй электрод возбуждения, выходные электроды, нанесенные перпендикуляр но к второму электроду возбуждения. Запоминающий блок обеспечивает получение выход toro сигнала в виде одной или нескольких последовательностей кодов, представле нных соответствующими последовательностями электрических импульсов. Эффект генерирования,последовательности электрических импульсов в блоке достигается за счет использо5 вания бегущей вотны механической деформации, последовательно возбуждающей пьезоэлектрические преобразователи, образованные материалом сепнетоэлектрической пластины в зоне перекрытия выходных электро10 дов и электродов записи.

Однако в таком блоке генерирование выходных последовательностей электрических импульсов не зависит ни от каких других факторов, кроме изменения поляризации сег15 нетоэлектрического материала в области выходных электродов. Это требует проведения электрической перезаписи информации путем соответствующей переполяризации сепнетоэлект рического материала и связано с изменением характера импульсов. Для формирова ния элект1рических импульсов записи необходимо применение достаточно сложных электронных схем управления, что иногда (например, в постоя нных запоминающих устройствах) нецелесообразно по техническим или экономическим,соображениям. Это снижает область применения запоминающего блока.

Цель изобретения — расширение области

30 приме не ния запоминающего блока.

556497

Это достигается тем, что в предлагаемом блоке на другой староне пластины нанесены фоторезистивные пленки, на которых ipacIIOложены выходные электроды.

Применение фоторезистивных лленок, нанесен ных на пластину из сегнетоэлектрического материала, позволяет изменять коэффициент передачи сигнала с возбужденного выходного пьезопреобразо вателя в нагруженную информационную линию в зависимости от уровня освещенности отдельных элементов устройства, т. е. производить коррекцию ранее записанного цифрового кода световым сигналом.

На чертеже схематически .показан запоминающий блок (для наглядности электроды условно разнесены по вертикали).

Основой конструкции запоминающего блока является пластина 1 из сегнетоэлектуическото материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии. В середине каждой из сторон пластины 1 расположены один против другого электроды возбуждения 2, 3, На одной стороне пластины 1, .например верхней, по краям ее параллельно первому электроду возбуждения 2 нанесены электроды записи 4 и нформацни. На другой стороне пластины 1 пе рпендикулярно к второму электроду возбуждения

З,нанесены фоторезистив|ные пленки 5, на которых расположены выходные электроды 6, выполнен|ные из оптически п розрачного электропроводящего материала (например, окиси олова и т. п.). Поляризация между электродами возбуждения 2 и 3 создается приложением электрического поля к этим электродам и в процессе эксплуатации не изменяется, Информация записывается также при изгото влении блока и при необходимостями может быть изменена. Для этого достаточно п риложить электрическое напряжение между выход ными электродами 6 и электродами записи 4. В результате в зоне перекрытия этих электродов установится постоянное значенHP поляризации, причем направление вектора поляризации од|нозначно определяется полярностью приложенного напряжения записи, Направление,поляризации в каждой зоне перекрытия может быть различным и характеризует хранимый и нформациояный массив.

Полярность, выходного сигнала определяется соотношением направления, поляризации сегнетоэлектрического материала в области электродов возбуждения 2 и 3 и каждой зоны перек рыт ия электродов записи 4 и выходных электродов 6.

Коррекция последовательности выходных импульсов осуществляется с помощью фоторези стивных пленок 5, отделяющих выход5

40 ные элекпроды 6 от пластины 1. Котда фоторезистивная пленка 5 освещена, сопротивление ее мало и напряжение выходного пьезопреобразователя (на ечртеже не показан), приложенное к последовательно соединенным участку фоторезистивной 1пле нки 5 и на грузке (на чертеже не показана), распределяется так им образом, что весь полезный сигнал выделяется на нагрузке. В случае, если фоторезиотивная пле нка 5 затем иена, ее сопротивление велико и основная часть напряжения приложена к этому сопротивлению, а на нагрузке,полезный сигнал практически отсутствует.

Таким образом, изменяя освещенность фоторезистивной пленки 5 в областях соответствующ их выходных электродов 6, возможна коррекция последовательности ге нари руемых импульсов.

В одежном из вариантов конструкции запоминающего блока пластилину сегнетоэлектрического материала с элект|родами помещают в корпус и нтегральной микросхемы, верхнюю крышку корпуса выполняют из лроз рачной пластмассы, Тогда необходимую коррекцию кода осуществляют нанесен нем era крышку затемненных участков.

Эффективность подобного запоминающего блошка проявляется .при использовании его в качестве хранителя шифера. Применяя освещение,пластичны через масиу ic на несенными определенным образом .проз равными и непрозрачными участками, можно осуществить коррекцию кода (шифера) без электрической перезаписи, требующей .наличия специальных электронвых,схем форми|рования сигналов.

Следовательно, представляется возможность использовать пол постыл весь считываемый код или оп ределен ную его часть в соответствии с принятой,коррекцией, .вид которой устанавливается в момент,возведения блока простой установкой маски с прозрачными или непрозрач)ными участками.

Формула изобретения

Запоминающий блок, содержащий сегнетоэлектрическую пластину, в ceipepине од ной из сто ро н которой, расположен, первый электрод возбуждения, а по краям па раллельно электроду возбуждения нанесены электроды записи, на другой стороне пластичны против;первого электрода возбуждения расположен второй электрод возбуждения, выходные электроды, на не сенные перпендикулярно к второму электроду .возбуждения, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения блока, .на другой сторо не пластины нанесены фоторезистивные пленки, на которых расположены выходные элекпроды.

556497

Составитель В. Рудаков

Техреду 3. Тарасова

Редактор Т. Рыбалова

Корректор О. Тюрина

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1051/18 Изд. № 390 Тираж 735 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5