Травитель для выявления дислокаций в монокристаллах твердых растворов ртуть-кадмий-теллур

Травитель для выявления дислокаций в монокристаллах твердых растворов ртуть-кадмий-теллур

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАЙ ИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДВТИЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 557435 (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 25.03.76 (21) 2338635/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.05.77Бтоллетеиь № 17 (45) Дата опубликования описания 05.07,77 (51) И. Кл.

Н 01 L 21/465

Гасударственный «омитет

Совета Министров СССР оо делам иэаоретений и открытий (5З) УДК 621 82 (088.8) Ю. И. Зданович, Л. И. Кузнецова, A. М. Соколов, и Ю. Г. Пухов (72) Авторы изобретения

Государственный ордена Октябрьской Революции научно-исследовательский проектный институт редкометаллической промышленности (71) Заявитель (54) ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ВЫЯВЛЕНИЯ ДИСЛОКАЦИЙ

В МОНОКРИСТАЛЛАХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ

РТУТЬ-КАДМИЙ-ТЕЛЛУР

Изобретение относится к области производства полупроводниковых материалов и может быть использовано при исследовании структуры кионокристаллов тройных твердых растворов Сд„Нр, „ Те, а также при конт- 5 ропе параметров готовой продукции.

Дислокации являются одними из наиболее важных структурных дефектов мэнокристалпов полупроводников, влияюгцих на качество готовой продукции.

Известен травитель, выявляющий дислокациэнную структуру в монокристаллах тройных твердых растворов на основе ртути-кадмия-теллура jlj, Известный травитель Паркера выявляет И дислокации в кристаллах Сэ „ Hg„ Те, где х = 0,85-0,60 на плоскости (111). Травипьный раствор содержит (об.ч.): концентрированную азотную кислоту 15; воду 15;

KoHIfBBTpHpoBBBHóþ соляную кислоту 1, 5%- 20 ный раствор брома в метаноле 1.

Известен травитель, выявляюгций дислс кации в кристаллах С4 „Hg „Те переменного пэ толшине состава (2j . Травильный раствор состоит из 5 мл уксусной кислоты, 17 мл 25 азотной кислоты, 10 мп соляной кислоты, 10 мл воды и 0,1 мл брома., Наиболее близким техническим решением к предложенному является травитель для выявления дислокаций в монокристаллах твердых растворов ртуть-кадмий-теллур, содержащий окислитель, соляную, кислоту и воду (3) . Известный травитель содержит компоненты в следующем обьемном соотношении

Н NO,-HÑÅ СН,СООН:НРВГ;17,5:20:1:15:0,2

Использование этого травителч позволяет выявлять дислокации в очень узком интервале значений х (х=0,18-0,24), а исследуемая поверхность покрывается окиснэй пленкой или вытравливаются фигуры недислокационного характера, что затрудняет вскрытие микроструктуры кристалла. Кроме того, в состав травильного раствора входит бром, следы которого очень трудно отмывать с поверхности полупроводникового материала. (ель изобретения — обеспечение выявления дислэкационнэйструктуры на плоскости (110).

Поставленная пель достигается тем, чтэ

857435

20 ты

30-35 соляная кислота

50%-ный водн; раствор хрсмовс,"о ангидрида фгористоьодородная кислота

30"-40

30-35.

С остави гел ъ В. Мякиненкэв

Редакто(Т. Орловская Техред ) . Родик K >рректср H. р, овадева

Заказ 866/62 ги раж 97 э I одписнэ =" йНИИПИ Государственного комитета Совета Микис-.рэв СССР

ПС> ДЕЛАЕМ ИЗЭбоетсп>яй Ч Эткры"> Иlpj

113035, Москва, Ж-35, Раушская чаб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. У жгород,- ул, Проектная, 4 в состав травителя дополнительно введена (ртористоводородная кислота, а в качестве окислителя применен хромовый ангидрид, при этом компоненты взяты в следующем соотношении (об.%):

50%-ный водный раствор хромового ангидрида 30-40 соляная кислота 30-35 плавиковая кислота 30-35

Пример 1. Образцы, вырезанные из кристалла <с(,с Hp „> е с переменным по длине составом (х=0,1-0,9), по плоскости (110) шлифуют микропорошком М-10, затем химически полируют в 8%-ном растворе брома в НВР . После тщательной промывки водой производят травление образцов на выявление дислокаций.

Для приготовления TpGBHTBJIs компоненты взяты а следующем соотношении (э6.%):

50"-ный водный раствор хрэмовогэ ангидрида 30

35%-ный раствор сэлчной кисло45%-ный расТВор плавиковой кислоты 35

Образцы выдерживают в приготовленном трави-. ле в течение 1 мин при температуре с5 С. а(э вс:Bx пр..гравленных образцах бъ>ля четь > вылил...а дислок",циэнная структура.

П р .((;(е р 2 Образцы, вырезанные се кристалл» - "Я .(„TB c;(BðåìåííBIM пэ длин составом (x=p,l2-0,, . 5), по плоскОсти (.>.. О) шли((>) .От на ми>сроп ос>ошке

М-10. Промывают водой, химически полис ат B 8%-нэм растворе брэма в HBt . lioo ле тщательной промывки водой прэизвэд..т траьг(еч.(образцов на выявление дислэ.(а.ций.

Для приготовления структурногэ травигели ком.;эненты брались в следующем сээтнэшении (об.%):

50%-ный ъэдный растьэр хро::(овэгэ =- игидэида 40

38%-ный раствор соляной к((слэтъ. . uG

0%-пый раствор плави>сэв,>й кисл эты 30 (,бразцы вы >ep>I(I(Ban." в 7риготсълениэм траьчтеле в течение 1 мин при температ;—

4 о ре 25 С, 1-:а всех пр травле,:ых образцах выявилась дислокационнап структура на плоскости (110).

Предложенный травитель обеспечивает выявление четкой дислокационной картины в монокристаллах C(1„3g „„Te на плоскостях (11 ) в с((крэком интервале составов.

Травитель может быть использован в поду проводниковой технологии для изучения процессов роста кристаллов Cd„Hg, „1е при изготовгсении приборов на основе этого материала.

Формула изс Сретения

Травитель для BBMBrlåíèÿ дислокаций в мэнокристаллах твэрдъьс растворов ртутькадмий-теллур при х=-0, 1-0,9, содержа;ций окислитель, соляну о кислоту и воду, о тличаюшийся тем, что, сцелью обеспечения возможности выявления дислокаций на и7эскэсти (1(10) в него дополнительно введена фтористоводородная килота, à B качестве окислителя применен

XPOM0BbIII BIIl ИДРИД, ПРИ 3ТОМ КЭМ! ЭНЕЯ ГЫ взяты в следуюгцем .; . ношении (эб.%):

Источники и :,,(эрмации, принятые Во внимание при экс.7ерт...зе:

i. р л г к е Г s, t i 77 rl e ., 7- R, e v e « i t 7 о 77 5 э с(7с сосо" 7опs (77 7-,;er co a c dmчотл tе88or" 7 бе Ьу et,се> Е С Ъ 771.". Oe. У. E8e ct, i ос,Rem.5oe.

2. Пепэс С. И.. и др. Изучение услэ:,лй .=.pli>o-.-;;»>п.заци.. с Й ., „Ге из ртути:-.Ix раствг>-.oâ. И -в стия AH CCCF, с"D. еэрганические материалы", 1975, (1, .У. 4,, стр. /60.

3. Бой(ньг>(Н. М. и др. "Структура криста,O)OB .ГВЭрдЫХ раСТВОрОВ Сс1„Нд „„ТЕПЭЛуче (>ëx из расп.".ава. Извес ия АН СССР, .ср. "М=TOJIJII.(", 1 9 4, М 5, стр. 2402