Плазмотрон

Плазмотрон

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАН И Е ()559787

ИЗОЬРЕт ЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Ъ

1 т „

3 (51) М. Кл е В 23 К 9, 00

В 23К 31/10

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 10.10.74 (21) 2063301/27 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.05.77. Вюллетеш N 20

Дата опубликования описания 30.06.77

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам иХооретений и открытии (53) УДК 621.791.755 (088.8) (72) Авторы изобретения Д. Г. Быховский, fO. А. Богородский, А. Я. Медведев и В. Н. Фирсов (71) Заявитель (54) ПЛАЗМАТРОН

Изобретение относится к плазменной обработке материалов, а именно:к устройствам для плазменной резки металлов в окислительных плазмообразующих средах, в том числее и на воздухе.

Дополнительными областями использования изобретения являются плазменная резка в водородсодержащих плазмообразующих средах, поверхностная .плазменная обработка и плазменная сварка металлов.

Известен плазмотрон для дуговой обработки материалов, состоящий из стационарной части с каналами для плазмообразующей и охлаждающей сред, сопрягаемыми с соответствующими каналами, параллельными осн плазмотрона и выведенными на торец электродного узла стационарной части, причем капал для подачи охлаждающей среды со стороны рабочего торца электродного узла расположен концентрично оси.

В этом плазмотроне наличие всех каналов в электродном узле приводит к резкому увеличению его габаритов и, как следствие, к увеличению диаметра плазмотрона. Так, например, известный быстросьемный плазмотрон имеет наружный диаметр 60 — 80 мм, что пс позволяет использовагь его при резке фаски, когда плазмотрон должен быть установлен под углом 30 — 60 по отношению к разрезаемому месту, а расстояние от внешнего среза сопла до места должно быть не более

10 — 15 мм.

Цель изобретения — повышение производительности и снижение габаритов плазмотрона

5 при сохранении надежности его работы.

Для этого канал подвода охлаждающей среды со стороны торца стационарной части выполнен эксцентрично осп электродного узла н сопряжен с концентрпчным каналом та10 кпм образом, что расстояние между осью электрододержателя и осью эксцентричного канала меньше суммы радиусов концентричного и эксцентричного каналов, а сумма пх длин больше длины электродного узла.

15 На фиг. 1 и 2 показана стационарная и сменная части в сборе, две проекции; ня фпг. 3 — сменная часть; на фиг. 4 — впд по стрелке А на фнг. 3.

Плазмотрон состоит из стационарной части

20 1, укрепленной на механизме перемещения за изолятор 2, и сменной части 3. Стационарная часть снабжена штуцером 4, для подвода охлаждающей воды, штуцером 5 для отвода охлаждающей воды, штуцером 6 для подво25 да плазмообразуюптсго газа н электрокоптактом 7 для подвода электрического тока.

Сменная часть 3 содержит водохлаждяемый электрододержятель 8 с электродом 9 с акт1tBной вставкой 10 пз гафнпя, цпркония плп

30 сплавов на их основе. Электрододержатель 8

559787 окружен изолятором 11 На изоляторе 11 установлено водоохлаждаемое сопло 12 с центральным каналом 13, расположенным соосно с концентрично активной вставкой 10. Перечисленные выше детали сменной части 3 скреплены кожухом 14 и гайкой 15.

В сменной части 3 в соответствующих местах установлены резиновые уплотнительные кольца для герметизации каналов охлаждения и плазмообразующего газа. Крепление сменной части 3 к стационарной части 1 осуществляется с помощью гайки 1б. Прп этом торцовая поверхность электрододержателя 8 сопрягается с торцовой поверхностью стационарной части 1 через герметизирующую прокладку 17. В теле электрододержателя 8 выполнены три параллельных его осп канала, выходящих на торцовую поверхность электрододержателя 8, сопрягаемую с торцовой поверхностью стационарной части 1. Канал 18 предназначен для подачи плазмообразующего воздуха в сопловую камеру, канал 19 для вывода охлаждающей воды из сменной части 3, канал 20 для подвода охлаждающей воды к электроду 9. Охлаждающая электрод 9 вода подается по каналу 21, выходящему концентрично оси электрододержателя 8 со стороны электрода 9. Радиусы каналов 20 и 21 выбраны таким образом, чтобы расстояние между осью электрододержателя 8 и осью канала 20 было меньше суммы радиуса каналов 20 и 21.

При этом сумма длин каналов 20 и 21 больше длины электрододержателя 8, считая от торцовой поверхности до выхода канала 21.

Такое расположение каналов 18, 19, 20 и 21 позволяет получить минимальный диаметр оси электрододержателя при сохранении полHoH cHIIAIBTpHH p c o HÉ охлаждения э IpKTpoда 9, что принципиально необходимо для стабильной работы электрода 9. Охлаждение сменной части 3 осуществляется последовательно, начинаягь каналом 20 и заканчиваясь каналом 19.

Крепление сменной части 3 и стационарной

1 осуществляется одним движением. При этом сменная режущая часть 3 плазмотрона

1о одновременно подсоединяется к коммуникациям охлаждающей воды, плазмообразующего газа и электрического тока.

Формула изобретения

)5

Плазматрон для дуговой обработки материалов, состоящий из стационарной части с каналами для плазмообразующей и охлаждающей сред, сопрягаемыми с соответствующи20 ми каналами, параллельными оси плазмотрона и выведенными на торец электродного узла стационарной части, причем канал для подачи охлаждающей среды со стороны рабочего торца электродного узла расположен

25 концентрично его оси, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, снижения габаритов плазмотрона при сохранении надежности его работы, канал для подвода охлаждающей среды со стороны торца

ЗЗ стационарной части выполнен эксцентрично оси электродного узла и сопряжен с концентричным каналом таким образом, что расстояние между осью электрододержателя и осью эксцентричного канала меньше суммы радиу35 сов концентричного и эксцентричного каналов, а сумма их длин больше длины электродного узла.

55(1787

"7

f2

Щг 2

Составитель Л. Суханова

Редактор T. Пилипенко

Icxf)c;(A. Камышииковл

Корректор Л. Брахнина

3 я к л:! 1 155, -1 11ç,д. ¹ 4<(1 Тира)к 12()7 11<)диисио< (11111111111 Госу,;,)1)сTll< IIII<)l |а.»)ит< ) л (:<)и< Ii! Мини I)<)l) (.(.(.Р

li<) .д(. <и

Тiiiiоi f) )<))II i, Iif). Г.;1)I(II<)) il 2