Способ формирования защитного рельефного изображения

Способ формирования защитного рельефного изображения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалмстимесккх

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (б!) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 25,04,7g (2! ) 2128431/21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05,06,77 Бюллетень № (45) Дата опубликования описания i04,08.77 (I1) 561165 (51) М. Кл.

С 0З С VEP0

Н 01 L 2 1/70

Государственный комитет

Сонета Мнннстров СССР оо делам нзобретеннй н открытнй (53) УДК 621.396.6181 Л (088.8) (72} Авторы изобретения

Э. П. Калошкин, B. Н. Катунин и Ю. А. Кулагин (71} Заявитель (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАЩИТНОГО

РЕЛЬЕФНОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ

Изобретение относится к фотолитографии, широко применяемой в электронной промышленности.

Известен способ формирования рельефного изображения, включающий нанесение на подложку позитивного фоторезиста, его селективное экспонирование, обработку водным раствором,конденсирующего пленкообраэователь агента, засвечивание слоя фоторезиста с последующим проявлением.

Однако этот способ предназначен для получения негативных фотореэистовых изображений и чазрещающая способность его ограничена дифракционным пределом, что не дает возможности испольэовать позитивные фоторезисты д, разрешающая способность которых лежит на молекулярном уровне.

Цель изобретения - повышение разрешаю-2О щей способности процесса.

Предлагаемый способ формирования рельефного иэображения, включающий навесе» ние на подложку позитивного фотореэиста содержащего пленкообраэователь его экспо>5

2 вирэвание через фотошаблон, обработку водным раствором коиденсирующего цленкообразователь агента, равномерное за» свечивание слоя фоторезиста и, проявление рельефного изображения, соответствующего рисунку фотошаблона, отличается тем, что рельефное иэображе ние, соответствующее рисунку фотошаблона, проявляют перед обработкой слоя фоторезиста водным раствором конденсирующего пленкообразователь агента, а пос ле равномерного засвечивания слоя фото реэиста проводят дополнительное прояв ление.

В результате выполнения укаэанных операций получают кольцеобраэные элементы субмикронной ширины, которых нет на используемом фотошаблоне, где предусмат-риваются элементы только с орним краем, за счет которого формируется один из краев предусмотренных элементов: внут» ренний - «сли элементы фотошаблона выполнены в виде окон или внешний — если элементы фотошаблона непрозрачны.

Если на фотошаблоне предусмотрены

561165

Составитель П. Лягин

Редактор Б, федотов Техред С, Беда Корректор В. Галас

Заказ 1570/151 Тираж 574 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„д. 4/5 филиал ПЛП Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 кольцеообразные элементы субмикронной ширины, этот рисунок перенести на подложку общепринятым способом не удается иэ-аа интерференции световых лучей, дифрагированных на близлежащих краях

5 элемента. Предлагаемый способ интерференцию принципиально исключает поскольку близлежащий второй край формируется неоптическим путем, что и обусловливает повышение разрешающей способности о процесса.

Формирование второго края кольцеобраэных элементов возможно вследствие того, что боковые стенки рельефного рисунка после первого проявления получаются гидрофильными в противоположность верхней поверхности фоторезистового слоя, Это позволяет сэлективно замедлить растворе» ние в проявителе (по сравнению с полностью заэкспонированным фоторезистом) части фоторезиста, непосредственно примыкающей к боковым стенкам рисунка, при помощи подходящего реактива в водном растворе. Последующая общая засветка переВодит остальную часть фоторезистового слоя в растворимую в проявителе форму, KoTopaQ легко удаляется дополнительным проявлением после чего остается фотореэистовое изображение в виде кальцеобра ных элементов субмикронной ширины, соот- зо ветствуюших контурам иэображения испапь зованного фотошаблона, Чтокасается реактива для уменьшения pacr воримости в проявителе, то для данного случая применимы реагенты, способные связывать активные группы в фоторезисте. ответственные за растворимость фотореэиста в щелочных средах (фенольные гидроксилы), или вызывающие увеличение молекулярного веса пленкообраэователя, В последнем слу-. д чае удобны водорастворимые кондейсирующие пленкообразоватсль агенты, не требую-« щие нагревания выше температуры термолиза хинондиазидов (115-120 С), наприо мер, для наиболее употребительного пленко-45 образователя в позитивных фоторезистах фенольной смолы, хорошо подходят гидроокиси щелочноземельных металлов или некоторые соли тяжелых металлов.

Данный способ может быть пояснен на следующем примере.

При помощи обычного фотолитографического процесса создают рельефное изображение в слое фоторезиста ФП-РН7 (формируют одинкрайкопьцеобразных aneMeBTDa). Пса ченное изображние обрабатывают 107 -ным водным раствором хлористого цинка, споласкивают водой и сушат. Весь фоторезистовый слой равномерно засвечивают до достижения максимальной скорости растворения в проявителе и проявляют в 0,3%-ном водном растворе едкого калия. Сформированное изображение, соответствующее контуру изображения, осторожно промывают и высушивают.

Способ может быть применен для создания СВЧ-приборов в электронной промышленности, а также дифракционных решеток в оптической промышленности.

Формула изобретения

Способ формирования защитного рельефного изображения, включающий нанесение на надлому позитивного фоторезиста, с одермащего плейкообраэователь, его экспонирование через фотошаблон, обработку водным раствором конденсирующего пленкообразователь агента, равномерное засвечивание сщ фоторезиста и проявление рельефного изображения, соответствующего рисунку фотошабло на,отличающийся тем,чтЬ, с целью повышения разрешающей способности процесса, рельефное изображение, соответствующее рисунку фотошаблона, проявляют перед обработкой слоя фоторезиста водным раствором конденсирующего пленкообразователь агента, а после равномерного засвечивания слоя фоторезиста проводят дополнительное проявление.