Формирователь импульсов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

и еоюяи@@ (C6"1 2 89

И Е

ОП ИГУАН

Союз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено18,03.75 (2!) 2114509/21 (51) М. Кд

Н 03 К 6/00 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Сонета Министров СССР оо делам иэаоретений и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано05.06.77.Бюллетень № 21 (53) УДК 621.374 (088. 8) (45) Дата опубликования описания 12.08.77 (72) Автор изобретения

Р. M. Абдупкин (7!) Заявитель (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ

Изобретение относится к импульсной технике, может быть использовано в устройствах аналоговой и дискретнои обработки информации.

Известен формировятепь импупьсов, ссдержащий транзистор, на вход которого подается управляющее напряжения, и резистор(1).

Этот формирователь регупирует выходное напряжение, но не дает возможности получать треугольные выходные импульсы.

Более совершенен формирователь импульсов, содержащий транзистор, диод и резисторы(2).

Этот формирователь мяпонадежен.

Цель изобретения — повышение надежности устройства при формировании треугопьных импульсов.

С этой целью в формирователь импульсов, содержащий резисторы и транзистор, 20 параллельно переходу база-эмиттер которо го включен первый резистор, а коллектор транзистора и второй резистор подключены к выходу устройства, введен стябипитрон, вкп:оченный между базой транзистора, 25 эмиттер которого заэемлен, и точкой соединения второго и третьего, подкпюченного также ко входу устройства, резисторов.

Принципиальная электрическая схема формирователя ил пульсов изображена на чертеже.

Формироватетть содержит транзистор 1, упрявпяел1ый входным напряжением через стабипитрон 2 и соединенный своим коллектором с выходом устройства, и реэисто ры 3-5.

Ряссл;отрим случай получения треугольнь|х им:пульсов.

Входное напряжение, нарастающее до уровня пробоя стябилитроня, передается на выход без изменения фазы, тяк кяк транзистор запе1 т из-за отсутствия базового гока. О момента пробоя стабилитроня транзистор начиняет открываться, и сопро. тивление его понижается, что вызывает уменьшение выходного напряжения, т. е., когда входное напряжение 1тревышяет уровень пробоя стябилитроня, фязя выходного напряжения по отношению ко входному и:ъо меняется ня 180 . Выходное напряжение

561289 в c(p.g )>

Составитель М АудрингРелвктор Б. Федотов Техред А. Демьянова Корректор В. Гапас

Заказ 1589/158 Тираж 1065 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитегв Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж 35, Раушсквя нвб., л. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ума ород, уп. Проектная, 4 понижается ло момента насыщения гранзисropa.

При спадающем входном напряжении процессы в формирователе протекают в о6ратном порядке. Транзистор начинает запираться, и его сопротивление повышается, вызывая рост выходного напряжения. После полного звпирвния транзистора выходное напряжение спадает вместе со входным.

Крутизна восхолящей ветви характерисгики определяется сопротивлениями всех резисторов. Наклон спадающей ветви зависит or усилительных свойств транзистора и сопротивлений всех резисторов. Порог изменения базы выходного напряжения (излом характеристики) равен входному напряжению, вызывающему пробой ствбилитронв. Минимум выходного напряжения в зоне пробоя стабипитрона (на спадающей ветви характеристики) достигается при входном напряжении гле Ц вЂ” напряжение пробоя ствбилитрост нв;

Р и Р— сопротивление резисторов 3 и 4;

Р коэффициент усиления транзистора.

Формула изобретения

Формироватепь импульсов, содержащий резисторы и транзистор, параппельно переходу база - эмиттер которого включен первый резистор, а коллектор транзистора и второй резистор подключены к выходу устройства, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежно ти, в него введен стабилитрон, вкпюченныя между базой транзистора, эмиттер которо-, го эаземлен, и точкой соединения второго и третьего, подключенного также ко вхорр ду устройства, резисторов, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Гоэпинг В, Применение полевых транзисторов, M., "Энергия, 1970, с. 110, рис. 4, 5.

2. Авторское свидетепьство СССР .№ 4000 1 7, Н 03 К 6/00, 197 1.