Способ получения кондитерских изделий пористой структуры из термопластических масс

Способ получения кондитерских изделий пористой структуры из термопластических масс

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОЬРИТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистимеских

Реслублик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 18.12.73 (21) 1978909/13 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет—

Государственный квинтет

СССР оо делам изаоретеннй н открытий

Опубликовано 25.06 79. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 03.07.79

Г. А. Маршалкин, Т. П. Ермакова, Г. Н. Горячева, В. В. Симутенко, Г. М Клешко, Ю В Клаповский, К. А. Васильева и М. П Иванова (72) Авторы изобретения

Всесоюзный научно-исследовательский институт кондитерской промышленности, Московский ордена Трудового Красного

Знамени технологический институт пищевой промышленности и Московская ордена Ленина кондитерская фабрика

<Красный Октябрь> (71) Заявители (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНДИТЕРСКИХ ИЗДЕЛИЙ

ПОРИСТОЙ СТРУКТУРЫ ИЗ ТЕРМОПЛАСТИЧЕСКИХ МАСС

Изобретение относится к кондитерской промышленности, а именно к производству изделий пористой структуры из термопластических масс, например шоколада.

Известен способ получения кондитерских изделий пористой структуры из термопластических масс путем обработки ее под вакуумом в три стадии: на первой — снижением давления, на второй — закреплением пористой структуры с одновременным радиационно-кондуктивным охлаждением, а на третьей — повышением давления до атмосферного, при этом на первой и третьей стадиях осуществляют одновременное радиационноконструктивно-конвективное охлаждение изделий с последующим окончательным их охлаждением при атмосферном давлении.

Известный способ затрудняет процесс порообразования и не обеспечивает получения равномерной пористой структуры по сечению шоколада за счет большого остаточного давления при вакуумировании, что создает резкий перепад давлений при вводе форм и выходе их из охлаждающего аппарата. Кроме того, при таком способе очень низкая интенсивность охлаждения.

С целью повышения качества изделий и обеспечения получения равномерной пористости в предлагаемом способе на третьей стадии конвекцию осуществляют струей воздуха температурой 3 — -10 С, а окончательное охлаждение проводят постадийно при радиационно-конвективном топлоотводе.

Целесообразно снижение давления проводить в течение 15 — 60 с до величины остаточного давления 10 в 15 мм рт. ст., закрепление структуры — в течение 2 в 10 мин при температуре тепловоспринимающнх Iloверхностей 2 — 5 С, а повышение давления осуществлять в течение 20 — 60 с.

На первой стадии окончательного охлаждения — радиационное целесообразно проводить при температуре тепловоспринимаюгцих поверхностей 3 — 6 С, а конвективное — при скорости воздушного потока 5-10 м, с и температур ре воздуха 2 — 5 С. при этом на второй стадии радиационное охлаждение проводят при температуре тепловоспринимаюгцих поверхностей !2 — 14 С, а конвективное — при скорости воздушного потока 5 — 6 м/с и температуре воздуха 1Π— 12 C.

Способ заключается в следующем.

56(315

1О

jo

j0

4О

ЦИИИПИ 3аказ 3688/52 Тираж 568 Подписное

Филиал П П П «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

11ослс обработки вибрацией для равноIvlcpIIoI o распределения шоколадной массы в формах, шоколадную массу температурой

27- — 31 Г вакуумируют и одновремеflHo охляжда!от. Про!гесс вакуумирования придает

llloKoладу !lopIIcòóþ структуру. Г1роцесс осущсствляк)т в три cT;»IIIH. йа первой стадии п<)степенно сн)<жяк)т давление с 760 мм рт. ст 13B1PHHH 10—

50 мм рт.ст. в течение 15 — 60 с, расючес рязрс жение 13 системс выдерживают в течение 2- -10 мип и пя третьем этапе постепеHIIo увеличивают остаточное давление;l0

760 мм рт. ст. в течение 20-60 с.

Такой режим вакуумирования обеспечивает получение однородной пористой структуры 1110Koëà33 без рваных flop на поверхности плитки, четкой геометрической формы.

Неоднородность пористой структуры вызываст перекос плитки пористого шокол3ä3 по высоте и, слсдовагслыю, большое количество возвратньгх отхо IQB при завертке.

C)3!f0«pexIcnIIo с процессом вакуумирования осуществляют радиационное охлаждение при температуре тспловоспринимаюlllHx поверхностей 2--5 С и температуре среды в кямерс 3 -10 С. Этот режим радиационНОГО ОХЛЯжд< IIHH Об CII«cIHBBIOT КОНВЕКтИВным охлаждением тепловоспринимающей повеpxHocTH IlpH скорости вертикального воздуп!ного потока 10- — 12 м, с и температуре во:!духа 2- 0 С.

1-lcl ВтОрОй Стядпп ЗаКрЕПЛяЮт СтруКтуру

ПЮКОЛа fcl С ОбРЯЗОВЯНИЕМ BCPXIICH КОРОЧКИ, предотврящяю<цей осадку 1)лидки при контакте с атмосферой, путем подачи форм с пюколядом в следующую зону ня 2 -10 мин с одновременным радиационно-кондуктивным о ляждс нисм при температуре тспловоспрп и Icl10111Hx поверхностей 2- — 5 С.

В третьей стадии lfoBBIIII3foT давление в течение 20--60 с и проводят одновременно радиационно-кондуктивно-конвективное охлаждсние, при этом конвскцию 1!роводят струей воздуха температурой 3 — 10 С, Г1ри радиационном охлаждении фиксируется IlopHcTBH структура плитки шоколада по всему ее объему, что способствует образованию однородной структуры.

После окончания вакуумирования и предварительного охлаждения, позволяющего

c0xp31fHTb устойчивую пористую структуру, и подь«ма остаточного дав,чения до атмосферного, шоколад в формах поступает для окончательного охла)кдения. Интенсивность

0 х. 1 3 ж де и и я с и и ж а ю т fl p H движении и 17 0 д у Kта от стадии предварительного охлаждения к выходу в атмосферу цеха. Затем формы с шоколадом передают на окончательное радиационно-конвективное двухстадииное охлаждение, которое осуществляется при атмосферном давлении: на первой стадии радиационное Ilpol3o,lÿò при тс IIIcp3Tx рс тепловоспринимающи ; 110B«pxli0<. 3--6=Г, а конвективпое - при скорост воздхшного потока 5 — 10 х!гс и т«мпсрятмр«воздмх

2- — 5 С; ня второй стя (ии !31!<)Орко!! и!Око 13113 СОЗДсlк)Т ()O. 1" «< МЯГKli ll Р(Ж И М: РЯ.

14 С, а конвективное — при скорости воздушного потока 5 -6 мгс и темперытхрс воздуха !Π— 12"C.

Температура шоколада перс; выборкой из (елий 14 — -16 C.

Предлагаемый сш)соо позволя«т иолуЧ И Т Ь П О (7 И С Т Ы И I I I O h 0.1 c I )i, СТ 3 0 И. l I> I I O I О К 3 Ч Е С Тва с равномерной пористой структурой и с четкими геометрическими ряз.",!срами без дефектов на поверхности II IHI îê.

Фо р.<<утг а гп)об() егаяг«г»

1. C Ifocoo flo,13

Лпй ПОРИСтОй СТРУКТУРЫ ИЗ ГСРМС)гсЛЯСт!ШССких масс путем обряс)о! -;и сс I:îä вакуу"!oxl в три стадии: 113 IlcpBHH — снижснием ьявления, на второй закрс llë«Hèñ 31 <гористой структуры с одповремен!<ым радия IH()IIHoКОПД; КТHВHhис! ОХ.1ЯЖ.!ЕНИСМ, Я llci Г;7«Тir(. И

ПОВЫП!(ПИС(<1, (сlВЛСПИя . 10 с! ГМ<7((<<)Е(7НО

II(pатур0(! 3 — О (, я ()коичс .т(л! Н()с Ох,! cl жД(. НИ« II PÎ3()LI 51 Т I ()C1 d Ii H 1l<) if(i>l Р;!,"1!I cl I! ИОИно-KOIIBPI

2. Гпособ по !!. 1, от.ilrчаюиасйс» гс ч. Что снижеIIH(.,(явления ирово !Нт в тсч iiH< 15

60 с до величины о«тато !Ного давления 10

50 мм ртст.

3. (IIOCOO 110 11!I. и 2,

4. Способ по fill. 1 - -3. 0Т.ò гагс7гиггйгстг тем, что повышсние давления осуп;сс-.вляют в тсчснк(. 20 --6)О с.

5. Способ пс fi. 1, от.гг crarorLrrriic» т«м, что па первой сгdäè< окоп (атель ОгO ох 13ihДС НИ 5! — ()с), I H cl ll!IOII IIOP I? PO BOB,HT IIPH температуре тспг!о!30«принимя!Оп(их поверхностей 3 — 6 Г, а копвсктивное — 1lpH ci