Трехфазный самовозбуждающийся инвертор

Трехфазный самовозбуждающийся инвертор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сок(э Советских

Социалистических

Республик (1(! 562908 (61) Доно ii! IITc1b! I(7e азт. слил-ву—

5! ) . 1. )х. : - Н 02- М 71537; (22) Заявлено 19.03.75 (21) 2114589, 07 с присоелинеиием заявки— (23) Приоритет—

1ос7<аерственн(ии <ко<<(итет

Совета Нинистров СССР ло лелям иэобретекий и открв(тин (43) Опубликовано 25.06.77. Б;-оллстс"ь ¹ 23 (53) УДК 621.314.58 (088.8) (45) Дата (7п(бликова:(пя описан((я 1:. .10.77 (72) Авторы

В. И. Загрядцкий, H. И. Кобыляцкий, А. И. Крамаренко и И. И. Долгин т(зоб)7етеп.(!!

Кищиневский политехнический институт им. С. Лазо (71) Заявитель (54) ТРЕХФАЗНЫЙ САМО ВОЗБУЖДАЮЩИ ЙСЯ

ИНВЕРТОР

Изобрете: ие аса ется п;7еобразовательной техн:(к:-(:! м»жет использоваться в системах автомат((к:.(:i rëeктропр(квола лля прс0o;,73=-ования постоя:.Iilîfо напряже:-гия 3 трехфазкое переме.:(ное напряжение.

Известны трехфаз:(ыс са к(озозбу >кла(ощисcÿ ((((верто "Jbl, солержащие силовые транзисторы Трехфазный зыхол((ой Т173!исфорэ(ато 7, па кажлом из трех участков магнитопрозола кото 70! o расположены первичные, вторичные и обратной связ-i обмотки, соелиненные эранзисторам:.! по схеме автогенератора.

В и IaepTo, 7e (1) использованы олнотактные азтогснсраторы, а магнитопровол выполнен ! ia IIj-образном серлечиикс. В таком транс(.-.:Орматоре имеется олностороннее насыщение м а гHII Tîïðîçîëà, что приводит к увеличению габаритов тра:(сформатора. В инверторах j2) и (3) использоза<вы лвухтактные автогенерато»ы и трансформаторы, выпол!ненужные на трех отлсль:Ib!v ссрлечн:(ках. При этом постоянная составляющая магчитного потока B серЛечн lк:-х отсутствует,:(о общая лл:.(на магнитопровола увеличеча,:iT0 приволит к увеличен iio габаритных размероз.

Цель изобретения — уменьшить габариты инверто(ра.

Это лостигается тем, что ол-!и концы всех кернов соелиileabI непосрелственно, а лругие

К О Н Ц Ы 0 0 Х 3 и ("<1 Ы О Î 1! j l! 7 3 3 М К . Т Ы . и Р М О М, !

",7:.(чем зсе у:(асти:I я,7ма мсжлу точками стыка с кер:(амп:17! 102;7;Iâiló!0 лл(гпу и сече:: (<

Н3 ф

I 1нвсртор ((DIII 1 ) с().l(!7ж !т T (7!I 3з foi c:Iе17аT0Ра, зblпол!(c:!!!ых IIО:(зх хTЗKTIIÎИ сaэ(0зозбужлающсйся схеме (схеме Роера) и солержащ. (х силозыс транзисторы 1 — 6, первпч,ые обмотк:! 7 — 9. обмотк:! обратной связ

10 — 12, зтортпI .Iblc обмотки 18 — 15 и базовые рез;(сторы 16 — 18. По цепи и:I Ta!I!III автогеI2åраторы вклю . :Ibl параллельно, а вторич:(ые Оомоткп 7(ог, T вкл(очаться как звсз (0((, -.а к;! треу голь -! (! ком.

Все оомотк((, относящисся к данному автогснергтору, расположены на олпом из трех ол:I:.(акозых керноз 16 — 18 (см. фиг. 1) симметричного трсхфаз:(ого магнитопровола, Олни концы кериоз Осл I!Ic! Ibl непосрслственно. а Лрутч(е оохва ic .(ы общим замкнутым ярмом !

9, причем ллина и сечение участков «а — б», «0 — в» и «в — а» ярма мсжлу то-(ками стыка с кернам:i оли Iai oabi.

Принцип лействия инвертсра состоит в слелующем.

При пола.-le напряжен<гя 13 т»ао(зисто)7! через их эм:.(тте 7«0-кол iei Top!Ib(e перехолы

552o0i протекает начальный ток, который включает один какой-лиоо транзистор несколько раньше, чем друг11е. Ток, протекающий через коллекторную обмотку открытого транзистора, создает маг:-1ит:1ый поток, замыкающийся через Tpil кер:f2 .,: дза cчасткя ярма (с гпунктир на фпг. 2).

При этом E точка.; «б, в» ярма магнитный и=ток отсутствует;1з-зя равенства маги!1тных потонцис1лов точек «О>> 11 «в».

1О

Б 03 и и к. ш . f . I 11 Я г и и т11ы Й и 0 т О 1:. 01 с 0 м От 0 к первого «керна» наводит в базовых оомотках второго и третьего автогенсраторов ЭДС и вкл1очаст оотвстствснно по одному транзистору в пих, 1 >

Через открытые транзисторы протекают тоKIl, СОЗД210ЩIГЕ МЯГ11ИТНЫЕ ПОТОКИ, COВПЯДЯIОщис с потоком первого -pa:13;IcTop2, Следовательно, .Ia участ! ах «а — б» и «а — в» яома

f де11ств ют маг: ITHbfc потоки, создаваемые намаг1щчивающ;I%III силами коллекторных обмоток транзисторов 1, 2 и 1, 8 .соответственно.

Кроме этих потоков, в ярме имеется еще сстато нный магнитный готок, который на одном 113 участков ярма складывается с основ25 ным магнитным потоком, а на другом вычитается.

Допустим, что он складывается,па участке

«а — б» ярма, тогда этот участок насыщается быстрее, чсм участок «а — в». зо

Насыщен:1е участка «а — 0» приводит к увеличению на магничпвающего тока в транзисторах 1 и 2, причем в транзисторе 2 это увеличение з!1ачительно больше, чем в тра-:зисторе 1, так как для первого транзистора .1меется еще путь для замыкания магнитного потока по участку «а — в».

Такое явле.:-ще приводит к уменьшению напряжен:1я I 2 оазовь!х обмотках транзисторов 1 и 2, в результате чего они зап11раются.

Запира:1ие транзисторов 2 пpIIBOqIIT к тому, что потенциал точки «0» резко уменьшает я, а магнитный поток, распространяющийся о г

;-очки «в», способствует быстрому запиpàii по работавшего до этого тра 13;IBTo;32 2 парь: о-. крыванию транзистора 5.

После этого свободным является участок

«а- — u», а насыщаться будет участок «а — в» магнитопровода, так как в пем остался мяг..:.1тный поток, создаваемый н. с. коллектор: ой обмотки транзистор!1,>. В;1альнейшем работа схемы происхо ит аналоги1110.

Преимущест 30 пр- i>fîiêã I: oã0 устройства

C0C I OUT В 1<О .i1П 21; НОС!",I Bbf i!0:I:-1Ен;Ill TP2iiCôO Р,1атооа.

Формула изобретения

Трехфазный с2. 103030 i жда!Ощ!1Йся BIIBP.;)Ioр, с-одержащий силовые транзисторы и трехф;-:,зный выходной трансформатор, на каж io пз трех одинаковы.; кернов магнитопровода которого расположены первшп.ые, вторичнь оомотки и обмотки ооратпой связи, относящиеся к соотвгтству1ощей фазе;швсртора и сое1инеппые с транзисторами по схеме двуx тактнсго автогеператора, о т л и ч а 10 1ц и ис я тем, что, с целью уменьшен!!я габаритоз, oT» концы всех керпов соединены непосредственно, а другие oo

Источники информации, принятые Во внимание при экспертизе заявки:

1. Патент Фра!щпи ¹ 1327547, кл. Н 02 М, 1963.

2, Авторское свидетельство СССР № 1696" -, кл. Н 02 М 7/537, 1952.

3. ABTOpcl сш1детельство СССР ¹ 46494", кл. Н 02 М 7/537, 1975, 13

Составитель В. Моин

Рслактор Т, Шагова Текрел И. Kapa»aaøñaà 1;ос»скт.л И. С»яки:.:a

Заказ 529, 1421 11зд. ¹ 75 Ти-.-::: 9. Поли.:сисе

LII IIII1П1I Гос1 оc. сс..ио "0 коз ... е! o" Со : Та Л1: .::. Oз СССР по дела.i изобоетси»й и откэытж ;

Москва, 1 -35, Рау к" а наб., д. 4,:.

T:."...,зрьк, Ч»t.ë".. .»реа. «Патент»