Дифференциальный усилитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистицеских

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (ii) 56473.0

I г (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено03.01.74 (2!) 1989556/09 (5! } М. Кл, Н 03 Р 3/45 с пписоелинением заявки №

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.07.77Бюллетень № 25 (45) QaTa опубликования описания,15.08.77 (53) УДК 621 375. ,024 (088,8) (72) Авторы изобретения

B. И. Пиденко, Н. B. Козлов и И. (71) Заявитель (54) ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в компараторах и широкополосных усилителях, а

Известен дифферетшиальный усилитель, содержаший и, где и = 2, 3, 4... последовательно соединенных дифференциальных каскадов, выполненных каждый с симметричными входами и нагрузкой в каждом плече (1).

Однако иэвестнвтй дифференциальный р усилитель имеет низкое быстродействие.

Цель изобретения — повышение быстродействия.

Иля этого в дифференциальном усилителе, 15 содержашем q (где ц = 2, 3, 4...,) последовательно соединенных дифференциальных каскадов, выполненных каждый с симметричными входами и нагрузкой в каждом

1 плече, нагрузка одного плеча каждого нечет 20 ного дифференциального каскада и другогЬ плеча каждого четного дифференциального каскада выполнены нелинейными, причем нелинейная нагрузка выполнена в виде пря мосмешенного диода. 25

На чертеже представлена приниипиальная электрическая схема предложенного усилите теля.

Дифференциальный усилитель содержит

И (1т = 2, 3, 4, -... ) последовательно соединеннЫх дифференциальных каскадов

1, выполненных каждый с симметричными входами 2. Первый ди тференциальный каскад 1 собран на транзисторах 3, 4. К коллектору транзистора 3 одного плеча дифференциального каскада подключена нелинейная нагрузка в виде прямосмешенного диода 5, а к коллектору транзистора 4 другого плеча дифференциального каскада подсоединен резистор 6. Второй дифференциальный каскад содержит транзисторы 7, 8. К коллектору транзистора 7 подключен резистор 9, а к коллектору гранзисгора

8 подключен прямосмещенный диод 10.

Каждый дцффереппиалы.ый каскад питает ся от источников гока 11.

Нагрузка одного плеча камсдого нечетно го дифференциального каскада и другого плеча каждого четного диффере шиального

564710

Составитель Э. Гилянская

РедактоР И. МаРховскаЯ ТехРед А. Демьинова КоРРектоР А, власенко

Заказ 2062/217 Тираж 1065 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений,. и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 каскада выполнены нелинейными в виде прямосмещенного диода.

Дифференциаль,ный усилитель работает следующим образом.

В режиме покоя выходное напряжение усииителя р но нулю;при нулевом входном нанряжении, если характеристики транзистОров 3 и 4, 7 и 8 идентичны, а статические сопротивления црямосмещенных диодов 5, 10 совпадают соответствено с сопротивлениями резисторов 6, 9.

При подаче входного напряжения на выходе образуется усиленный сигнал. Посколь ку динамические сопротивления прямосме щенных диодов 5, 1С малы, то постоянные времени усилителя определяются путем умножения величины сопротивления резистора 6 на величину входной емкости транзистора 8 и величины сопротивления резистора 9 на величину выходной емкости транзистора 7. Значения этих емкостей бпизки к коллекторным емкостям транзисторов 3Ä

4, 7, 8. формула изобретения

1. Дифференциальный усилитель, содержащий И. raejn = 2,3, 4,... последовательно соединенных дифференциальных каскадов, выполненных каждый с симметрув» ными входами и нагрузкой в каждом mix

V отличающийся тем, что, с цедр повышения, быстродействия, нагрузка одно щ го плеча каждого нечетного дифференци» ального каскада и другого плеча каждого четного дифференциального каскада выполнены нелинейными.

2. Дифференциальный усилитель по и. 1, 1Б отличающийся тем, что нелиней ная нагрузка выполнена в виде прямосмещенного диода, Источники информации, принятые во вни20 мание при экспертизе:

1, Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.

М., "Энергия", 1973>с. 410.