Материал для пропитки конденсаторов

Материал для пропитки конденсаторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 567i79

К ПАТЕНТУ

{61) Дополнительный к патенту(51) М. Кл.

Н 01 В 3/18 (22) Заявлено 05.03.73 (21) 1897019/21 (23) Приоритет — (32) 06.03.72

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (31) 232152 (33) США (43) Опубликовано 30,07.77. Бюллетень № 28 (45) Дата опубликования описания 12.07.77 (53) УДК

678.026,2 (088,8) (72) Автор изобретения

Иностранец

Ралф Хоуард Манч (США) Иностранная фирма

"Монсанто Компани" (71) Заявитель (США) (54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПРОПИТКИ КО11ДЕИСАТОРОВ

Изобретение относится к технологии изготовления радиоаппаратуры, а именно к материалам для пропитки конденсаторов, Известен материал для пропитки конденсаторов на основе эпоксидных и ароматических органических соединений.

Однако известный материал является недостаточно устойчивым к атмосферному воздействию.

Цель изобретения — повышение устойп вости материала к атмосферному воздействию.

Для достижения цели он в качестве ароматического органического соединения содержит свободное от галогена ароматическое соединение и дополнительно жпержит диарилсульфон при следую. щем соотношении исходных компонентов, вес. %:

Диарилсульфон 10,0 — 80,0

Эпоксидное соединение 0,1 — 3,0

Свободное от галогена органическое соединение Остальное, Свободное от галогена ароматическое органическое соединение выбрано иэ группы, состоящей из алкилбензола, алкилнафталина, алкилбифешша, алкариловых сложных эфиров и их алкилзамещенНых производных, диар илалк апов и их алкилзамещенных производных, и диариловых слолагьх

2 эфиров и их алкилзамещенных производных, в которой укаэанные алкиловые группы и алканы имеют от 1 до 20 атомов углерода, причем упомянутые арнловые радикалы есть бензол, нафталищ бифенил, потшфештл, а упомянутые лолифенилы включают от 3 до 5 фе ыловых групп, Б качестве алкилбифеннла он содержит изопропилбифенил.

Диарил сульфон представ ле и структурной форм лой

О

11 (11 )и-Аг — 8 -Ат -(В)д, где Аг — фениловый, нафпшовьп, индановый радикал, R — алкиловый радикал с количеством атомов углерода от 1 до 8, п = 1-3.

2и Причем в качестве диарнлсульфона on содержиттолилк силилсульфон.

Представителя ш диариловых сульфонов, охватываемых приведе шюй структурной формулой, являются дифенилсульфон, дитолнлсульфон, фенил. д ксилилсульфон, толилксилилсульфон, фенилтолил.

67179

Составитель Г. Богдалова

Техр ед И. Асталол1

Корректор И. Гоксич

Редактор Н. Коляда

Тираж 976 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открьпий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 1767/691

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

5 сульфон, индантолилсульфон, индан.динафтилсульфон, нафтилфенилсульфон, нафтилксилилсульфон и нафтилтолилсульфон.

К представителям свободных от галогена ароматических соединений относятся алкилбенэол, алкилнафталин, алкилбифе пил, алкилполнфенил, алкариловые сложные эфиры и их алкилэамещенные производные и диариловые сложные эфиры и их алкилэамещенные производные, в которых упо. мянутые алкиловые группы и алканы имеют m 1 до 20 атомов углерода, причем упомянутые ариловые радикалы есть бензол, нафталин, бифенил или полифенил, а упомянутые полифенилы включают от трех до пяти фениловых групп.

Специфическими примерами таких ароматических органических соединений, свободных от галогенов, являются Сз 4 алкилбензоциклогексилатилбензол Сз 4 алкилнафталии, Сз 4 алкилтетраалинизопропилбифенил, /циклогексилбифенил, С4 < алкилфенилэфиры, дифенилметилпентан, бензилэтилбензол, дифенилэфир и феноксибифенил., В качестве представителей эпок сидйых соеди пений в материале для пропитки конденсаторов могут быть использованы 1 - эпоксиэтил - 1,3,4-эпоксициклогексан, 3,4 - эпокси - 6 - метилциклогексан карбоксилат. Эти эпоксиды содержатся в материале в количестве от 0,1 до 3 вес.%.

Оптимальное содержание исходных компонентов материала для пропитки конденсаторов, вес. .

Толилксилилсульфон 10 — 317

3,4 - эпоксициклогекалметил-1,3,4 - эпоксициклогексанкарбоксилат 0,1 — 3,0

Иэопропилбифе пил Остальное

Формула изобретения

1. Материал для пропитки конденсаторов на основе зпоксидных и ароматических органических соединений, отличающийся тем, что, с пелью повн1ения устойчивости.его к атмосферному воздействию, он в качестве ароматического органического соединения содержит свободное от галогена ароматическое соединение и дополнительно содержит диарилсульфон при следующем соотношении исходных компонентов, вес.%:

Днарилсульфон 10,0 — 80,0

Эпоксидное соединение 0,1 — 3,0

Свободное от галогена

19 органическое соединение Остальное .

2. Материал по п. 1, отличающийся тем, что свободное от галогена ароматическое органическое соединение выбрано из группы, состоящей из алкнлбензола, алкилнафталина, алкилбифенила, 15 алкариловых сложных эфиров и их алкилэамещенных производных, диарилалканов и их алкилзамеще нных производных, диариловых сложных эфиров и их алкилзамещенвых производных, в которой указанные алкиловые группы и алканы оп имеют от 1 до 20атомов углерода, причем упомянутые ариловые радикалы представляют собой бензол, нафталин, бифенил, полифеннл, а упомянутые полифеннлы включают от трех до пяти фениловых групп.

3. Материал по mr. 1 н 2, о тли ча ющи и ся тем, что в качестве алкилбифенила он содержит изопропилбифенил.

4. Материал по и. 1, отличающийся тем, что диарнлсульфон имеет структу13ную формулу:

39 о

II (R 1 — AI - Я-Др — (R.)

71 II 71

О где А„— феннловьй, нафтиловый, индановый радикал >

8 — алкиловый радикал с количеством атомов углерода от 1 до 8, и = 1 — 3.

5. Материал по п.1 и 4, отличающийся тем, что в качестве диарнлсульфона он содержит толилксилил сульфон.