Радиопрозрачный обтекатель

Радиопрозрачный обтекатель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

( . ." i r I Q; а,р;

t, И С А Н И Е (III зок(от

Союз Советских

Социалистических

Республик

О П

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l) Дополнительное к авт. свил-ву(22) Заявлено 11.07.76 (21) 2154812у09 с присоединением заявки №(23) Приоритет(43) Опубликовано05 08 77,Ьюллетеиь ¹2g (51) М. Кл.

Н 01 О 1/42

Государственный комитет

Совета Мнннстров СССР оо делам изобретений и открытмй (5З) 1J

B. А. Каплун и Л. М. Тимофеев (71) Заявитель (54) РАЙИОПРОЗРАЧНЫЙ ОБТЕКАТЕЛЬ

Изсбретение относится к антенной техйике, может использоваться при проектирова;нии радиопрозрачных обтекателей наземных радиолокационных систем.

Известен радиопрозрачный обтекатель, например, лля антенны летательного аппа» рата, содержащий элемент уменьшения искажений диаграммы направленности. антенны, выполненный в виде диэлектрической вставки jL).

Однако известный радиопрозрачный обтекатель не уменьшает искажений в области главного и апертурных лепестков диаграммы направленности антенны.

Бель изобретения - уменьшение искажений диаграммы направленности в области главного и апертурных лепестков, Для этого в радиопрозрачном обтекателе, например, цля антенны летательного armapaта с элементом уменьшения искажений диа» граммы направленности антенны, последний расположен в носовой части внутренней полости обтекателя и выполнен из тверпого диэлектрика С 1,Э1, где E, — пиэлектрическая проницаемость; его толщина в каждой точке вцол ь координаты, параллельной оси обтекателя, определяется выражением о с

Ь где дУо т — фазовый набег фронта волны за счет стенок обтекател я; д „ „- фазовый набег за счет диэлектрика.

На чертеже изображена конструкция ра: диопрозрачного обтекателя.

Элемент 1 уменьшения искажений диаграммы направленности антенны, расположен ный в носовой части внутренней полости 2 обтекателя, выполнен из твердого диэлектрика.- Его диэлектрическая проницаемость66 t,Ç

Толщина диэлектрика в каждой точке вдоль. ! координаты, параллельной оси обтекателя, определяется выражением

20 Дт + и Y CGt154> овт, диэл, где Д аоот — фазовый набет фронта волць1 за счет стенок обтекателя; а т — фазовый набег за счет пиэлекдиэл.

25 трика.

568101

Ау + àó „„=co?ts4, 15

Составитель Э. Гилинская

Редактор Б. Федотов Техред Н. Андрейчук Корректор С, Юдченко

Заказ 2810/38 Тираж 976 Подписное

0НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 з

Элемент 1 уменьшает фазовые искажения фронта волны в раскрыве антенны, созданные неплоскими стенками обтекателя, Толщина,диэлектрика в каждой точке такова . что вносимые в диаграмм направленности фазовые искажения компенсируются во всем секторе углов сканирования антенны.

Описанный обтекатель уменьшает вноси« мые в диаграмму направленности антенны искажения в области главного и апертурных . 1О лепестков.

Формула изобретени

Радиопрозрачный обтекатель, например;

Юля антенны летательного аппарата. с элементом уменьшения искажений диаграммы направленности антенны, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью уменьшения щ искажений диаграммы направленности в области главного и апертурных лепестков, элемент уменьшения искажений диагра.. мы r.ã.;— правленности антенны расположен в носовой части внутренней полости обтекателя и выполнен из твердого диэлектрика Я < 1,3, где 6 — диэлектрическая проницаемость, при этом его толщина в каждой v.".,ке вдоль координаты, параллельной оси обтекатель, определяется выражением где ЬЧо5т — фазовый набег фронта за счет стенок обтекателя; ду „- фазовый набег за счет диет диэл лектрика.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Каплун В. А.— Обтекатели антенны СВЧ

М.; Советское радио", 1974 с.180-188, . рис. 6, 12.