Тензопреобразователь"

Тензопреобразователь"

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (»> 568852

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное K авт. свид-B) — (22) Заявлено 15.01.76 (21) 2324755/10 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 15.08.77. Бюллетень № 30 (45) Дата опубликования описания 14.11.77 (51)М.Кл.- G 01 К 7/22

А 61 В 5j00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 531.787.23 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. Н. Зимин, В. С. Папков, М. В, Суровиков и Л. H. Поддубная (71) Заявитель (54) ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЪ два прямоугольных выступа 8, полупроводниковые тензорезисторы 4, соединенные прп помощи контактных площадок 5. Внешние границы мембраны и выступов на чертеже проекции показаны пунктиром.

Изобретение относится к области измерительной техники и предназначено для применения в медицинской аппаратуре при измерениях давления во внутренних органах человека. 5

Известны преобразователи, использующие тензоэффект в полупроводнтвках (1), однако размеры этих преобразователей велики, что исключает возможность применения в медицинской аппаратуре.

Наиболее близким к предлагаемому является известный микроминиатюрный тензопреобразователь, содержащий круглую мембрану с тензочувствительными резисторами, со- . еднненньвми по мостовой схеме (2).

Недостатком известной конструкции является низкая разрешающая способность, т. е. слабая чувствительность к небольшим изменениям давления.

При воздействии давления мембрана прогибается, причем выступы на ее поверхности играют роль концентраторов механического напряжения, увеличивающих деформацию тонких участков мембраны, а соответственно, и деформацию полупроводниковых тензорезисторов, что позволяет повысить точность измерений.

Формула изобретения

Тензопреобразователь, содержащий мембрану с полупроводниковыми тензорезисторамп, соединенными по мостовой схеме, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности, на одной стороне мембрана имеет прямоугольные выступы, между которыми на обратной стороне мембраны сформированы полупроводниковые тензорезисторы.

Для повышения разрешающей способно сти в предлагаемом тензопреобразователе на одной стороне мем брана имеет прямоугольные выступы, между которыми на обратной стороне мембраны сформированы полупроводниковые тензодатчики.

На фиг. 1 и 2 показан описываемый тен- Источники информации, принятые во внпзопреобразователь, содержащий диск 1 с про- мание прп экспертизе: филем мембраны 2, на которой расположены 30 1. Полякова А. Л. «Ôèçè÷åñêèå лринципы

568852 работы полупроводниковых датчиков механп ческих Величи!!>>. АеуетическиЙ жуj)на. r, то.

Х1 III, вып. 1, 1972.

lj

Составитель Л. Кочураев

Тскред М. Семенов

Редактор С. Хейфиц

Корректор В. Гутман

3 ак аз 677/ 699 Изд. № 668 Тира>к 881 Поди пс!сое

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред, «Патент»

2. Я урнап «IEEE Transactions of Biorne йса! Enginee! ïg VBiME-20», № 2, 1975, стр.

101 — 109 (прототип).