Способ измерения напряженности магнитного поля

Способ измерения напряженности магнитного поля

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

>568915

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬ СТВУ (б1) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 22.12.75 (21) 2302574/21 с присоединением заявки №вЂ”

Союз Советских

Социалистических

Республик (51) М.Кл 2 G 01 R ЗЗ/02

ГОСУА Рственныи комитет (23) П ио

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.317.421.2 (088.8) (43) Опубликовано 15.08.77. Бюллетень № 30 (45) Дата опубликования описания 27.12.77

А. С. Петров, М. М. Ключников и В. В. Филиппов .

1 (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕН НОСТИ

МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности, к технике измерения напряяенности магнитного поля в зазоре .магнитной головки.

Известен способ определения магнитного поля, использующий пленочный датчик с полосовыми или цилиндрическими магнитными доменами (1).

Согласно этому способу на поверхность предварительно намагниченного материала 10 наносят индикатор, монокристаллическую пленку магний-марганцевого феррита с лолосовой доменной структурой,,и по рисунку, образованному под воздействием полей рассеяния, судят о качестве изделий. Однако такой 15 способ не позволяет измерить величину напряженности магнитного поля.

Известен способ измерений магнитных полей путем помещения в выбранную точку монокристаллической магнитноодноосной плас- 2о тины с полосчатой доменной структурой (21. ,Пластину освещают поляризованным светом и по изменению ширины доменной полосы или смещению ее центра относительно начала отсчета судят о величине измеряемого 25 магнитного поля H.

Недостатком такого способа является сравнительно малая точность, связанная с погрешностью в измерениях линейных размеров доменов в пластине.

Целью изобретения является повышение точности измерения напряженности магнитного поля.

Это достигается тем, что по способу измерения напряженности магнитного поля путем регистрации изменений доменной структуры монокристаллического пленочного датчика при помещении последнего в измеряемое поле, изменяют температуру датчика до тех пор, пока граница исчезновения доменов в пленке не пройдет через определенную точку, и по величине температуры определяют значение магнитного поля в данной точке пространства.

Способ основан на том, что домены, существующие в монокристаллической пленке, ста бильны в определенном диапазоне полей, перпендикулярных плоскости и при полях, превышающих критическую величину (Н,), онп исчезают. Величина H, для данной пленки изменяется с изменением температуры. Изменяя температуру датчика. добиваются исчезновения доменов в исследуемой точке пространства. По известной температуре датчика и зависимости H ; от температуры определяют величину H ;. Домены исчезают в области полей рассеяния (H ), граница которой определяется соотношением H„= H, На фиг. 1 приведена схема устройства для измерения напряженности магнитного поля по

568915 предлагаемому способу; на .фиг. 2 — зависимость Н; от температуры (Т) для магнитной монокристаллической пленки состава

У, В10,3Рез, oa,äО д, выращенной на немагнитной подложке из гадолиний-галиевого граната.

Выращивание производилось на поверхности (Ш) подложки.

Датчик 1 (фиг. 1) состоит из монокристаллической подложки .2, с нанесенными на нее монокристаллической магнитной пленкой 3 и нагревательным пленочным элементом (пленка

SnO ) 4. В состав датчика также входит термопара 5. Датчик помещают в зону действия полей рассеяния от исследуемого образца б.

Наблюдение за ЦИД ведут в проходящем поляризованном свете за счет эффекта Фарадея.

Свет от источника 7 через поляризатор 8, датчик и анализатор 9 попадает на микроскоп 10.

Процесс измерения напряженности магнитных полей рассеяния от исследуемого образца сводится к следующему, Сначала, фокусируя микроскоп 10 и меняя угол между плоскостями поляризатора 8 и анализатора 9, добиваются резкого, контрастного изображения доменов в магнитной пленке 8 датчика 1.

В тех участках пленки, где нормальная к поверхности пленки составляющая напряженности поля рассеяния (Н,) от исследуемого образца б больше, чем критическая величина поля (О,),;будет наблюдаться разрушение доменов. Граница области существования доменов в пленке определяется соотношением

Нр —— Н,. Для измерения напряженности поля рассеяния (Нр) в данной точке изменяют температуру датчика до тех пор, пока граница области существования доменов не пройдет через данную точку. Значение У„соответствующее данной температуре, определяют по известной зависимости Н,. = f(T) (фиг.

2). Напряженность поля рассеяния в исследуемой точке пространства определяется ра1Р венством Нр — Н,.

Динамические измерения производят путем скоростной киносъемки или путем фотографирования при стробоскопическом освещении.

Формула изобретения

Способ измерения напряженности магнитного поля путем регистрации изменений до20 менной структуры монокристаллического пленочного датчика при помещении последнего в измеряемое поле, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, изменяют температуру датчика до тех пор, 25 пока граница исчезновения доменов в пленке не пройдет через определяемую точку, и по величине температуры определяют значение магнитного поля в данной точке пространства.

30 Источники иноформации, .принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР

Мо 457786, кл. G 01 R,33/02, 1973.

2, Авторское свидетельство СССР

35 М 459999, кл. G 01 R 33/02, 1973.

568915

20

Фиг. 2

Корректор И. Симкина

Редактор Н. Каменская

Заказ 675/1708 Изд. № 684 Тираж 1109 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4f5

Тип. Харьк. фил. пред. сПатент»

20

Составитель О. Богомолов

Техред И. Карандашова