Электрорадиографическая пластина

Электрорадиографическая пластина

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ, Союз Советских

Социалистических

Республик (»>568930

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

+7 1йт, В а о !г

: —,—.-,%X, „ =-.

1 з

i (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 22.08.75 (21) 2168345/12 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 15.08.77. Бюллетень № 30 (45) Дата опубликования описания 09.11.77 с (51) М.Кл.- G 03 6 5 02

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 772.93. (088.8) (72) Авторы изобретения

В. С. Балтушис, И. П. Варанецкас, Э. А. Монтримас, А. И, Каминскас, Ю. К. Ракаускас и 3. И. Шимкунене (71). Заявитель

Научно-исследовательский институт электрографии (54) ЭЛЕКТРОРАДИОГРАФИЧЕСКАЯ ПЛАСТИНА

Изобретение относится к области радиационной двфектоскопии для определения дефектности контролируемых объектов большой толщины.

Известны элекгрорадиографические пластины, содержащие подложку на основе алюминиевого сплава с нанесенным на нее усиливающим экраном из свинца или олова и аморфного слоя селена (I). В настоящее время серийно изготавливаются электрорадиографические пластины для радиогра фирования объектов большой толщины, состоящие из подложки-основы из алюминиевого сплава, поверхность которой покрыта имерсионным слоем цинка-никеля, слоя никеля, усиливающего экрана из олова, промежуточных слоев и трехселенистого мышьяка и верхнего слоя аморфного селена (2). Такое выполнение электрорадиографической пластины позволяет ловьвсить качество получаемых изображений.

Прослойка из тяжелого металла действует как усиливающий экран и позволяет в несколько раз сократить время экспонирования, а также увеличить просвечиваемую толщину металла за счет уменьшения вредного действия рассеянного рентгеновского излучения.

Однако известные электрорадиографические .пластины имеют низкую холодоустойчивость, которая не превышает минус 5 — 10 С.

При температуре ниже минус 5 — 10 С фоточувствительный слой трескается и отскакивает от подложки. Это связано с сильной несогласованностью коэффициентов теплозого расширения аморфного селена (370. 10 град. - ), олова (200 10- град.— <) и алюминия (240 - 10 †град. †). Низкая холодоустойчивость пластин сужает область применения электрорадиографичвского метода в промышленной дефектоскопии, особенно при работе в полевых условиях.

Целью изобретения является повышение холодоустойчивости электрорадиографическпх пластин и упрощение технологии их изготозл ения.

Цель достигается путем подоора необходимой природы металлических слоев и пх компонировки в многослойную систему, которой обеспечивается высокая холодоустойчизость электрорадиографических пластин при полном сохранении их фоточувствительности и других сенситометрическпх параметроз.

Предлагаемая электрорадиографическая пластина отличается от известных IIð Iðoäoé тяжелого металла и по композиции расположения отдельных слоев в многослойную с.Iстем у.

На чертеже показана предлагаемая электрораднографическая пластина, поперечный

30 разрез.

Она состоит из алюминиевой подложки I, тонкого имерспонного слоя 2, нанесенного из расплава цинк-никель, электрохимическим способом осажденного слоя 8 никеля, прослойки 4 тяжелого металла с высокю козффII- 5 циентом теплового расширения, напыленHîI о в вакууме слоя 5 толщиной 1 — 2 якм трехселенистого мышьяка и верхне" 0 слоя б аморфного селена.

Слой металлического кадмия пли индия наносится гальваническим способом на алюминиевую подложку, предварительно покрытую имерсионным слоем и слоем никеля толщиной 2 — 3 мкл.

Электролитическое кадмирование пли HHдирование производится в кислотах или в цианистых электролитах. Для обеспечения высокой холодоустойчивости электрорадиографической пластины толщина слоя кадмия или 20 индия должна быть не меньше 40 мк,я. При меньших толщинах слоя кадмия или индия холодоустойчивость,пластины понижается.

Так .как слой металлического кадмия или индия одновременно является л усиливающим экраном, поэтому для обеспечения необходимого радиографического контраста и усиливающего действия при жестком облучении его толщина должна быть в пределах

40 — 100 мкм. 30

Электролитическое,кадмирование или индирование позволяет получить слои кадмия пли индия с однородной поверхностью,,поэтому отпадает необходимость,покрывать его промежуточным металлическим слоем никеля, как это |делается при изготовлении электрорадиографических пластин с усиливающими экранами из свинца или олова. Это сугцественно упрощает технологию изготовления пластин. На поверхность слоя кадмия или 40 индия при температуре подложки 100 — 150 С напыляется тонкий (1 — 2 мкм) промежуточный слой трехселенистого мышьяка, который повышает кристаллизационную стойкость аморфного селена. На поверхность подслоя трехселенистого мышьяка при температуре подложки 70 — 90 С напыляется слой селена толщиной 200 — 400 мкм в зависимости от требуемой фоточувствительности.

Указанная композиция электрорадиографической пластины позволяет повысить:гх холодоустойчивость до минус 40 С, з то время как холодоустойчизость пласти-I с экранамп из олова или свинца, а также и без прослойки тяжелого металла, не превышает минус 5 — 10 С. Фоточувствительность и другие сенситометрические параметры предлагаемых пластин не уступают аналогичным параметрам пластин с усиливающим экраном из олова или свинца.

Формула изобретения

Электрорадиографическая пластина, включающая подложку-оснозу из алюминиевого сплава, имерсионный слой цинка-никеля, тон.кий слой никеля, экранирующий слой, выполненный из тяжело го металла, слой кристаллизационного стойкого аморфного трехселенистого мышьяка и слой аморфного селена, о гли ч а ю ща яся тем, что, с целью повышения холодоустой чивости пластины до — 40" С и упрощения технологии ее изготовления, з качестве тяжелого металла используют кад.мий или индий, а слой аморфного трехселснистого мышьяка расположен непосредствечно на,поверхности экранирующего слоя.

Источники информации, принятые во:внимание при экспертизе:

1. Патент США № 2859350, кл. G 03g 5!02, 1958.

2, Авторское свидетельство СССР ¹ 463365, кл. G 63 G 5;02, 1972.

568930

Составитель И. Варанецкас

Техред М. Семенов Корректор В. Гутман

Редактор В, Блохина

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

Заказ 667/1705 Изд. № 680 Тираж 585 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5