Устройство для преобразования оптических изображений

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1. JJ

О п И С А Н И Е

ИЗОБРЕТЕН Ия

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

<>568931 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 06.08.75 (21) 2169038/12 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 15.08.77. Бюллетень № 30 (45) Дата опубликования описания 09.11.77 (51) М.Кл G 03 б 15/00

G 11 В 7/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 772.93 (088.8) (72) Автор изобретения

Б. И. Белоусов (71) Заявитель

Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ

ОПТИЧЕСКИХ ИЗОБРАЖЕНИЙ

Изобретение относится к области электрофотографии, в частности к устройствам для преобразования оптических изображений.

Известно устройство для преобразования оптических изображений, содержащее деформируемый слой, металловолоконную пластину, фотополупроводниковый слой, оптический растр и прозрачный электрод (1).

Недостатком известного устройства является невысокое качество изображения.

С целью улучшечия качества изображения предлагаемое устройство для преобразования оптических изображений содержит кристаллическую пластину, обладающую поперечной анизотропией электрических свойств, обращенную одчой стороной к деформируемому слою, а фотополупрозодниковый слой, оптический растр и прозрачный электрод расположены на противоположной ее стороне.

На чертеже изображена принци пиальная схема предлагаемого устройства.

Деформируемый слой 1 нанесен на проводящую основу 2. Над;поверхностью слоя 1 размещеча кристаллическая пластина 8, обладающая анизотропией электрических свойств, покрытая фотополупрозодниковым слоем 4.

На свободную поверхность слоя 4 последовательно нане сены оптический растр 5 и прозрачный электрод б. Между электродом б и проводящей основой 2 подключен источник

7 электрической энергии.

Известно, что физические свойства криста1;IQB (тепловые, электрические, магнитные, оптические) могут быть различными по разным кристаллографическим направлениям.

В данном устройстве кристаллическая пластина 8зыпо.лнена из материа.ла, .обладающего анизотропией электрической проводимости в поперечном направлении. В этом случае экспонирование изображения 8 на фэтополупроводниковый слой 4 через прозрачный электрод б .и оптический растр 5 обуславливает,появление сзободчых носителей электрической энергии, которые благодаря анизотропии электрической поверхности кристаллической !пластины 8 приводят к изменению напряженности электрического поля в зазоре между деформируемым слоем 1 и

20 пластиной 8. Таким образом, электрическое поле модулируется изображением 8 и на поверхности деформируемого слоя 1 возникает механический рельеф, соответствующий световому изображению.

Полученные механические деформации на деформируемом слое 1 могут быть воспроизведены в форме светового изображения с помощью известных систем щелезой оптики.

Применение .кристаллической пластины позволяет повысить разрешающую способность

568931

Формула изобретения ((в

В 1

Составитель В. Ипполитов

Техред M. Семенов Корректор И. Симкина

Редактор В. Блохина

Заказ 667/1705 Изд. № 680 Тираж 585 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, )K-З5, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» устройства, так как в этом случае îíà определяется оптическим растром 5, в отличие от известного устройства, где разрешающую способность определяет количество металлических стержней на единицу площади металловолоконной пластины.

Оптический растр можно изготовить на один — два порядка выше по разрешающей способности, чем металловолоконную пластину.

Устройство для преобразования оптических изображений, содержащее деформируемый слой, фотополупроводниковый слой, оптический расстр и прозрачный электрод, о тличающееся тем, что, с целью улучшения качества изображения, оно содержит кри5 сталлическую пластину, обладающую полеречной анизотропией электрических свойств, обращенную одной стороной,к деформируемому слою, а фотополупроводниковый слой, оптический растр и прозрачный электрод .рас10 положены на противоположной ее стороне.

Источник информации, принятый во внимание при экспертизе:

1. Патент Великобритании ¹ 125325, 15 кл. Н 4 F, 1972.