Способ изготовления транспарентных фотошаблонов

Способ изготовления транспарентных фотошаблонов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

QllИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 570005

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17.05.7.4 (21) 2029950/21 с присоединением заявки № (23) Приоритет. (43) Опубликовано25.08.77. Бюллетень № 31 г (51) М, Кл.

Cj 03 С 5/00

Н 05 К 3/06

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (ДЗ) УДК 621.382.002 (088. 8) (45) Дата опубликования описания 20.09.77

Г. Н. Березин, В. Н. Гуржеев, В. И, Захаров, А, В, Никитин и P. A. Cypuc (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНСПАРЕНТНЫХ ФОТОШАБЛОНОВ

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к цветным фотошаблонам, используемым в фотографии для производства тонкопленочных интегральных: микросхем методами планерной технологии. 5

Известен способ изготовления транспарентных фотошаблонов, включаюший нанесение на стеклянную подложку маскирующего слоя с последующим формированием заданного геометрического рельефа методом фотоли- 10 тог рафии.

Однако при изготовлении фотошаблонов известным способом появляются дифракционные искажения и дефекты, а также небольшой диапазон рабочих экспозиций. 15

Цель изобретения - устранение дифракционных искажений и дефектов и расширение диапазона рабочих экспозиций.

Это достигается тем, что формирование заданного геометрического рельефа проводят 20 путем локального послойного удаления материала со стороны маскируюшего слоя с одновременным изменением оптической разности фаз между лучами актиничного caera, проходящими через маскирукхций и прозрачный 25 участки фотошаблона, до получения глубины рельефа, обеспечивающей упомянутую оптическую разность фаз, кратную 2 Т

На фиг. 1 показан процесс контактной печати с применением цветного фотошаблона, изготовленного согласно предложенному способу; на фиг. 2 — распределение освещен:ности на слое фоторезиста в процессе переноса изображения.

Устройство для контактной печати содержит прозрачную основу 1 фотошаблона с маскирующим слоем 2 и подложку 3 с нанесенным на нее слоем 4 фоторезиста, на который переносится изображение. Падающий пучок А света, проходя через фотошаблон, претерпевает дифракцию на границе маскируюшего слоя 2 и прозрачного участка "a".

Лифрагировавшие лучи Б, попадая в область тени под маскирующим слоем 2, интерферируют на поверхности слоя 4 фоторезиста с прошедшими сквозь маскирующий слой 2 лучами В.- В результате распределение осве. шенности на слое 4 фоторезиста приобретает вид, показанный на фиг. 2.

Наличие максимумов интенсивности в области тени и минимумов в зоне света приводит к тому, что дпя получения бездефектных пропечатков экспозиция должна находиться в определенном интервале. Если экспозиций слишком мала, то в зоне света око. ло минимума освещенности "б" (см. фиг 2) останется валик неудяленного фоторезиста— двойной край в области света. Если же экспозицию завысить, то реэист будет удален даже в зоне тени вблизи максимума освешенности в - двойной край в области тени.

Из теории дифракции следует, что высота максимума в и следовательно, величина рабочего интервала освещенностиь7 4 зависит < 5 о1 разности фаз лучей И и Г (см.- фиг. 1).

Мощность интерференционных максимумов наименьшая, а величине рабочего интервала наибольшая при разности фаз ф, кратной

2УГ, т. е.в случае. Ф =О, М =2Т „ 0

Ф =2 23Г,. 9 =3 ° 23 иr.д.

Тяк как на разность фаз Ф влияет главным образом глубине травления (см. ф г. 1}, необходимо прн локальном удалении маскирующего слоя:создавать Б такую глубину рельефа рисунка, которая обеспечивает необходимую разность фаэ

М = K-2Ъ, где К = 0, 1, 2, 3 и т. д.

Необходимую глубину травления можно установить путем послойного удаления

30 мескирующеГо coos и, если необходимо, прозрачной основы шаблона с одновременным измерением разности фаз, например, с помошью рефратометра Жаменя.

Выполнение в фотошабпоне глубины геометрического рельефа в каждом конкретном случае определенного размера, обеспечивяю щего оптическую разность фяз между лучами яктиничното света, прошедшими через маскирующий и прозрачный участки шаблона кратную 23 поволяет устранить укаэанные недостатки

Необходимую глубину травления можно контролировать в процессе изготовления фотошеблона, например, с помошыо рефряктометра Жамене.

Формуле изобретения

Способ изготовления трянспарентных фотошаблонов, включающий нанесение на стеклянную,подложку мяскируюшего слоя с йослецующим формированием заданного Геометрического i рельефа, методом фотолитографии, отличающийся тем, что,с целью устранении дифракционных искажений и дефектов и расширения диапазона рабоиих экспозиций, формирование заданного геометрического рельефа проводят путем локального послойного удаления материала со сто роны маскирукнцего слоя с одновременным измерением оптической,разности фаз между лучами актиничного света, проходяшими через маскирующий и прозрачный участки фотошаблона, до получения глубины рельефа, обеспечивакхцей упомянутую оптическую разность фяз, кратную 2Г

Г 70005

О

Л

Составитель Т, Богдалова

Редактор Т, Загребельная Техред А. демьянова Корректор (С. Юдченко

Заказ 3049/39 тираж 574 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент; r. Ужгород, ул. Проектная, 4