Ячейка памяти для регистра сдвига

Ячейка памяти для регистра сдвига

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Ресяублнк

ОП ИСАЙИ Е

ИЗОБВЕТЕН ИЯ

К АВТОВСКОМУ СВИДЙТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 03.11.75(21) 2186642/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08.77Бюллетень,% 31 (45) Дата опубликования описания30.09.7 7 (11) 670108 (51) М. Кл.

2 (11 С 19/28

Гееударственный кеннпет

Севете Мнннетрое СССР не aeaesa ннебРетеннй .и атнрнтнй (53) УДК 681.327.66 (ОЯ8.8) (72) Авторы изобретения

П. Н. Зуб и Е. И. Семенович (71) Заявитель (54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ ДЛЯ РЕГИСТРА СДВИГА

Изобретение относится к вычислитель ной технике, в частности.к запоминающим устройствам.

Известны ячейки памяти для регистров сдвига на МДП-транзисторах. Одни из Них отличаются высоким быстродействием и экономичны по потребляемой мощности, но сложны в эксплуатации, так как требуют большого количества тактовых импульсов(1).

Другие ячейки памяти просты в эксплуа- щ танин, но имеют сравнительно невысокое быстродействие и неэкономичны по потребляемой мощности(2$.

Наиболее близкой к изобретению является ячейка памяти для регистра сдвига, со- 15 держащая коммутирующий МДПгранзистор и инвертор, выполненный на последовательно включенных нагрузочном и ключевом

МДП-транзисторах, причем затвор нагру- зочного транзистора подключен к- шине так- щ тового питания(3). Эта ячейка имеет невысокое быстродействие. Обусловлено это наличием на выходе каждого каскада большой паразитной емкости, представляющей собой емкость затвор-канал ключевого тр н 2а

2 зистора, а также малой крутизной характеристик нагрузочного транзистора, ко горан должна быть в 10-20 раз меньше крутизны характеристик ключевого транзистора для обеспечения на выходе каскада напряжения логического О .

11ель изобретения - повышение быстродействия ячейки.

Достигается это тем, что в известной ячейке памяти для регистра сдвига исток коммутирующего МДП-транзистора подключен к затвору ключевого МДП-транзистора, а сток — к шине тактового питания.

На чертеже дана предлагаемая ячейка.

Ячейка памяти для ре1истра сдвига содержит нагрузочный МДП гранзистор 1, ключевой МДП-транзистор 2, коммутирующий

МДП-транзистор 3, шину питания 4, шину тактового питания 5, узловые емкости 6, 7 и 8. Кроме того ячейка имеет вход 9 и выход 10.

Предлагаемая ячейка paR.тает следующим образом. При подаче на вход 9 напражения логической " коммутирующий МДПтранзистор 3 открывается, т.е. под его

5701

3 затвором ындупируется канал. Во время нарастания на шине 5 тактового питания напряжения тактового импульса с помощью емкости затвор-канал коммутирующего

МДП-транзистора 3 на узловую емкость 6 передается дополнительное напряжение, в результате чего напряжение на затворе коммутируюшегося МДП-транзистора 3 превышает напряжение тактового импульса. Поэтому во время действия тактового нмпуль- щ са на шине 5 узловая емкость 7 заряжается до напряжения тактового импульса и открывазтса ключевой МДП-транзистор 2. А так как крутизна характеристик ключевого

МДП»транзистора 2 во много раз превы- 15 шает крутизну характеристик нагруэочного

МДП-транзистора 1, то узловая емкость 8 разряжается через открытый ключевой МДП транзистор 2 иа шину питания 4, и на выходе 1О первого каскада устанавливается 20 напряжение логического О . После окончания действия тактового импульса на шине тактового питания 5 йагрузочйый МДП-трап-е зистор 1 закрывается, емкость 7 разража т са через коммутирующий МДП граизистор 3 иа ншну 5 тактового питания, которая в этс время находится под потенциалом, равным ива енпмапу обшей шины питания, а на емд р ти 8 хранится напряжение логического О

Аналогичным.,образом происходит и сдвиг ло -ичвокжо О

Ячейка памяти для регистра сдвига, содержащая коммутирующий МДП-транзистор и инвертор, выполненный на последовательно включенных нагруэочном и ключе вом МДП-транзисторах, причем затвор МДПнагруэочного;транзистора подключен к шине тактового питания, о т л и ч а ю ш а яс я тем, что, с целью повышения быстродействия ячейки, в ней исток коммутирующего МДП-транзистора подключен к зат» вору ключевого МДП-транзистора, а сток к шине тактового питания.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент США, №3.678.290, кп. ЗО7 205, 1972,, 2. Патент США, № 3.454.785, кл. 307-221 1969, 3. Патент США, № 3.395,292, кл. 307 221, 1968.:

1аким образом благодаря подключению коммутнРУккпего МЙБ-транзистора вору почевого МДП"транзистора, а стоеа» K со1И взтствуяицей тактовой шине

Ое

4 повышается быстродействие ячейки памяти регистра сдвига, так как уменьшается параэитная емкость на выходе каждого каскада из-за того, что плошади затворов коммутирующих МДП-транзисторов меньше, чем ключевых. Кроме того, заряд емкостей затво в ключевых МДП-транзисторов происхоро иит быстрее, так как крутизна характеоистик коммутирующих МДП- транзисторов, через которые происходит заряд этих емкостей, выше, чем нагрузочных.

Формула изобретения

ЦНИИПИ Заказ 3064/45

Тираж .729 Подписное

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул Проектная, 4