"способ получения кристаллических соединений а1у ву14

"способ получения кристаллических соединений а1у ву14

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6I) Дополнительное к авт. свид-ву(51) М. Кл.

В 01 3 17/32 (22) Заявлено170276 (21) 2322691/26 с присоединением заявки Рй—

Государственный комитет

СССР но делам изобретений н открытий (23) Приоритет— (53) УДК 621,315. 592 (088. 8) Опубликовано 05.02.79.Бюллетень .% 5

Дата опубликования описания 1002.79

Г. A. Домрачев, В. К, ХаМылов, М. Н. Бочкарев, Б. В. Жук, Б.A. Нестеров, Б.C. Каверин и А.И. Кириллов

P2) Авторы изобретения

P3) Заявитель

Институт химии AH СССР (54) СПО ОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ сОединений А я

Изобретение относится к области получения кристаллических соединений

А " В, которые могут испольэоваться в электронной промышленности.

Кристаллические соединения A В

1 / в виде слоев получают методом вакуумного испарения 1 ° Сущность его заключается в том, что в сосуде размещают два испарителя, в один поме- 10 щают элемент А -, а другой — элемент В" . Сосуд .эвакуируют до давления 10 торр, При нагревании испарителей элементы испаряются, и, конденсируясь на подложке, образуют соеди- IS нение A " В . Таким образом получают ряд двухкомпонентных соединений.

K недостаткам следует отнести сложности технологического порядка, необходимость вакуума, подбор темпера- Ю тур испарителей с целью получения необходимых скоростей испарения,. Слои, получаемые при вакуумном испарении, пористы, имеют низкую адгезию, Для получения хорошего сцепления с подложкой, необходимо нагревание подложки,.что часто приводит к потерям . испарения одного из компонентов. Трудно достигается стехиометричность состава Р B" . 30

Кроме того известен способ осаждения слоев иэ паровой фазы элементо органических соединений 2) . Сущность

его заключается в том, что исходные элементоорганические соединения переводят в парообразное состояние, реагируют на нагретой поверхности подложки с .образованием на подложке нелетучего осажденного соединения. Газообразные продукты удаляют из эоны реакции. К нагретой поверхности подложки подают одновременно пары элементоорганических соединений AB u

Bg, где R и И вЂ” органические радикалы, либо их смесь. Разлагаясь на нагретой поверхности подложки, соединения выделяют нелетучее соединение типа A Вт ; Этот способ позволяет получать плотные с хорошей адгезией слои. К основным недостаткам этого способа следует отнести трудности в регулировании процесса осаждения и пблучении покрытий, стехиометричных по составу.

11ель изобретения — улучшение регулирования процессом и повышение стехиометрии получаемого соединения.

Для этого в качестве элементоорганического соединения предлагается и пользовать соединение, содержащее ол39

Формула изобретения

Составитель В. Безбородова

Техред Э.Чужик Корректор.И. Демчик

Редактор Л. Письман

Заказ 148/48

Тираж 87б Подписное

ЦИИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, Ж-35„ Раушская наб., д. 4/5

Филиал ПП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная. 4

3 5702 новременно компоненты А " и Ф, имеющие в молекуле общую химическую связь и общую формулу Й А В Ч, где Ц ия — водород или алкилы. !

С целью получения кристаллическим, эпитаксиальных слоев термическое разложение ведут при осаждении продуктов на кристаллическую нагретую подложку.

С целью получения слоев теллурида алова -5q Ре в качестве элементоорганического соединения используют соединение общей формулы Й Ьп" е Й з или Ry Ой РЕЗп и -,. гдето, и g — алкилы, 10 выбранные из ряда метил, этил,пропил, бутил, и осаждение ведут на подло>кку, нагретую до 250-375 С.

С целью получения нитевидных кристаллов подложку нагревают изотропным

ИК-светом или направленным излучением со скользящим углом падения на подложку.

Пример 1. Для получения кристаллических слоеввпте берут в ка- 20 честве исходного соединения бис-триэтилстанилтеллур. Подложкой служит

О стекло, нагреваемое до 250 С. Давление в реакционной камере 10 торр.

В результате термического разложения на подложке получают текстурированный слойбп Ре толщиной 2 мкм.

EI р и м е р 2. Для получения эпитаксиальных слоев бп Те термическое разложение бис-триэтилстанилтеллура ведут при 300РС на монокристал- лические подложки, например ЯаСЦ.

Пример 3. Для получения нитевидных кристаллов бп Те берут в качестве исходного соединения бис-триэтилстанилтеллур. Подло>ккой может быть сталь,, нихром, стекло, кремний, слюда. Нагревание подложек осуществляют направленным ИК-излучением. Тем0 пература подложки 350-400 С, давление в камере 10 торр. Получены нитевид- 4i ные монокристаллы опТе длиной

500-1000 мкм.

Аналогичным образом получают кристаллические слои 5п 9 с ис поль зованием в качестве исходного, например, бис-триэтилстанилсульфида, слои ge Те . из бис-триэтилстанилтеллура или триэтилгермилэтилтеллурида, слои Cje5 из бис-триэтилгермилсульфида, а также

5 6 иэ бис-триэтилсилилселена и другие соединения А В, Кроме того, можно получить крупные нитевидные кристаллы этих соединений. Полученные слои и нитевидные кристаллы имеют стехиометрический состав. Использование одного исходного соединения обеспечивает лучшую регулируемость процесса.

1. Способ получения кристаллических -оединений А В термическим разложением элементоорганических соеди,,нений, содержащих компоненты А и

B t, отличающий с ятем, что, с целью улучшения регулирования процессом и повышения стехиометрии получаемого соединения, в качестве элементоорганического соединения используют соединение, содержащее одновременно компоненты А1 и В", имеющие в молекуле общую химическую связь, общей формулы Я А B Я, где Я иЧ водород или алкил.

2. Способ по п. 1, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью получения кристаллических, эпитаксиальных слоев, термическое разложение ведут при осаждении продуктов на кристаллическую нагретую подложку.

3. Способ по п. 1, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью получения слоев теллурида олова — 5п ге, в качестве элементоорганического соединения используют соединение с общей формулой к бп Те R > илиЯэбпТеЯп, где Й иЧ вЂ” алкилы, выбранные из ряI да метил, этил, пропил, бутил, и осаждение ведут на подложку, нагретую до 250-37"5 С.

4. Способ по п. 1, о т л и ч а .юшийся тем, что, с целью получения нитевидных кристаллов, осаждение ведут на подложку, которую нагревают изотропным ИК-светом или направленным излучением со скользящим углом падения на подложку.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Разуваев.Г.A. и др. Металлоорганические соединения в электронике, М., Наука, 1972, 2 0 EPect roche Goe 122 Р 3, 444-450, 1975,