Способ получения вольфрамовых покрытий

Способ получения вольфрамовых покрытий

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(1ц 570658

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

СОюз Советскик

Социалистических

Ресвубенк (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.07.75 (21) 2152781/02 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет

Опубликовано 30.08.77. Бюллетень № 32

Дата опубликования описания 15.09.77 (51) М. Кл, С 23С 11/02

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 621.793.16 (088.8) Оо делам изобретении и открытий (72) Авторы изобретения

Ю. М. Королев и В. Ф. Соловьев (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВОЛЬФРАМОВЬ!Х ПОКРЫТИЙ

Изобретение относится к области получения металлических покрытий тазофазным восстановлением соединений металлов, в частности к области получения вольфрамовых покрытий восстановлением гексафторида вольфрама водородом на нагретой подложке.

Известен способ получения вольфрамовых покрытий восстановлением гексафторида вольфрама водородом при 4 — 10-кратном избытке водорода и температуре подложки 500 †6 С (1).

Наиболее близок к предложенному способ получения вольфрамовых покрытий, предусматривающий пропускание газовой смеси, содержащей водород и 30 — 60 мол, % гексафторида вольфрама, при температуре подложки 700 — 1000 С (21.

Недостатками известных способов является неравномерность получающихся покрытий по толщине, несовершенство их текстуры при сравнительно низкой степени использования ,гексафторида вольфрама, Предложенный способ отличается от известного тем, что после проведения процесса при температуре подложки, равной 700 — 1000 С, и содержании 30 — 60 мол, % гексафторида вольфрама в газовой водородсодержащей смеси в течение 1 — 10 мин снижают температуру подложки до 400 — 600 С и содержание гексафторида вольфрама в смеси до 5 — 25 мол. %, причем температуру снижают со скоростью

10 — 100 С/мин при уменьшении содержания гексафторида вольфрама 1 — 3 мол. % на каждые 20 С.

Указанное отличие позволяет повысить рав. номерность покрытий, совершенство их текстуры и степень использования вольфрама.

Предложенный способ заключается в том, что процесс ведут при атмосферном давлении

10 и начинают его при температуре подложки, р авной 700 — 1000 С, и содержании 30—

60 мол. % гексафторида вольфрама в тазовой смеси, пропускаемой вдоль подложки. По истечении 1 — 10 мин, .не прекращая процесса, 15 температуру поверхности подложки снижают до 400 — 600 С, а содержание гекса фторида вольфрама в газовой смеси уменьшают до 5—

25 мол., причем температуру снижают со скоростью 10 — 100 С/мин при уменьшении со20 держания тексафторида вольфрама 1 — 3 мол. % на каждые 20 С, после чего продолKBIoT процесс до получения покрытия требуемой толщины, Пример. Вольфрамовое покрытие наносят

25 на молибденовую трубку диаметром 20 мм и длиной 700 мм, которая нагревается изнутри нихромовым нагревателем. Вдоль трубки, нагретой до 750 С, пропускают со скоростью

20 моль/ч газовую смесь, содержащую водо30 род и гексафторид вольфрама в количестве

570858

Составитель Л, Казакова

Техред Л. Гладкова

Корректоры: Л. Орлова и Л, Денискина

Редактор 3. Ходакова

Подписное

Заказ 2081/9 Изд. М 746 Тираж 1130

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

40 мол. %. Через 2 мин температуру йодложки в течение 5 мин снижают до 550 С с одновременным уменьшением содержания гексафторида вольфрама в газовой смеси до:18 .мол. % из расчета 2 мол. /о на каждые

20 С, после чего процесс продолжают еще

20 мин. В результате получают вольфрамовое покрытие толщиной 0,25 мм, неравномерность которого по толщине не превышает 10 — 12, при выходе по вольфраму 60%, а величина текстурного максимума равна 24, в то время как неравномерность IIOKpbITHH, полученных известными способами, составляет 16 — 20 /о, выход по вольфраму — не более 45%, а величина текстурного .максимума — 50 .

Формула изобретения

Способ получения вольфрамовых покрытий путем пропускания газовой смеси, содержа4 щей 30 — 60 1иол. % тексафторида вольфрама и водород вдоль подложки,,нагретой до 700—

1000 С, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности покрытий, совершенства их текстуры и степени использования гексафторида вольфрама, через 1 — 10 мин снижают температуру подложки до 400 — 600 С и содержание гексафторида вольфрама до 5—

25 мол. /о, причем температуру снижают со

10 скоростью 10 — 100 С/мин при уменьшении содержания гексафторида вольфрама 1 — 3 мол. /о на каждые 20 С.

Источники информации, 15 принятые во внимание при экспертизе

1. Осаждение из газовой фазы. Под ред.

К. Пауэлла. М., Атомиздат, 1970, с. 462.

2. Авторское свидетельство № 457757, кл.

С 23С 11/02, 1971.