Способ формирования слоя фоторезиста

Способ формирования слоя фоторезиста

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

«ЧЕОЯОф4Я

„>тЕ>> г, Р . ч:.> (Ч Y4lHR Ah5A

ОПИСАНИ,Е

ИЗОБРЕТЕКИЯ ((ц 570870

Союз Советских

Социалистических

Республик (б1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 19,05.75 (21) 2135449/21 с присоединением заявки М (23) Приоритет

Опубликовано 30.03.77. Бюл.(тснь М 32 м,. о (51) М. Кл.2 G ОЗС 1,/74

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382.002 (088.8) Дата опубликования описании 20.10.77 (72) Авторы изобретения

И. 1. Блинов, Ь. A. йеремыцйев, В. Л. Сандеров, Н, С. Кутко, В. H. Царев и И. H. 11е(ремыщева (71) Заявитель (54) CHQCQB @QPMHPQBAHl g СЛС1 vQTQPE3NCTA

Изобретение относится к радиоэлектронике, а именно к способам фотолитографии при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности интегральных схем.

Известен способ нанесения фотоэмульсионного слоя на подложку при небольшом избыточном давлении (1).

Однако этот способ формирования слоя фоторезиста не позволяет получать пленки с числом дефектов менее 0,05 — 0,10 проколов/

/мм, Значительно возрастает число проколов при создании пленок толщиной в 0,3 — 0,5 мкм, т. е. именно тсх толщпн, котс>рыс обеспсчива(от получспис наилучше! о разр«п(спия в производстве инпгсгральпых схем высокой ин 1 е(рации.

Цель изобретения — снижение дсфектности слоя фоторезиста.

Это достигается тем, что по предлагаемому способу формирования слоя фоторезпста нанесение фоторезиста осущсств.Äs((ox при давлении на подложку в пределах от 0,3 ати до давления, пс превышающего значения, при котором происходит пзмспспис физических свойств подложки.

Способ формирования слоя фоторсзиста, включающий нанесение фоторсзиста на подлозкку, заклю (ается в том, что фоторезист наносят под давлением в прсделах от 0,3 ати до давления, нс превышающего значения, при котором происходит изменение физических с во и ств подл ожки.

Давление, созданное при формировании слоя фоторсзиста, предотвращает рост паро5 газовых (óçûðüêîn, имеющихся в слое. Этим устранястся возможность их вскрытия на наружной поверхности фоторезиста.

Для снижения дефектности слоя фоторезиста последующая обработка его, а именно суш10 ка, должна так!ке исключать увеличение размеров парогазовых пузырьков в пленке. Это обсспсчпвастся проведением указанной операции под пзбыто шым давлением. Необходимо (акжс использование избыточного давле(5 пн(! и для м«жопсрационного хранения нанеcen(io(o na подложку слоя фоторезиста перед его сушкой, если такое предусматривается особенностями технологического процесса и оборудования. Всс(ичгп(а избыточного внсшне20 nо l ав(снпя I(3 каждом ((3 3TI(X 3TBnOB QOJIPKпа превышать давлс(шс парогазовой смеси внутри пузырьков.

11 р и м с р. Проводилось техническое опробоваппс способа формирования слоя фоторезпста на окпслснных пластинах кремния в специаль((oi(устройствс.

На черт«же представлено устройство для рсалпзацпп предлагаемого способа.

Устройство состоит из камеры 1, центрифуги 2, столика 3, нагревательного элемента 4, 570870 экрана 5, дозатора 6 с фоторезистором, системы 7 подачи давления, клапана 8 подачи фоторезиста.

Окисленные кремниевые пластины 9 с низкой заранее определенной дефектностью окисла закрепляются на столике 3 центрифуги 2. Опускается и закрывается колпак камеры 1.

Последовательность операций и параметры режимов следующие:

1) с помощью клапана 8 фоторезист марки ФП-383 или ФП-РН7 выдается из дозатора 6 на пластину в количестве 0,2 — 0,3 мл;

2) включается центрифуга 2 на 30 сек. Скорость центрифугирования 1500 об/мин;

3) одновременно с включением центрифуги в камере 1 создается давление газа порядка

5 — 6 ати;

4) после остановки центрифуги пластина выдерживается под указанным давлением до термообработки. Время хранения от 0 до

10 мин;

5) термообработка фотослоя проводится под давлением газа от 0,5 ати до давления, не превышающего значения, при котором происходит изменение свойств подложки, в камере при температуре 110 С в течение 5 мин;

6) после отключения элемента 4 пластина охлаждается включением центрифуги в течение 1 мин (n=1500 об/мин). После этого давление в камере снижается и пластина извлекается.

Цель последующей обработки сформированной пленки фоторезиста — исследование

5 дефектности слоя окисла, создаваемой дефектами фоторезиста. Оценка проводилась с использованием метода электрографии. Установленная при этом дефектность для предлагаемого способа 0,005 — 0,01 проколов/мм .

10 Нанесение слоя фоторезиста на подложку под избыточным давлением в пределах от

0,3 ати до давления, вызывающего изменение физических свойств подложки, снижает также дефектность при использовании методов

15 окунания, пульверизации и полива.

Формула изобретения

Способ формирования слоя фоторезиста, включающий нанесение слоя фоторезиста на

20 подложку в условиях избыточного давления, отличающийся тем, что, с целью снижения дефсктности слоя фоторезиста, нанесение его осуществляют при давлении на подложку в пределах от 0,3 ати до давления, не превы25 шающего значсния, при котором происходит изменение физических свойств подложки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР Ко 303993, кл. G ОЗС 1/74, 10.11.69.

Составитель В. Лякишев

Редактор E. Караулова Техред И. Карандашова Корректор Н. Аук

Подписное

Заказ 2084/16 Изд. № 715 Тираж 585

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2