Импульсный модулятор
Иллюстрации
Реферат
5729I6
-- 1 с — 0 5/
Составитель Ю. Еркин
Техред И. Михайлова
Редактор Т. Янова
Корректор Е, Хмелева
Заказ 1982/5 Изд. № 751 Тираж 1080 Подписное
НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 рующей искусственной линии 3, 1 — ток заряда линии 3, R„— сопротивление резистора нагрузки. Волновое сопротивление линии 3 равно
Максимальное значение напряжения на конденсаторах 6 линии 3 в процессе формирования прямоугольного импульса в такой схеме пе превышает 0,51р=0,25 IR„=0,5 U, т. е. половины амплитуды напряжения на резисторе нагрузки.
Формула изобретения
Импульсный модулятор, содержащий источник питания, с положительным полюсом которого соединен один из электродов зарядного коммутирующего элемента, формирующую искусственную линию, резистор нагрузки, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения
5 надежности модулятора путем снижения напряжения на конденсаторах формирующей искусственной линии, параллельно последовательно соединенным катушкам индуктивности формирующей искусственной линии включен
10 резистор нагрузки, один вывод которого соединен с отрицательным полюсом источника питания, а другой — со вторым электродом зарядного коммутирующего элемента.
Источники информации, 15 принятые во внимание при экспертизе
1. Патент США № 2677053, кл. 328 — 65, 1954.
1 ! !
1
1 !