Фотоэлектронный прибор

Фотоэлектронный прибор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

n,,nab ) и( о л и;"=Ф

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советскии

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. саид-sy (22) Заявлено 03.10.75 (21) 2178193/25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Н 01 т 40/18

Государственный комитет

СССР

00 делам иэобретеиий и открытий

С»публиковано 300381. Б»оллетень 89 12

Дата опубликования описания 30. 03 . Bl (53) УДЫ 621. 385. ,292(088.8) (72) Авторы изобретения

А.Г. Берковский и A. Е. Костин (71) Заявитель (54) ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ ПРИБОР

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к фотоэлектроннье» приборам с логарифмической амплитудной характеристпкой, предназначенным для использования как в составе широкодиапазонных детекторов ионизирующих излучений, так и непосредственно для регистрации световых потоков, амплитуда которых меняется в широком диапазоне.

Известен фотоэлемент с логарифмической амплитуднои характеристикой, в котором для получения логарифмической характеристики перед входным окном помещены нейтральные свето- 15 фильтры с различными коэффициентами пропускания (11 .

Недостатком такого фотоэлемента являются малая величина выходного тока и поглощение светофильтрами боль-2() шой части светового потока.

Известен фотоэлектронный прибор с логарифмической амплитудной характеристикой, содержащий анод, входное окно, рифленый электрод с впадинами параболичес»»ой формы, на поверхность которого нанесен фотоэмиссионный слой„. а во впадинах помещены плоские э-: раны, перпендикулярные плсскости эле.:— ,трода »2) . ЗО

Однако такой . †.рпбор имеет малый

JIoÃарифмнческпЙ д»»апазон а ".I»ëiiтуд»- Оп характеристпк,» — не более 1 >», Прибор при чувствит= льности катода

30 мкА/лм работает в д »апазоне интенсивностей светово О :. .злучен -я (10

10 ) Jiv.. ,гл i расш.:рения динамического диапазо:a в сторону ма>;ых -ветовых поToIioB в предлагаемОм фОтозлектрОнчом пр. боре в ;-лоскостях экранов, ме>»ду нимi» и входным окном расположены пластины, причем на обе стороны этих пластин нанесен фотоэмиссионный

СЛОЙ.

На :.ерте><е схематично изображена часть конструкции фотоэлектронного прибора, представляющая собой отдельную ячейку, заключенную ме:>»ду двумя соседними экранами.

Указанная часть конструкции состоит из электрода 1 (рифленого электрода) сс впадинами, с нанесенным на подло ку эмиссионным слоем, пластин анога 2, пластин экранов 3 и входного окна 4. Электроны с фотокатода

5 бомбардируют эмиссионный слой на рифленом электроде 1 и выбирают электроны, которые оседают на аноде

2. Благодаря неоднородному ускоряюг

/ Ф,г б/

Составитель Я. Перчиков

Техред Н. Келушак Корректор М. Коста

Редактор Е. Месропова.Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 1584/47

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная,4

3 р- 373088 l!

r ью б щему градиенту у эмиссионно ой поверх- кой, содержащий анод, входное окно, ности фотокатода и рифленого электро- электрод.с впадинамй параболической да ограничение тока собственным формы, на поверхность которого напространственным зарядом происходит несен фотоэмиссионный слой, а во при различных плотностях эмиссионных впадинах помещены плоские экраны, токов. За счет введения каскада перпендикулярные общей плоскости умножения динамический диапазон пред- электрода, отличающийся лагаемого фотоэлектронного прибора тем, что, с целью расширения динамиувеличивается по сравнению с прото- ческого диапазона в сторону малых типом в сторону малых световых пото- световых потоков, в плоскостях экраков примерно в число раз, равное нов, между ними и входным окном коэффициенту вторичной эмиссии эмис-, о расположены пластины, причем на сионного слоя на рифленом электроде. обе стороны этих пластин нанесен

Прибор при чувствительности катода фотоэмиссионный слой. приблизительно 30 мкА/лм и коэффициенте вторичной эмиссии эмиссионного Источники информации, слоя на рифленом электроде прибли- 1$ принятые во внимание при экспертизе вительно 10 работает в диапазоне интенсивностей светового излучения 1. Патент США 92193687, (10 -10 ) лм. Максимальный выходной кл. Н 01 3 39/16, опублик. 1965. ток более 10 А.

Формула изобретения 2. Авторское свидетельство СССР

Фотоэлектронный прибор с логариф- Р 433899, кл. Н 01 J 39p16, мической амплитудной характеристи- 19?4.