Термостатиреванный тензорезистор

Термостатиреванный тензорезистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ш1 574602

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Реслублик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14.05.76 (21) 2361986/28 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 30.09.77. Бюллетень М 36

Дата опубликования описания 29.09.77 (51) М. Кл. G 01B 7/18

Государственный комите

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 531.781:2,539.3 (088.8) (72) Авторы изобретения

П. Н. Богатов, В. Н. Борщев, В. П. Харитонов, Ю. М.,"Спалек и Э. Б. Л1анышев (71) Заявитель (54) ТЕРМОСТАТИРОВАННЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР

Изооретение относится к области измерительной тех ники и может быть использовано для измерения давления, упругих сил вибраций, в частности в авиационной и судостроительной промышленности.

Известны датчики механических параметров, у которых уменьшение температурной погрешности осушествляется технологической или схем|ной компенсацией (1).

Наиболее близким по техническому,решению к изобретению является термостатированный тензорезистор, содерткащий тензоэлемент, диэлектрический слой, обхватывающий тензоэлемент, термоэлемент, размещенный на ди-, электрическом слое, второй диэлектрический слой, размещенный на термоэлементе, и нагревательные элементы, обхватывающие тензоэлемент и термоэлемент (2).

Тензоэлемент, термоэлемент и на гревательные элементы выполнены в виде проволочной решетки, а диэлектрические слои представляют собой клеевые прослойки. Однако наличие воздушной прослойки, неравномерность распределения тепловой энергии от термоэлемента к тензоэлеьменту увеличивают температурную погрешность этого тензорезистора.

Цель изобретения — повышение точности измерения.

Для этого в предлагаемом тензорезисторе гензоэлемент, диэлектрические слои, термоэлемент и на гревательные элементы выполнены в виде тонких пленок.

На чертеже схематически изображен предлагаемый термостатированный тензорезистор.

Он содержит тензоэлемент 1, диэлектрический слой 2, обхватывающий тензоэлемент, термоэлемент 3, размещенный на диэлектрическом слое 2, второй диэлектрический слой 4, размещенный на термоэлементе, и нагревательные элементы 5 и 6, обхватывающие тснзоэлемент и термоэлементы. Изоляция нагревательных элементов осуществляется диэлектрическими слоями 7 и 8. В цепь нагревательных элементов включен регулирующий элемент 9, а в цепь тензоэлемента — измерительный прибор 10.

Термостатированный тензорезпстор работает следующим образом.

Тонкопленочный тснзоэлемент 1 восприни20 мает воздействие изменяющегося механического параметра. Величина сигнала является функцией температуры.

Для исключения температурной погрешности измерения применена стаоилизация темпе25 ратурного режима тензоэлемента. При отключении температуры тензоэлсмента изменяется сопротивление термоэлемента, находящегося в аналогичных с тензоэлементом температ рных условиях, приводя соответственно к измене30 нию,режима раооты нагревательных элсмеи574602

Формула изобретения

Составитель А. Пергамент

Техред Л. Гладкова

Корректор Е. Хмелева

Редактор О. Юркова

Заказ 2133/3 Изд. № 772 Тираж 907

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )K-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Типография, пр. Сапунова, 2 тов о и 6, т. е. к восстановлению прежнего значения температуры.

Тонкопленочное исполнение |нагревательных элементов, тензоэлемента, термоэлемента и изоляционных слоев ввиду их малой массы позволяет получить быстродействующую систему стабилизации температуры тензоэлемента, а следовательно, и повышение точности измере ния в условиях быстроменяющихся температур за счет исключения температурной погрешности, Термостатированный тензорезистор, содержащий тензоэлемент, диэлектрический слой, обхватывающий тензоэлемент, ермоэлемент, размещенный на диэлектрическом слое, второй диэлектрический слой, размещенный на термоэлементе, и нагревательные элементы, обхватывающие тензоэлемент и термоэлемент, отл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности измерения, тензоэлемент, диэлектрические слои, термоэлемент и нагревательные элементы выполнены в виде тонких пленок.

Источники иноформации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 434284, кл. G 01В 1/18, 1972.

15 2. Патент ФРГ № 832689, кл. 42К 45/03, 1950.