Матрица для завальцовки герметичного химического источника тока

Матрица для завальцовки герметичного химического источника тока

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(ii! 574789

ОЛЙСАЙИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свпд-ву (22) Заявлено 17.05.76 (21) 2360829/07 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 30.09.77. Бюлль Tctlь ¹ 36

Дата ОН! ();IHKOB3111151 OIIIIC311IISI 20.10.77 (51) М. Кл."- Н 01М 2/00

Н 01М 6/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК 621.3.035.13 (088.8) (72) Авторы изобретения

Н, И. Агафонов, Э. А. Менджерицкий, А. М. Карташов, Н. К. Прокофьев, А. М. Емельянов и А. М. Токарев (71) Заявитель (54) MATPИЦА ДЛЯ ЗАВАЛЬЦОВКИ ГЕРМЕТИЧНОГО

ХИМИЧЕСКОГО ИСТОЧНИКА ТОКА

Изобретение относится к электротехнической промышленности и может быть использовано для изготовления герметичных химических источников тока.

Известна матрица для завальцовки герметичного химического источника тока, содержащая корпус с вертикальным цилиндрическим каналом (1).

Невозможность применения такой матрицы для завальцовки изделий, высота которых Ollределяется размерами электродов и сепарирующих деталей, является ее недостатком.

Наиболее близкой к изобретению по технической сущности и достигаемым результатам является матрица для завальцовки герметичного химического источника тока, содержащая корпус с вертикальным ступенчатой формы цилиндрическим каналом со скругленными краями (2).

1-1едостатком такой матрицы является невысокая надежность герметизации элемента ввиду того, что завальцовка осуществляется на нежесткую основу и при этом возникают определенные трудности получения профиля химического источника тока, совпадающего с профилем матрицы, что является одним из основных условий, обеспечивающих надехкность по электрическим параметрам и герметичности.

С целью повышения надежности герметизации предлагается выполнять матрицу с отношением радиуса скругленпя верхней ступени канала к его диаметру, равным 0,01 — 0,02.

На чертеже изображена описываемая матрица, разрез.

Устройство работает следующим образом.

При опускании матрицы на завальцовываемый химический источник тока происходит центрирование изделия по диаметру нижней ступени вертикального цилиндрического канала, при этом в его верхней ступени осуществляется обжатпе корпуса изделия и получение герметичного бортика, профиль которого зависит от характера деформации корпуса химического источника тока, который определяется отношением радиуса г скругления верхней ступени канала матрицы к c го диаметру и.

20 Один пз факторов — номинал радиуса скруглсния верхней ступени канала матрицы— определяет степень соответствия бортика химического источника тока диаметру матрицы и геометрическую форму бортика. При умснь25 шенин радиуса увеличивается развальцовка изделия (уменьшение диаметра бортика в районе радиуса матрицы и получение обратного конуса в верхней части бортика). Увеличение радиуса ооеспечиваст уменьшение пз30 носа матрицы, но в то жс время приводит к

574789

Составитель А. Козюра

Техред А. Камышникова

Корректор О. Тюрина

Редактор Т. Пилипенко

Заказ 2204/10 Изд. № 787 Тираж 995

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Г!одписнос

Типография, пр. Сапунова, 2 затруднениям в достижении требуемого профиля бортика химического источника тока.

Поэтому допуски на радиус должны быть предельно ужесточены. Второй фактор — диаметр верхней ступени канала матрицы — учитывает влияние жесткости корпуса завальцовываемого изделия. Учет взаимосвязи радиуса и диаметра верхней ступени канала матрицы позволяет комплексно решить вопрос обеспечения профиля бортика химического источника тока.

Формула изобpeтспия

Матрица для завальцовки герметичного кими IpcKOI и T0901!êë тока, содсржап1г!я ко13пус с вертикальным ступенчатой формы ци.линдрическим каналом со скругленными краями, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности герметизации, отношение радиуса скруглсния верхней ступени капала к го диаметру равно 0,01--0,02.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США № 2837593, кл. 136 — 166, 1958.

2. Дамье В. Н. и Рысухин Н. Ф. Производство гальванических элементов и батарей. М., 15 «Высшая и!кое!!!», 1970, с. 297.