Устройство для управления силовым транзистором

Устройство для управления силовым транзистором

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (щ 574845

Союз Советвхиз

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.03.76 (21) 2338781/24-07 (51) Е. Кл.-" Н 02Р 13 16 с присоединением заявки М (23) Приорп гет

Опубликовано 30.09.77. Бюллетень М 36

Дата опубликования описания 28.09.77

Государственный комитет

Совета Министров ССР ло делам изобретений н открытий (53) УДК 621.373.5 (088.8) (72) Авторы изобретения

Ю. И. Драбович, H. С. Комаров и В. В. Ярош

Институт электродинамики АН Украинской ССР (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СИЛОВЫМ

ТРАНЗИСТОРОМ

Изобретение относится к области электротехники и может быть испсльзовано при построении импульсных стабилизаторов, рсгуляторов, транзисторных реле и других силовых устройств при повышенных требованиях к

М1Д данных устройств.

Известны устройства управления силовым транзистором на составных транзисторах, позволяющие осуществить согласование низкоомной входной цепи силового транзистора с высокоомными цепями управления.

Недостатками подооных устройств управления являются низкий h,llД, а также плохая форма импульсов управления. 11оследний нсдостаток приводит к увеличению времени запирания и потерь мощности на переключение силового транзистора.

Указанные недостатки в значительной мере уменьшаются в известных устройствах, где формируются два симметричных прямоугольных напряжения с регулируемым фазовым сдвигом, которые затем трансформируются до требуемого уровня и с помощью выпрямителей преобразуются в несимметричное двухполярное напряжение, управляющее силовым транзистором.

Из известных устройств управления силовым транзистором наиболее близким к изобретению по технической сущности является устроиство, содержащсе два трансформатора, первичныс обмотки которых подключены к двум источникам сдвинутых по фазе на регулируемый угол прямоугольных напряжений, а втори шыс оомотки трансформаторов подклю5 чспы к двум двухполупериодным выпрямителям на полупроводниковых диодах, причем выходы выпрямителей соединены между собой встречно и подключены и нагрузке. Однако при необходимости получить на выходе устlu ройства управления импульсы управления силовым транзистором с амплитудой, превышающей вели пину прямого падения напряжения на полупроводтшковых диодах, К11Д устройства управления рсзко падает. Указанный не15 достаток связан со встречным включением выпрямителей в рассматриваемом устройстве.

Целью изобретения является повышение

КПД устройства путем улучшения формы импульсов управления.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство введены два транзистора, базаэмиттерные переходы которых шунтируют вторичные обмотки одного из трансформаторов со средней точкой, подключенные к первой выходной клемме устройства, а ко второй выходной клемме устройства подсоединен средний вывод вторичных обмоток другого трансформатора, включенных в коллекторные

30 цепи указанных транзисторов.

574845

I}a чертеже привсдспа схема данного устройства. с> СTPOHCTBO УПРсIВЛСПi!S(СИЛОВЫМ })aHЗПСТОром содержит два трансформатора jpl и 1 р2, ПС}3ВИЧНЫС 003(0(КП КОТОРЫХ ПОДКЛIО lellbl 1

ДВУХI ИСТОЧИ>IКс(М СДВ11ПУ (ЫХ llo (j)L(ae ilii }30! Ули}эу смыи уГÎJi Hpямоу! Олbliых Iiаир)ii. сиilii, а такжс Два TpdHallcTO})L(I и 12. >Х llcj)BÎii 13biхОДПОЙ !.Jie)1510 . Уc i !)ÎlicTba IIO I JIIO icllLI 331;(ттс}эы TpaH3HCTOp013 !. Il 2, а. 1 ;!Кжс с})сдия51

ТОЧКа В 10}ЭИЧИЫХ ООМОТОI ; }}> TPaHC(j)01) )la ОРсl ! p2, Iepc3 pe3HcTopbl i(1 и J(g llo>II(. Ho le!«!bi.; к базам указанных транзисторов. Ко второй выходноЙ клемме у стро(;ства под >лючс;щ срсдПЯЯ то (ка Вто})и lllых ООМО (ОХ т}эап (POP).ii10рсl 113 1, Г!ОДКЭ(10 1С!(«ЫХ К 1 . 0 т.;СК(013!(i } апзисторов 11 и !2, ! !}3СДПО. >О КИЪ!> О (!с(на. (с(1 В >ОPii lllLI 00МОТОК & >Ра!10(РОРЭ. u ОРс(i Pi ()Îob«ЧС>ii>bi)1 на чсргсжс точко; Соо(вс(с!Вусг отрица! . ьHa5l H0J»i})H0CTb Пс(1>!>ЭЯЭКСИ!!5!.

}3 10 >I С (>Э id(. О! Дс1 1 ОЛЯ}3ИОС1Ь Паll!)ЯЯ"С

rlH5! Нсl На la lсl>. B i ОрИ>-(ПЫХ ООМО ОХ (}> 1})aHC— (рормаТО})сl I p2 Taaæe 0 }3«ild. IС.П lld51> Iраliailстор ! открыт, а транзистор !2 заперт. 1- сЭКИй(Bd>liiPdHIih ООССИСЧИВсIСIС)1 BblÎOP031 ЬСЛИчины «агря) сi(l"ÿ на Go,>iîiêaë: ь z, когорос

ДОЛЖНО ОЫ Iь Ис Ь1СПСС ) ДВОСИ!(ОИ >3СЛИЧИНЫ

НВИР)! "1 СППЯ ila 00310 IКНХ >)с(, (!ЕрСЗ Отиры!Ь«! траисп!СтОр 1 К ВЫХОДНЫМ

КЛСМЪlа vl УСIPoiiCi Âа П}3ИКЛс(ДЫ13аЕТС51 0 IПИ})aCii iOBO;i ip«HBH "iO» наири)! Ciilie, CiiaХ(и Е М 0 С С 0 В 1 OP H И О И О 0;>1 0 (Кi: >(> „. ! jpii изх!Сиснпи поля!э!!Осэлl нап})я)кения lia

Вто}эичных 00. >10THa), vVv 113 анзис!013 ! .3«>пирсlстс51> а }эапсс заl>сpTLlll 1рсlизисi Ор i 2 011IH растся и пс})сходит в lliibepciibiH режим paooTbl (активны!(1(ли !)сж«31 !IасьiiL>,e(((»i) . }Срез открыгыи гранзистор 12 к ьыходу устропства

1! }31!I>JIapblBacтся 3aпи, эаlошсс силОВО>! ТраiiaiiСТОР Наи}3513! Сl:1>С. j jocliocibIIQ iipii З с(и:(оа>lilil

СИЛОВОГО тРапЗИС>ОРа З>!ас!!Г!ЕГ!Ь!(Ь;И тОК ЧЕРЕЗ

ВЫХОД(IЬ(С КЛСММЫ Э С > }ЭОЙС ГВсl HP0TCI «e 1 ОЛЬКО Во В})см51 })ассасывс(ш»1 силово О !раilallcTQра, работа транзистора в ш!Вcj)cII03(режиме пе спи)каст заметно !Х}1!! устро! сгва.

1}осле измснснпя пОля}энос 1 II Ilап}3яжс11ия

Иа BTOPII>IHbiX ООМОТКаХ (>> i PaHC(POP (>(а 1 OP а

1 }) l п}эоцсссы ПОВто}35110тс51, с тои !эазпицси> что функц!ш TpaH3ilcTopa ! Выио.(пист т})апзистор }2, и наоборот. (аким ооразом, при изменении фазы двух исходных пр).моугольны., симметричных наI(I) )(>1i с ill i ii (1a 13 bi. ioQc у стр о Й ств >«а

;iI3J хпОЛ)1}эпос 1(сс!!ъ()ieTpi(с(нОС нап}эя)кенис, д коз(р(}>),,;,cii»«iiuci«u«»I которого

Т !

Г !С ii — ДЛИТС.I(ИIОС,Ь ИОЛОЖИТСЛЬНОГО I(VIИа>! ЯЭ!.С«ПЯ Hd Иаг})УЗКЕ; с> — ПЕРИОД

С.!С,,013!(!1!»l II %1(() JIÜCÎB) ХIОЖЕТ ИЗМЕНЯП>СЯ ОТ !

О О ДО 13 соот!)с i с(>3!!!1 с иззlщlспи51ми фазы.

« .. !У ЧШСП ie фо}331Ь! ИХ((с) !ВСОВ Уп})ав ie!iИЯ акг((очас!05! в I)0d)io>HI)ocти получить максиХ,ал; !!! 10 ВС:(!!с!ИПУ ВЫ: ОДНО! О НаПРЯЖЕНИЯ, .»i i iii ГCJILHO }и})и cplio В 2 — ->5 рс13а) Выс !

5 M) lu, ic31 bbl,0+doe напряжение извеcTHQ! 0

i!)0I,cTBa, так «(,к в да«ном устройстьс мак>!«.!(И(ОС ВЫХОД«ОС Исlи})ЯЖСНИЕ OI})аНИЧИВаст с)! ПО. Obililo;1 доl(усl (! ИОI О напри>кения ис

I«c. .0äa 33!« Ce, э -- Оаза 1")анзис !0}30в ! и . !ОВЫГ«С(!ИС;,! 1, (, 00! СЛОВ.!Сно Te)I> ITO Иадс;Шс;!аПРЯЭКСИ»>i Hd ОТКРЫТО с! тРаНЗИСтОРЕ .Ia;»(0!0 cipoHci!3", зпа>!итеэ(ьно меньше, чем па i. îJ проводпиково)! диоде. }3 данном уст30d ствс огс) 1CTBóIOT потери мощности, харак) 5 тсрl(ыс для ПЗВссiilo10 уст})оистВа и 00$cJIQB. Iс!1ньlс (3 ст}э с (пы и в к,i (0 i el! >I e >! Вып}э ям итсл ей. ! !P.(СООтнетСТВУ (ОЩЕ)>1 ПОДКЛ(Ос(СНИИ ВЫХОДНЫХ

«лемм устроис!Ва и си.(оиому транзистору иньej)ciib!» рсжим раООГы lранзисто}эОВ устроис i ba длится TOJlüI O ВО врсмя }) ассасывания сиJl0i30I ТРаиси!СтОРа il НЕ ОКаЗЫВает СУЩЕСтьспного влияния иа 1;!1, устроиства.

Г!) Ор(>(ула изооретения з5 >> CTpolic IВО д. i51 уи}) «Вл Hli)I сило!Зым тран iiciup0>d> содержащее два трансформатора с0 сред;!си точкой, псрвичныс обмотки которых подкл î Icilbl 1; двум исто(никам, сдвину.ых li0 (j)a.c Ha рсгу.:;(русмыЙ угол прямоЧО ) ОЛЬ Ы)1 iidii, >..КОН!1!!> «ВЫ..ОДНЫС КЛЕММЫ, о "ли ч и ощсec» тс)1, что, с цел!Но повышеПИ)1 !с,! !> (, Э СТ}30! С 1 па () ТЕХI уJI)>ЧШЕНИЯ фо!ЭМЫ

1(3(П) lb COB УГ(Р с 13ЛСПИ51, OHO Clla 0>!ECHO ДВУМЯ

;ранз.!стора vII(, îàç«-э шттсрныс переходы Ico:!5- (орых шунтиру!От вторичныс обмотки одного

liB трансформаторов со средней точкои, под1 .110 Iciillblc к lie})I)oH выхОДПОЙ клемме УcT !

Эоист(3с(, сl КО В IOPOH 13ЫХОДНОИ КЛСММС $ CTPOHcrBi«i0pi лючсп срсднии вывод Вторичных об50 моток др) гого трансформатора, включенных в коэ(лск!Ориыс цепи указанных транзисторов, 574845

Тр1

Составитель О. Наказная

Техред И. Михайлова

Корректор Е. Хмелева

I åäàêòîð В. Левятов

Подписное

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 2201/15 Изд. ¹ 782 Тираж 917

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4 5