Способ фототермопластической записи информации

Способ фототермопластической записи информации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДИЕЛЬСТВУ (11» 575611

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву

2 (51) М. Кл.

G 03 (13/00 (22) Заявлено 26.08.75 (21) 2166336/28 1 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.10.77. Бюллетень №3 (45) Дата опубликования описания 11 11 77

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 772.93(088.8) В. И. Павлов, A. А. Пасечник и В. И. Булгаков (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКОИ ЗАПИСИ

ИНФОРМАЦИИ

Изобретение orHocHrcB к области приоо ростроения.

Оно может быть использовано для соз-, дания устройств записи информации íà rep» моппастическом носителе (ТПН). 5

Известен способ формирования из ображен| ния на ТПН, заключающийся в том, что фотопопупроводниковую пластину приводят в контакт с ТПН, создают между ними постоянное электрическое поле и одновременно»0 с этим проецируют оптическое изображение, посла чего отделяют ТПН or фотопопупрородниковой пластины и полученное на ТПН скрытое электростатическое изображение проявляют (1).

Однако этот способ позволяет получать на ТПН только позитивное иэображение, что в ряде случаев является недостаточным, например, в случае необходимости попуче ния документа в виде фотокопий.

Цепь изобретения - расширение технопа гических возможностей способа путем получения на термопластическом носителе негативных иэображений. 25

Это достигается тем, что перед проецированием оптического изображения и по дачей постоянного напряжения между герМопластическим носителем и фотопопупроводниковой ппастиной подают между ними напряжение обратной полярности и одновременно с этим равномерно освещают фотопопупроводниковую ппас тину.

При этом происходит равномерная зарядка ТПН до напряжения обратной полярности. .В результате последующего этапа - подачи напряжения записи и проецирования оптического изображения происходит разрядка термоппастического носителя, причем более интенсивно она происходит в освещенных участках. Таким образом, неосвещенные участки имеют более высокий потенциап, чем освещенные, и после проявления деформации неосвещенных участков явпяются бопее гпубокими, т.е. на ТПН попучают негативное изображение.

Варьируя величиной этого напряжения, можно получать различный уровень контраста и вуапи а также получать позитивные иэображения. Позитивное иэображение воз57561 1

Составитель B. Булгаков

Редактор Г. Кузьмина Техред Н, Бабурка Корректор, Патрушева

Заказ 4031/32 Тираж 574 Подписное

11НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и огкрь.тий

113035, Москва, Ж-35, Раущская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 можно получать при низких напряжениях, а именно при напряжениях меньших напряжения пробоя воздушного зазора между ТПН и фотополупроводниковой пластиной.

Пример. Термопластический носигель с защитным слоем ТПН-14 толщиной

8-10 мкм приводят в контакт с фотополупроводниковой пластиной со слоем толщиной около 15 мкм, прикладывают между ними постоянное напряжение 1000-1200в обрат- I0 ной полярности по отношению к напряжению записи ("+" подается на подложку фотополупроводниковой пластины и "-" на ТПН) и одновременно с этим равномерно освещают фотополупроводниковую пластину. При этом 1

ТПН заряжается до положительного потенциала 400-600в. После этого меняют полярность напряжениг на противоположную и одновременно с этим осуществляют проецирование оптического изображения. Г!ри 20 этом происходит разрядка ТГ1Н: более интенсивно в освещенных и менее - в неосвещенных участках, так квк разрядка происходит через управляемое светом сопротивление фотополупроводникового слоя. Это и приводит 5 к формированию на ТПН негативного скрытого электростатического изображения.

После отделения фотополупроводниковой пластины от ТПН, последний проявляют нагревом, в результате чего на термопласти- 30 ке образуется негативное изображение в виде механических микродеформаций, причем глубина деформаций больше в неосвещенных мес тах.

При подаче напряжения 100-300в, равномерном освещении и последующей подаче напряжения записи 1000-1200 в, и проецирования оптического изображения на TII}I образуется позитивное изображение.

Формула из обретения

Способ фототермопластической записи информации, заключающийся в roM, что фотополупроводниковую пластину приводят в контакт с термоплвстическим носителем, подают между ними постоянное напряжение и одновременно с этим прогпируют onr!;«:ес еое изображение, после чего отделяю тевх о= пластический носитель oт аотополуп Joçoã, ковой пластины и полученное нв термоцлвстическом носителе скрытое и обрвжение

Й что, с целью расширения технологически.:. возможностей пу-,ем получен:fÿ на термоплвстическом носителе nåãативьчях изображений, перед проецированием onto еского изображения и подачей постоянного напряжения между термоплас: ическим по< и гелем и фотополупроводниковой плы-тиной подают между ними напряжение обратной полярности li од= новременно с этим равномерно освещают фотополупроиодниковую пластину.

Источники информации, принять,е во внимание нри экспертизе:

1. Авторское свидетельство C(СР № 3748 эЯ, кл. (т 03 Ст 1. 3/00, 1 973.