Магнитопровод для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах

Патент 577562

Авторы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОР А -A " ËÅ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ASTOPCYOAY СВМДЕТИЛЬС ВУ

7 с1 «г т; (61) Дополнительное ; -,.вт -вчд-ву (22) Заявлено 2.о.! 2, 5 (2!) 2810582i2- .

c присоединением з -.явк-. МвЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 25,10 Б:.олле:." «-ь i 3é (45) Дата опубликоз и; - :чия 10, 1 С 500

11 С 11/14

„(53) Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изооретений н открытий

УДК 681 82 .66 088.8) (72) Авторы изобретения

АкинФиев, . " Арочанов и Ю. Л. 1;--..ов (71) Заявитель (54) МАГНИТОПРОВОД ДЛЯ ЗАПОМИНАЮШЕГО

УСТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ

LtOM EHAX

Изобретение относится к области вычисли; тельной техники и предназначено для использования в запоминающих устройствах (ЗУ} на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД}.

Известен магнитопровод для ЗУ на ЦМД, содержащий постоянные магниты. к торцам которых на винтах присоединены пластины из магнитомягкого материала с регулируемым зазором, который заполнен резиной для амортизации (1). Недостатком этого магнитопровода является его относительная сложность.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является магнитопровод для ЗУ на ЦМД, который содержит параллельно расположенные пластины из магнитомягкого материала, магниты, закрепленные между пластинами у их противоположных торцов, и магнитные шунты (2). Для грубой регулировки величины поля в зазоре между пластинами используются шунтируюшие стержни из магнитомягкого материала,вставляемые между верхней и нижней пластинами арматуры. Точная регулировка осуществляется с помощью винта, проходящего через одну из пластин арматуры и приближающегося при вращении к другой пластине. При минимальном шунтировании винт плавной регулировки выступает над поверхностью пластины арматуры и тем самым существенно увеличивает габариты магнитопровода,а расположение винтов внутри воздушного зазора уменьшает его полезный обьем. Кроме того, подбор определенного количества шунтов и их крепление делает регулировку напряженности магнитного поля трудоемким.

Недостатком является и то, что при использовании в ЗУ кристаллов на основе гранатовых сред, величина смещения магнитного поля которых должна изменяться при изменении температуры, необходимо каждый раз при изменении композиции гранатовых сред кристалла ЦМД изменять и состав материала магнита для получения новой температурной зависимость поля смещения.

Целью изобретения является упрощение магнитопровода.

Достигается это путем того, что в магнитопровод для ЗУ на ЦМД. содержащий параллельно расположенные пластины из магнитомягкого материала. магниты, закрепленные между пластинами у их противоположных торцов, и магнитные шунты, введен узел регулировки магнитного поля с резьбовыми отверстиями для размещения магнитных шунтов перпендикулярно боковой поверхности магнитов, выполненный

577562 з иэ немагнитного материала и расположенный с внешней боковой стороны магнитов, Кроме та-. го, магниты выполнены составными иэ температурноэависимых,температурнонеэавнсимых материалов.

На фиг. 1 изображена конструкция предлагаемого магнитаправода;.на фиг. 2 вЂ” составной магнит, вариант выполнения.

Магнитоправад содержит параллельна расположенные пластины 1 из магннтомягкого материала, составные магнаты, абразованные соединением температурнанезавнсимога 2 н температурнозависимага 3 магйитатвердого материала,1щгнитные шунты 4, узел регулировки 5 с резьбавыми отверстиями для перемещения шунтов.

7емпературнанезависимая (металлическая) часть 2 составного магнита создает в рабочем зазоре магнитопрододв магнитное поле, величина которага практичеркн не зависит.от температуры.

Температурнаааваигмая (ферритовая) чаСть 3 саставиайф магнатВ иддает магнитное пале s pa 4M 8839р9 мямиг0провада„величинаа.которого силью аеиЗется:..при изменении температуры. Темвературиая зависимость суммарного поля в рабочем зазоре является промежуточной между зависимостями поля от температуры,получаемыми только при температурнонезависимом ялн температурнозавнсимом магните. Преобладание одного или другого магнитного материала позволяет получить заданную температурную зависимость магннтного поля в рабочем зазоре магнитоауожща без изменения состава материалов, что расапряет температурный диапазон рабмц магнитопровода.

Регулировка ведячин4а иагнятнога поля. в

Рабочем зазоре. магнымароаадЭ: 8 необходимых пределах .осуществляется вращением шунтов

4 в резьбовьис отверстиях узла регулировки 5, который выполняемая иэ немагнитнаго материала, что позволяет исключить ега влияние на велычииу и температурную зависимость магнитного паля. Относительное увеличение габаритных раэмеПов магнитопровода из-за наличия шунтов при этом незначательна, так как раэмеры шунтов и их максимальное расстояние ат магнитов, при котором еще сказывается их действие, невелико по сравнению с размерами магнитопровада, а расположение узла регулировки с.внешней стороны позволяет полностью испольэовать рабочий зазор.

Все это позволяет упростить конструкцию магннтопровода и расширить температурный диапазон рабаты, обеспечив необходимую температурную зависимость магнитного поля смещения в рабочем зазоре а также уменьшить размеры магнитаправода по сравнению с известными устройствами, что ведет к общему снижению трудоемкости при изготовлении и настройке магнитаправода. . Формула иэобретеиия

1. Магнитопровад для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащий параллельно расположенные пластины из магнитомягкого материала, магииты, закрепленные между пластинамн у их противоположных торцов, и магнитные шунты, отличающийся тем, что, с целью упрощения магнитоправада, он содержит узел регулировки магнитного поля с резьбавыми отверстиями для размещения магнитных шунтов перпендикулярна боковой поверхности магнитов, выполненный иэ немагнитнаго материала и расположенный с внешней боковой стороны магнитов.

30 2. Магнитопровод по п. 1, отличающийся тем, что магниты выполнены составными из температурнозависимых н температурнонезависимых материалов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. IEEE Trans..Magn., Ч.16AG-9, № 3, 1973, р. 438.

2. IEEE Trans. Magn., V, МАб-10, № 3, 1974, р. 742.

577562

Составитель Ю. Розенталь

Техред О. Луговая Корректор

Редактор Е. Гончар

Заказ 4 l90 38 Тираж 729 Подписное

UHHHflH Государственного комитета Совета Министров СССР по делам иэобретеннЯ н открытнЯ

l l 3035, Москва, Ж-35, Раушская наб. ° д. 45

Филиал ППП кПатеитэ, г. Ухгород, ул. Проектная, 4