Мультивибратор
Патент 577644
Авторы
Мультивибратор
Иллюстрации
Реферат
Союз Советских
Социалистических
Рвслублнк
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТВДЬСТВУ (11 577644 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06.01.75 (21) 2092888/1 1 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.10.77. Бюллетень №3 (45) Дата опубликований описания 10.11.77 (51) М. Кл, Н 03 К 3/281
Н 03 К 3/282
Гееударетвеееаб ееэепет
Вевте Меееетрее CLy ее делам еэебретенпе е еткрмтей (53) УДК621.373.74!
088.8) Л. В. Поздняков, Б. В. Сердюк и В. H. Хмарский (72) Авторы изобретения (71) Заявитель
1, 1 (54) МУЛЬТИВИБРАТОР
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве генератора тактовых импульсов в вычислительной технике и в источниках технологического тока электроэрозионной обработки для получения 5 постоянной длительности импульсов, не зависящей от частоты повторений, и получения больших скважностей.
Известен мультивнбратор с эмиттерной вре- мязадающей цепью, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, источник смещения, дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, первый диод и первый конденсатор, причем эмнттер первого транзистора подключен к базе дополнительного транзистора противоположного типа проводимости и к катоду первого диода, анод которого подключен к одной обкладке первого конденсатора и к эмиттеру дополнительного транзистора противоположного типа проводимости (1) .
НедостаткоМ данного мультивибратора яв- 2о ляется зависимость длительности импульса от частоты повторений и невозможность получения скважности больше нескольких десятков.
Целью изобретения является расширение диапазона генерируемых частот при сохранении неизменной длительности сигнала. 25
Для этого в мультивибратор с эмиттерной времязадающей цепью, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, источник смещения, дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, первый диод и первый конденсатор, причем эмиттер первого транзистора подключен к базе дополнительного транзистора противоположного типа проводимости и к катоду первого диода, анод которого подключен к одной обкладке первого конденсатора и к эмиттеру дополнительного транзистора противоположного типа проводимости, введены дополнительный резистор, второй конденсатор и второй и третий диоды, причем катод второго диода подключен к эмиттеру второго транзистора и одной обкладке второго конденсатора, а его анод подключен к аноду третьего диода и через дополнительный резистор — к полюсу источника смещения. Катод третьего диода подключен к другой обкладке первого конденсатора и к коллект эру дополнительного транзистора противоположного типа проводимости, а другая обкладка второго конденсатора — к аноду первого диода.
На чертеже приведена схема мультивибратора.
Он содержит транзисторы 1 и 2 прямой проводимости, резистор 3, дополнительный ре577644
Формула изобретения зистор 4, резистор 5, диоды 6 — 8, конденсаторы
9 и 10, дополнительныи транзистор 11 обратной проводимости, источник 12 смещения, отрицательную шину 13 и положительную шину 14 источника питания. Шина !3 через резистор 3 соединена с коллектором транзистора 1 и базой транзистора 2, коллектор которого соединен с шиной 13, а эмиттер — с базой транзистора 11, подключенной через резистор 5 к шине 14,,отрицательному полюсу источника 12 н базе транзистора I. Эмипер последнего соединен с катодом диода 6, связанным через конденсатор
9 с эмиттером транзистора !1 и анодом диода 8, катод которого подключен к эмиттеру транзистора 2. Эмиттер транзистора 11 через кон денсатор 10 соединен с его коллектором и катодом диода 7, анод которого соединен с анодом диода 6, подключенным через резистор 4 к положительному полюсу источника 12.
Мультивибратор работает следующим образом, Пусть конденсаторы 9 и 10 н ач и на ют заряжаться. Ток заряда протекает через резистор 4, диоды 6 — 8 и открытый транзистор 2.
Создаваемое этим током падение напряжения на резисторе 4 и на диоде 6 больше напряжения смещения и прикладывается в обратном направлении к базо-эмиттерному переходу транзистора I, закрывая его.
Зарядный ток, протекающий через диод 8, создает на нем постоянное по величине напряжение, которое приложено к базо-эмиттерному переходу транзистора !1 и держит его закрытым. По мере заряда конденсаторов 9 и 10 ток заряда уменьшается, уменьшается и падение напряжения на резисторе 4, При сравнивании падения напряжения на резисторе 4 и диоде 6 с напряжением смещения, транзистор 1 начинает открываться, что приводит к опрокидыванию мультивибратора.
Ранее заряженный конденсатор 9 разряжается по цепи: эмиттерный переход транзистора I — резистор 5 — базо-эмиттерный переход транзистора 11. Ток разряда конденсатора 9 открывает транзистор 11, который шунтирует конденсатор 10, и последний быстро разряжается.
Г!о окончании разряда конденсатора 9 транзистор 1 выходит из режима насыщения, потенциал его коллектора начинает уменьшаться, вызывая отпирание транзистора 2. В мультивибраторе развивается лавинообразный процесс, транзистор 1 закрывается, а транзистор
2 открывается.
Описанные процессы периодически повторяются. Длительность выходного импульса прямоугольной формы, снимаемого с коллектора транзистора I, определяется временем разряда конденсатора 9 и не зависит от конденсатора
l0, которым определяется частота следования ген ер ируем ы х и м п ул ьсов.
Мультивибратор с эмиттерной времязадающей цепью, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, источник смещения, дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, первый диод и первый конденсатор, причем эмиттер первого транзистора подключен к базе дополнительного транзистора противоположного типа проводимости и к катоду первого диода, анод которого подключен к одной обкладке первого конденсатора и к эмиттеру дополнительного транзистора противоположного типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона генерируемых частот при сохранении неизменной длительности сигнала, в него введены дополнительный резистор, второй конденсатор н второй и третий диоды, причем катод второго диода подключен к эмиттеру второго транзистора и одной обкладке второго конденсатора, а его анод подключен к аноду третьего диода и через дополнительный резистор — к полюсу источника смещения, катод третьего диода подключен к другой обкладке первого конденсатора и к коллектору дополнительного транзистора противоположного типа проводимости, а другая обкладка второго конденсатора — к аноду первого диода.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
1. Авторское свидетельство СССР Ph 451174, кл. Н 03 к 3/282, 28.12.7!.
577644
Составитель А. Степанов
Техред О. Луговая Корректор С Н!екчар
Редактор Л. Народная
Филиал ППП «Патент>, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Заказ 4 197/42 Тираж )065 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
I I3035, Москва, Ж-35, Раугиская наб., д. 4/5