Способ измерения диэлектрических свойств

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

пп 578629

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Йово Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву 216807 (22) Заявлено 05.10.70 (21) 1483375 25-28 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.10.77. Бюллетень № 40 (45) Дата опубликования описания 15.11.77 (51) Ч. Кл."- С 01К 31/12

G 01K 27/22

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (53) УДК 621.317,335:

:620.179.18 (088.8) (72) Автор изоорстсппя

И. Г. Матис

Институт механики полимеров АН Латвийской ССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

СВОЙСТВ

10 с.. C; — CЬ=

С, h-=-0 — С й=с.-.

Изобретение относится к области электроизмерительной техники и предназначено для неразрушающего контроля диэлектрических материалов.

По основному авт. св. № 216807 известен способ измерения диэлектрических свойств, заключающийся в том, что измеряют комплексное сопротивление измерительного конденсатораа при разных глу.бинах проникновения электрического поля в исследуемый материал и по нему судят о диэлектрических свойствах материала (1).

Однако в известном способе для получения разной глубины проникновения электрического поля в исследуемый материал используют отдельные измерительные конденсаторы.

Известный способ не обеспечивает необходимой точности измерений ввиду того, что использование отдельных измерительных конденсаторов приводит к изменению условий измерения — расположения контролируемого участка, воздушного зазора и т. д.

Цель изобретения — повышение точности измерения.

Это достигается за счет того, что глубину проникновения электрического поля изменяют путем заполнения пространства между обкладками конденсатора и исследуемым диэлектриком эталонным диэлектриком, а в качестве эталонного диэлектрика используют жидкость.

На чертеже приведены зависимость 1 нормированной величины емкости конденсатора от величины зазора h между электродами и контролируемой поверхностью (диэлектрическая проницаемость в1 — — 10) при наличии воздушного пространства между ними (диэлектрическая проницаемость ез= 1) и зависимость 2 нормированной величины емкости конденсатора от величины зазора h .п,ри заполнении пространства между ними эталонным диэлектриком с пронпцаемостью аз=5.

Под нормированной величиной емкости понимается:

20 где C; — емкость конденсатора при данном значении h;

С/h — емкость конденсатора при h=c т. е. при отсутствии контролируемого материала;

25 СЯ=Π— емкость конденсатора с исследуемым материалом без зазора между нпм и электродами.

Способ осуществляют следующим образом.

Пространство между электродами и конт30 ролпруемым материалом заполняют эталон578629

0 /с

0,7

Составитель И. Кесоин

Редактор Т. Морозова Техред И. Карандашова Корректор 3. Тарасова

Заказ 2583/21 Изд. № 847 Тира>к 1109

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делаги изобретений и открытий

113035, Москва, >К-35, Реушская наб., д. 4/5

Подписное

Типография, пр. Сапунова, 2 ым диэлектриком — газообразным, жидким или твердым с отличающейся от воздуха диэлектрической проницаемостью. Например, в пространство между электродами и контролируемым диэлектрическим материалом вводят пластину из другого диэлектрического материала. Глубина проникновения поля в контролируемый материал при этом уменьшается по сравнению с воздушным пространством. Чем больше диэлектрическая проницаемость эталонного диэлектрика, тем меньше глубина проникновения поля. Таким образом, геометрия измерительного конденсатора остается постоянной. При помощи предлагаемого способа возможно плавное изменение глубины проникновения поля, например, в случае использования жидкого эталонного диэлектрика, диэлектрическую проницаемость последнего можно менять плавно путем изменения соотношения состава двухкомпопентной жидкости.

Применение предлагаемого способа позвоJT>ieT поовод;iTh Вс опсрациH I43ëic1>e>i>i>i без перестановки измср K .мо о конде. сатора, что увеличивает >очность измерсния. о

Формула изобретения .. Спосоо измерения диэлектрических

cçойств по авт. св. ¹ 216807, о т л и ч а ющ .: .й с я тем, что, с целью повышения точно10 сти измерения, глубину проникновения элек рпческого поля изменяют путем заполнения пространства между обкладками конденсатора и исследуемым диэлектриком эталонным диэлектриком.

15 2. Способ по п. 1, отл ич а ющи йся тем, что в качестве эталонного диэлектрика используют жидкость.

Источники информации,,принятые во внимание при экспертизе

20 1. Авторское свидетельство СССР № 216807, кл. G 01R 31/11, 1966.