Шихта для изготовления керамического материала

Шихта для изготовления керамического материала

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Г

Г

V А ) ОПИСАН&К

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (ll) 579261

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТГЛ}ЯСТВУ (6l) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 2L0676 (2l) 2374388/29-33 с присоединением заявки Ю (23) Приоритет (43) Опубликовано 05J 177Áюллетень № 41 (45) Дата опубликования описания 29.1277 (5l) М. Кл.

С 04 В 35/10

Гаа даратееннын намнтет

Сааета Мнннатрае СССР на делам наааретеннй н атнрытнй (53) УДК 666.764. 3 (088 .8) (72) Авторы изобретения

Э.И. Пузырев и Г.М. Шапиро (71) Заявитель (54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКОГО

МАТЕРИАЛА

Ми С ;О

З1О

МИДЕ,О, ДР>0

0,1 — 2,5

0,1 -1,0

0,3 — 6,0 остальное

91,9

5,8

0,8

9,7 L21

83,7

2,8

0,7

5,1 дс аОа

Лап Сюа04 миде,04

30

Изобретение относится к созданию керамических диэлектриков на основе окиси алюминия.

Известен керамический материал на основе окиси алюминия, изготовленный из шихты, влкючающей М 0, 8 0а > алпО и С О.

Однако высока температура его спекания — 1600 -1650 С. о

Наиболее близким техническим решением по составу к описываемому изобретению является шихта для изготовления алюмооксидной керамики, включающая МаО

И ДОбаВКИ Д4ИС» О, 8iQz, Aln4Еа04 в следующем соотношении между компонентами, вес.Ъ:

Однако, материал, изготовленный иэ шихты, содержащей 2,8вес.% $10, содержит 11-14% стеклофазы, а из шихты с содержанием 5, 8% МОа — до 25-ЗОВ стеклофазы . Стекло, как известно, обладает высокими диэлектрическими потерями, поэтому применение в качестве диэлектрика укаэанной шихты невыгодно.

Например, керамика состава лс 01—

88; Мист е0-0,8; Si0>-4, 2; ИиЛРх0 -7, О о -4 имеет при температуре 20 С Ц о 14.10 и E. 9,0.

Целью настоящего изобретения является снижение тангенса угла диэлектрических потерь в сверхвысокочастот- ном диапазоне. цель достигается за счет тоГо, что шихта, включаер компоненты Дс О>, )Ли р 0 Лепна,0 5j0 в следующем соотношении, вес.н Ьлагодаря практическому отсутствию стеклофазы в керамике .и ее низкотемпературному спеканию получают диэлектрики с мелкокристаллической структурой и низкими диэлектрическими потерями. Например, керамика состава,вес%;

Ф 0 93,4уМпС 04 — 0,8; Мпла Π— 5, 2;

Ыо,— 0,6 спекается,при 1520 (1 10) и имеет тангенс угла диэлектрических

579261 при 100 С > 3,10 о и при 450 С 1, 8. 10 при 800 С 2,2. 10

Формула изобретения

Составитель Н.Соболева Техред Н.Бабурка Корректор С.Патрушена

Редактор С.Головенко

Заказ 4329/25 Тираж 764 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 потерь при -4 3.109 гц и температуре ,20 С, равным 1.10 4,.

Получают изобретение следующи образом.

Готовят соединения МпС О4, AlnABz04 для чего смесь МпО а Cr,О,а также МпО ц

Щ Оз н экнимолярных количествах оба з 0 жигают до 950-1300 С (преимущественно до 1150- 1200,C) в любой газовой атмосфере, затем размалынают до удельной поверхности 4-.6. 10 см /г. Параллельно готовят кремнезем, его также размалынают до вышеуказанной удельной поверхности, 15

Приготовленные компоненты вводят во — Al .z O> который может быть использован как в виде электрокорунда, так и в виде спецглинозема, более чем на

90% переведенного в Ы. — форму.

Таким образом, шихту составляют компоненты в следующем соотношении, @ вес.%: cl-ЩдЦ - 93,4;NlnCr 0 — 0,8;

МйИ О вЂ” 5,2; ЯО - 0,6.

В приготовленную смесь вводят пластификатор и оформляют из нее изделия методами, общепринятыми н керамической технологии. После выжигания пластификатора (при 1100 C) иэделия поступают на окончательный обжиг °

Последнюю операцию осуществляют при температуре 1500 (+30) С. При этом 80 изделия уплотняются до нулевого нодопоглощения, достигая объемного веса

3,75 — 3,85 г/см .

Мелкокристалличеакая .структура и практическое отсутствие стеклов д- 35 ной фазы обеспечивает получение в материале низких значений тангенса угла диэлектрических потерь в СВЧ диапазоне длин волн, Свойства полученного материала: 49

Диэлектрическая проницаемость при 20 С 9,6

Тангенс угла диэлектрических потерь Е у S 1, 10 Ф

Механик .еская прочность при изгибе, кг/м 37

Коэффициент термического расширения и-ию "с 6622, 10 град,< уюв с83. 10 град, Удельное электрическое сопротивление, ом. см

Таким образом предлагаемый состав шихты обеспечивает при сравнительно низких температурах обжига получение материала с высокими электрофизическимк и механическими параметрами.

Шихта для изготовления керамического материала на основе окиси алюминия, включающая Щ,О,МпСм 04, %0

МЯЖ О4 о тл и ч ающ а я с я тем, что, с целью снижения тангенса угла диэлектрических потерь в сверхвысокочастотном диапазоне, она содержит укаэанные компоненты в следующем соотношении, вес.Ъ:

МпС> 04 0,1 — 2,5

Мп ACz04 О, 3 — 6, О

И 01 Остальное

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР

М 149346, кл. С 04 в 35/10, 1960, 2. Авторское снидетельство СССР

9 361158 кл. С 04 и 35/10, 1972.