Датчик паров ртути

Датчик паров ртути

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социаинстичесиих

Республик

J . (li) 5 5T0 (6l) Дополнительное к авт. свил-ву (51) N. Кл, Ч 01 К 27/02 (И) Заявлено 230776 (21) 2387523/18-25 с присоединением заявки 3h (И) Приоритет (43) Опубликовано 051 1.77. Бюллетень Ю 41 (45) дата Опубликования описания 281177

В 441,ВВРвтввввм1 ввавтвт (3вввтв Мввввтрвв ICN

44 вввва Вввбрвтввй

4 втвритвй (58) УДК 543.257 (088 ° 83 (72) Авторы изобретения

A.A. Любкин, В.M. Мишин и A.Ì. Пулавский (71) Заявитель (54) ДАТЧИК ПАРОВ РТУТИ

Изобретение относится к датчикам анализаторов состава Газов, выполненным в виде полупроводниковых чувствительных элементов, меняющих свое электросопротивление при взаимодействии с анализируемым компонентом.

Оно предназначено для определения концентрации паров ртути в воздухе производственных помещений.

Известны фотометрические датчики для определения паров ртути, содержащие чувствительные элементы на пары ртути 1) .

Недостатком датчиков является их сложность

Известны анализаторы или сигналиэаторы ртути, определяющие наличие ртути по изменению проводимости чувствительного элемента. Наиболее близким техническим решением к йредложенному является датчик для определения паров ртути в воздухе, содержащий диэлектрическую подложку, на которую нанесен чувствительный сорбционнодесорбционный токопроводяший слоя из селена(2).

Чувствительные слои из селена обладают существенным недостатком. При взаимодействии с парами ртути селен образует сравнительно прочное соединение — селенид ртути. В таком чувствительном слое исходная проводимость восстанавливается не ранее, чем через 3-4 час после продувки его чис5 тым воздухомв кроме тогоу чувствитель» ность элемента сравнительно невелика и для его применения необходимо накопительное сорбционно-десорбционнов устройство.

10 Целью изобретения является повьхвение чувствительности измерения °

Цель достигается тем, что чувствительньвЗ токопроводящий слой выполнен иэ ам4>орно-кристаллического теллура, !

5 причем размер частиц теллура уменьшается от поверхности слоя к подложке ° Чувствительная пленка наносится путем химического осаждения теллура из раствора. ВО На чертеже схематично показан предложенный датчик, содержащий диэлектрическую подложку 1 слой 2 теллура (толщиной 1000-2000 ) с переменной структурой, тоководы 3. ха датчик работает сЛедующим Образом.

Из устройства подготовки пробы пары ртути поступают в камеру с чувствительным элементом и попадают на поверхность слоя 2 теллура, находящегося на диэлектрической подложке 1.

579570

Формула изобретения

Составитель М, Кривенко

Редактор T. Орловская Техред З.Фанта Корректор JI.Федорчук

Заказ 4388/42 Тираж 1101 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035 . Москва Ж-35 Ра шская наб. д, 4 5

Z 1

Филиал ППП Патент, г. Ужгород., ул. Проектная, 4

При воздействии паров ртути на слой теллура вначале происходит сорбция паров ртути. Неоднородная структура теллуровой пленки, состоящей из аморфных частиц кристаллов, уменьшающихся к подложке, обеспечивает высокую сорбционную способность пленки благодаря высокоразвитой поверхности, причем пары ртути, захватываемые крупными частицами, затем равномерно сорбируются мелкими частицами вглубь слоя. О

После сорбции происходит образование нестойкого нестехиометрического соединения Hg"Òå ", что..приводит к уменьшению проводимостей слоя теллура. Через тоководы 3 изменение проводимости И тонкой пленки 2 фиксируется измерителем проводимости. При продувке чувствительного„слоя чистым воздухом соединение Нф"Te " легко распадается и проводиМость слоя теллура носата- 29 навливается до исходной эа 0,5-1 мин, Способность чувствительного слоя быстро возвращаться к исходной проводимостиt предусматривает многократное использование устройства при повыше- й8 нии его чувствительности, что повышает эксплуатационные свойства пр бора. Сигнал чувствительного слоя, достаточный для выделения и измерения паров ртути, достигается при концентрации ртути H g 1. 10 мг/л в течение 3 мин. Регенерация чувствительного слоя чистым воздухом проходит эа 25 сек. чувствительный слой после 35 циклов не изменил своих свойств.

1. Датчик паров ртути, содержащий диэлектрическую подложку, на которую нанесен чувствительный сорбционнодесорбционный токопроводящий слой, отличающийся тем, что,, с целью повышения чувствительности измерения, чувствительный токопроводящий слой выполнен из аморфно-кристаллического теллура.

2. Датчик по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что размер частиц теллура уменьшается от поверхности слоя к подложке.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: . 1. Патент США У 3640624, кл, 356-36, 1972.

2. Патент ФРГ Р 825909, кл. 42 Р 4/16, 1968..