Сегнетокерамический материал

Сегнетокерамический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз СоеетсиихСоциалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.07.75 (21) 2157876/33 с присоединением заявки ¹ (51) 11. Кл.- зС 04В 35/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 15.11.77. Бюллетень ¹ 42 (53) УДК 666.655(088.8) (45) Дата опубликования описания 11.11.77 (72) Авторы изобретешгя

И. П, Раевский, О. И. Прокопало и С. M. Максимов (71) Заявитель

Ростовский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет (54) СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Свойства

Состав, вес, о;

Z1 грал

pt при 25 Сом см т,, с

T C

GeO, ом сч

5,5

275

5,4 10

7,95.10" т. 106

1, 1. шт

2,45 10

1,75 10

190

3,3

5,5

240

6,7

Изобретение касается создания керамических полупроводниковых материалов для изготовления терморезистивных элементов с положительным температурным коэффициентом сопротивления — позисторов.

Известен сегнетоэлектрический материал на основе KNb03 с добавками К О и Ge02 (1).

Данный керамический материал не пригоден для изготовления позисторов, поскольку является диэлектриком.

Целью настоящего изобретения являет=я создание керамического материала, обладающего полупроводниковыми свойствами и эффектом положительного температурного коэффициента сопротивления.

Поставленная цель достигается за счет того, что керамический материал на основе

KNbO3 с добавками К20 и GeO содержит указанные компоненты в следующем соотношении, вес. %:

К1«1" Оз 90 — 95

К О 4 — 6,7 бсО 1 — 3,3

Это позволяет получить резкое повышение сопротивления с ростом температуры в районе ромбическо-тетрагонального перехода из одной сегнетоэлектрической фазы в другую.

Составы готовят по обычной керамической технологии: добавки вводят в синтезированный при 950 С из ХЬ .05 и КеСОз ниобат ка10 лия либо в виде смеси карбонатов (калий) и окислов (германий), либо в виде стекла, полученного сплавленисм указан»ы« ингредиентов при 1100 С. После тщательного перемсшивания прессуют таблетки, которые обжигают

15 н течение 2 час при 980--1000 С в атмосфере возду:а. Охлаждение после обжига проводят со скоростью менее 150 С/час до 800 С, после чего образцы остываю нмсстс с печью. Полученные диски шлш1>уют 10 толщины 0,8-—

20 1 мм. Серебряные электроды наносят методом вжигания пасты при 750 С.

Полученные материалы имели следующие

«арактеристпки физически«свойств.

580198

Формула изобретения

Составитель Н, Соболева

Текред Н. Рыбкина

Корректор Л. Денискина

Редактор В. Смирягина

Подписное

Заказ 2529/4 Изд. М 914 Тираж 778

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, 1 аушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Величину положительного температурного коэффициента сопротивления сг, определяют по формуле а = 2,303 l g (рз/р1) / (Тз — Т1) где Т1 и T> — температуры, при которых соответственно начинается и прекращается резкий рост сопротивления; р и оз — значения удельного сопротивления соответственно при Т1 и Т2.

Таким образом получен позисторный материал на основе KNb03. Данный материал характеризуется температурой обжига значительно более низкой, чем у позисторных материалов на основе титаната бария.

Сегнетокерамический материал на основе

KNbOg с добавками К20 и GeOg, отличаю5 шийся тем, что, с целью получения материалов с полупроводниковыми свойствами и эффектом положительного температурного коэффициента сопротивления, он содержит указанные компоненты в следующем соотно10 шении, вес, %.

К1 11 оз 90 — 95

К20 4 — 6,7 беОз 1 — 3,3

Источники информации, 15 принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство М 274175, кл.

Н Olb, 1968.