Преобразователь температуры

Преобразователь температуры

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЪСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву 9516914 (22) Заявлено 190776 (21) 2386503/18-10

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 581390 ф

1 ч (51) М. Кл.

6 01 К 7/16 с присоединением заявки №

Гaaygapaxaaaaaa(l ааватат

Совета Мпааатрав QGCP аа пепав ааабретанпй а атарытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 25,1177.Бюллетень №43 (53) УДК 621. 317. 39 3 536..53(088.8) (45) Дата опубликований описания 12.12.77 (72) Авторы изобретения

В.П. Будянов, А.И. Кривоносов, A,В. Клопоцкий, И.П. Егоров, Л.В. Будянова и В.П. Молчанова

Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно-строительный институт им. В.В.Куйбышева (71) Заявитель (54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ

l5

Изобретение относится к теплотехническим устройствам электроизмерительной техники.

В основном авт.св.М 516914 описан преобразователь температуры, содержащий двухтранзисторный мультивибратор с коллекторно-базовыми связями, два основных и два дополнительных конденсатора, два транзистора одной с ключевыми транзисторами схемы структуры со свободным коллектором, источник питания, тсрмочувствительные элементы, включенные в разрядные цепи основных конденсаторов.

НедосТатком этого, преобразователя температуры является термонестабильность схемы по порогу отпирания ключевых транзисторов, что снижает точность преобразования температуры в частоту импульсов.

Цель изобретения — увеличение термостабильности схемы по порогу отпирания ключевых транзисторов.

Указанная цель достигается тем, что известный преобразователь дополнительно содержит два транзистора, эмнттеры которых подключены к коллек-. торным нагрузкам соответствующих ключевых транзисторов, а базы соединены с одной из клемм источника питания.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема преобразователя.

Устройст зо содержит ключевые транзисторы 1 и 2т дополнительные конденсаторы 3 и 4; транзисторы 5 и 6 со свободным коллекторомт основные конденсаторы 7 и 8; коллекторные нагрузки 9 и 10 ключевых транзисторовт источник питания 11; дополнительные транзи торы 12 и 13 со свободным кол.лектором; разрядные резисторы (термочувствительные элементы) 14 и 15.

Устройство работает следующим образом.

Схема на основе элементов 1, 2, 9, 10, 11, 14 и 15 работает как обычный транзисторный мультивибратор с компенсациЕй влияния обратного тока запертого эмиттерно-базового перехода ключевоГо транзистора на работу схемы, что достигается использованием компенсирующих цепей на основе элементов 4,6 и 5,3.

Подобная схема может быть охарактеризована зависимостью

I т-гя,сь - . .(g) где Т вЂ” период следования генерируемых импульсов для симметричной схемы

501390

Формула изобретения

Составитель В.Костин

Техред З.Фанта Корректор А, Вахида

Редактор Т.Иванова

Заказ 4564/34 Тираж 865 Подписное

ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Р ушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. ужгород, ул. Проектная> 4

Е - напряжение питания источника 11, Qy — порог отпирания ключевых транзисторов 1 и 2;

LING †. порог, отпирания ключевых транзисторов при нулевом коллекторном направлении. наличие термозавнсимого порога отпирания ключевых транзисторов приводит к термонестабильности схем, что особенно сильно сказывается при невысоких уровнях питающего напряжения главным образом при построении устройств в интегральном. исполнении. От известного устройства предложенная схема отличается введением в нее двух дополнительных транзисторов 12 и 13 со свободнымн коллекторами. Эти транзисторы должны быть одного типа с ключевыми транзисторами схемы. Период следования генерируемых импульсов для 20 предложенной схемы будет равен

Т 2%6СЕа --ц, (2) о гдето,", — порог отпирания транзистороц уд

12 R 13, и достаточной близости значений

9 И, и прн равенстве температурных коэффициентов транзисторов 1, 12, 13 по направлению зависимость (2) выражается следующим образом

Т = 1 4RC (3) что говорит о, воэможности термостабилизации схемы по порогу отпирания ключевых транзисторов 1 и 2.

Предложенное устройство характеризуется положительным эффектом, заключающимся в увеличении термостабильности схемы по порогу отпирания ключевых транзисторов, что позволяет увеличить точность преобразования температуры в частоту генерируемых импульсов.

Преобразователь температуры по авт.св. 9 516914, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью увеличения термостабильности схемы по порогу отпирания ключевых транзисторов, он дополнительно содержит два транзистора, эмиттеры которых подключены к коллекторным нагрузкам соответствующих ключевых транзисторов, а базы соединены с одной из клемм источника питания.