Магнитная муфта

Магнитная муфта

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

111! 5844ОЗ

Союз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свпд-ву (22) Заявлено 04.01.76 (21) 2308902/24-07 (51) М. Кл. H 02К 49/00 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 15.12.77. Бюллетень ¹ 46 (45) Дата опубликования описания 05.12.77 (53) УДК 621.825.5 (088.8) (72) Аьторы изобретения

Н, П. Глуханов и Г. П. Ильин (71) Заявитель

Ленинградская ордена Ленина лесотехническая академия им. С. М. Кирова (54) МАГНИТНАЯ МУФТА

Изобретение относится к области машино строения и касается передачи механической энергии с помощью магнитного поля B объемы с повышенной герметичностью.

Известны экранированные магнитные муфTbI на анизотропных постоянных магнитах, состоящие из ведущей и ведомой полумуфт, отделенных немагнитным герметичным экраном.

При цилиндрической конструкции муфт на внутренней поверхности ведущей полумуфты и на внешней поверхности ведомой полумуфты магниты в виде плоских пластинок устанавливаются вплотную друг и другу, при этом по окружности устанавливается наибольшее количество активного магнитного материала.

Известны T3êæс конструкции экранированных магнитных муфт, состояшис из ведущей и ведомой полумуфт с постоянными мап1итами, отделенных экраном, и нмсющис IIB одной из полумуфт элсктропроводну1о короткозамкнуту1о дсмпфсрную обмотку, стержни которой расположены между постоянными магнитами.

Благодаря наличию дсмпфсрной обмотки такая магнитная муфта обладает повышенной устойчивостью при колебаниях момента сопротивления на валу ведомой полумуфты, однако размещение стержней демпферной обмотки между магнитами нс позволяет использовать поверхность этой полумуфты полность1о для заполнения активным материалом (магнитом), что, в свою очередь, уменьшает величину передаваемого вращающего момента

Л11 ф1Ы.

Целью изобретения является увеличение вел1пчпны передаваемого вращающего момента от ведущей к ведомой полумуфтс.

Поставленная цель достигается за счет того, что в мапгптной м; фте анпзотропные магниты установлены в два слоя, в наружном слое мапппы установлены по всеи окружности вплотную друг к другу, а во внутрсннем слое мяпп11ы установлспы с прол1сгкл ткями, В кОтОрых размещены стержни дсмпфсрной обмотки.

15 На фиг. 1 изображена магнитная экранированная л:уфта; на фиг. 2 — один нз вариантов изготовления стальной оосчайкн; на фиг. 3—

BIIpIIaI;1 исполнения наружной полул1уфты.

20 Магнитная экранированная муфта па анпзотропных мапппгх (типа окснднс-барнсвых) содержит мà "инты 1, установлcIIIIûE по окружнОсти вплотпл10 Один к другомл, стержни дсмпфсрной обмотки 2, установленные под

25 слоем магнитов в прол1ежутках, сделанных стальной обсчайке 3, на которой крепятся (приклеива1отся) магниты. Такая конструкция даст 100,1о заполнения мапп1тами окружности полумуфты. При этом демпфсрная обмотка

30 может Оыть л становлсня уIсазянным спосооом

584403

Типография, пр. Сапунова, 2

3 на наружной или на внутренней полумуфтах, или на обеих.

Стержни демпферной обмотки 2 можно наклеивать на стальную цилиндрическую обечайку 3 (фиг. 2), а пространство между стержня- 5 ми заполняется ферромагнитными стальными пластинами 4 прямоугольного сечения, которые также приклеиваются к обечайке, а затем крепятся магниты 1.

Таким способом может быть выполнена как 10 внешняя, так и наружная полумуфты.

Пластинки 4 из ферромагнитной стали можно заменить постоянными магнитами (фиг. 3).

Преимущество такой конструкции магнитной муфты состоит в следующем.

Увеличивается намагничивающая сила магнитов, что ведет к увеличению магнитного потока и увеличению момента, передаваемого муфтой от ведущей полумуфты к ведомой, при одних и тех же зазорах между магнитами ведушей и ведомой полумуфт.

Формула изобретения

Магнитная муфта, содержащая ведущую и ведомую полумуфты с постоянными анизотропными магнитами, отделенные немагнитным экраном, демпферную обмотку, о т л и ч аю щ а я с я тем, что, с целью увеличения враи1ающего момента, передаваемого от ведущей к ведомой полумуфте, анизотропные магниты установлены в два слоя, в наружном слое магниты установлены по всей окружности вплотную друг к другу, а во внутреннем слое магниты установлены с промежутками, в которых размещены стержни демпферной обмотки.

Составитель А. Трепутнева

Редактор Н. Каменская Техред H. Рыбкина

Корректор Л. Тарасова

Заказ 2608/16 Изд. М 970 Тираж 917 Подписное

НПО Государственного комитета

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5